ADL8102是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為1 GHz至22 GHz。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，1 GHz至22 GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

在9 GHz至19 GHz范圍內(nèi)，ADL8102提供27 dB典型增益、2.5 dB典型噪聲系數(shù)，在1 GHz至9 GHz范圍內(nèi)提供25 dBm典型輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(OIP3)，以及高達(dá)15.5 dBm的飽和輸出功率(P SAT )，采用5 V電源電壓時(shí)功耗僅為110 mA。ADL8102還具有內(nèi)部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內(nèi)部交流耦合，同時(shí)集成了偏置電感，使其非常適合基于表貼技術(shù)(SMT)的高容量微波無(wú)線(xiàn)電應(yīng)用。

ADL8102采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的3 mm × 3 mm、16引腳LFCSP封裝。

特性

• 單個(gè)正電源（自偏置）
• 增益：27 dB（典型值，9 GHz至19 GHz時(shí)）
• OP1dB: 13.5 dB（典型值，1 GHz至9 GHz時(shí)）
• OIP3: 25 dBm（典型值，1 GHz至9 GHz時(shí)）
• 噪聲系數(shù)：2.5 dB（典型值，9 GHz至19 GHz時(shí)）
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的3 mm x 3 mm、16引腳LFCSP封裝

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型特性

簡(jiǎn)易框圖

應(yīng)用

• 電信
• 衛(wèi)星通信
• 軍用雷達(dá)
• 氣象雷達(dá)
• 民用雷達(dá)
• 電子戰(zhàn)