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PTH12050Y 6A、12V 輸入非隔離式 DDR/QDR 內(nèi)存總線終端模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-04-23 11:12 ? 次閱讀
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PTHxx050Y 是德州儀器 (TI) 的一系列即用型開關(guān)穩(wěn)壓器模塊,專為 DDR 和 QDR 存儲(chǔ)器應(yīng)用中的總線端接而設(shè)計(jì)。這些模塊由 3.3V、5V 或 12V 輸入供電,可產(chǎn)生 VTT輸出,將拉出或吸收高達(dá) 6 A 的電流(8 A 瞬態(tài)),以準(zhǔn)確跟蹤其 V裁判輸入。VTT是所需的總線端接電源電壓,V裁判是存儲(chǔ)器和芯片組總線接收器比較器的參考電壓。V裁判通常設(shè)置為 V 的一半DDQ電源電壓。
*附件:pth12050y.pdf

PTHxx050Y 系列均采用有源開關(guān)同步整流器輸出,以提供最先進(jìn)的降壓開關(guān)轉(zhuǎn)換。這些產(chǎn)品尺寸小(0.87 英寸 × 0.5 英寸),是需要空間、性能和高效率以及即用型模塊便利性的理想選擇。

作功能包括開/關(guān)禁止和輸出過流保護(hù)(僅限源模式)。開/關(guān)抑制功能允許 VTT在待機(jī)作模式下關(guān)閉總線以節(jié)省電量。

封裝選項(xiàng)包括通孔和表面貼裝配置。

特性

  • VTT總線終端輸出 (輸出跟蹤系統(tǒng) v 裁判 )
  • 6 A 輸出電流(峰值 8 A)
  • 3.3V、5V 或 12V 輸入電壓
  • 兼容 DDR 和 QDR
  • 開/關(guān)抑制 (for VTT待機(jī))
  • 欠壓鎖定
  • 工作溫度:–40 至 +85°C
  • 效率高達(dá) 88 %
  • 輸出過流保護(hù)(非閉鎖、自動(dòng)復(fù)位)
  • 50 W/in3 功率密度
  • 安全機(jī)構(gòu)認(rèn)證:UL/cUL60950、EN60950、VDE
  • 兼容負(fù)載點(diǎn)聯(lián)盟 (POLA)?

參數(shù)
image.png

一、產(chǎn)品概述

PTH12050Y是一款由德州儀器Texas Instruments)生產(chǎn)的非隔離DDR/QDR內(nèi)存總線終止模塊。該模塊專為DDR和QDR內(nèi)存應(yīng)用設(shè)計(jì),提供高達(dá)6A(峰值8A)的輸出電流,以準(zhǔn)確跟蹤V_REF輸入,并生成所需的V_TT輸出。

二、關(guān)鍵特性

1. 高性能與靈活性

  • ?輸出電流?:連續(xù)6A,峰值8A
  • ?輸入電壓?:支持3.3V、5V或12V
  • ?輸出電壓?:V_TT,跟蹤V_REF輸入
  • ?效率?:高達(dá)88%

2. 豐富的保護(hù)功能

  • ?過流保護(hù)?:非鎖存式自動(dòng)復(fù)位
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?
  • ?開/關(guān)抑制?:用于V_TT待機(jī)模式

3. 小巧的尺寸與高功率密度

  • ?尺寸?:0.87in x 0.5in(22.1mm x 12.57mm)
  • ?功率密度?:50W/in3

4. 安全性與兼容性

  • ?安全認(rèn)證?:UL/cUL60950, EN60950, VDE
  • ?兼容性?:POLA?(Point-of-Load Alliance)兼容

三、應(yīng)用領(lǐng)域

  • DDR和QDR內(nèi)存應(yīng)用
  • 需要高效、可靠?jī)?nèi)存總線終止的復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)

四、電氣特性

  • ?輸入電壓范圍?:10.8V至13.2V(對(duì)于12V輸入型號(hào))
  • ?V_REF跟蹤范圍?:0.55V至1.8V
  • ?V_TT與V_REF跟蹤容差?:±10mV
  • ?輸出電壓紋波?:20MHz帶寬下,20mV PP
  • ?過流閾值?:12A
  • ?瞬態(tài)響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間?:80μs
  • ?開關(guān)頻率?:200kHz至300kHz

五、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:提供通孔和表面貼裝兩種封裝選項(xiàng)
  • ?尺寸?:具體尺寸信息需參考封裝圖紙

六、應(yīng)用信息

1. 電容推薦

  • ?輸入電容?:對(duì)于12V輸入,推薦使用560μF的電解電容和≥10μF的陶瓷電容組合。
  • ?輸出電容?:推薦使用940μF的電解電容以滿足瞬態(tài)響應(yīng)要求,可額外添加10μF至22μF的陶瓷電容以改善紋波和瞬態(tài)響應(yīng)。

2. 布局與散熱

  • 電容應(yīng)盡可能靠近模塊引腳放置,以減少噪聲和損耗。
  • 在高功率應(yīng)用中,注意模塊的散熱設(shè)計(jì),確保工作在溫度額定范圍內(nèi)。

七、典型應(yīng)用電路

文檔提供了DDR應(yīng)用的典型電路圖,展示了如何連接PTH12050Y模塊以及相關(guān)的電容和電阻,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的內(nèi)存總線終止。

八、封裝選項(xiàng)與訂購信息

文檔最后提供了封裝選項(xiàng)和訂購信息的附錄,包括不同封裝類型和RoHS狀態(tài)的詳細(xì)信息。用戶可以根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的封裝類型和數(shù)量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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