摘要

隨著成本下降，氮化鎵在功率大小和效率方面明顯優(yōu)于現(xiàn)今的技術。在最早刊登在《網(wǎng)絡世界》“科技解讀”的博客中，Brent Dietz 介紹了 GaN 在各種應用中的使用情況。

2018 國際消費電子展并未讓人失望，會上展示了一些基于網(wǎng)絡的家居、汽車和浴室用小配件。但是，其中的許多技術需要更多數(shù)據(jù)，從而給無線網(wǎng)絡帶來了巨大壓力。

Q

試想一下，如果美國 1.25 億個家庭突然都使用智能坐便器會怎樣？

當?shù)蛶捲O備和高帶寬設備的數(shù)量成倍增加時，有線電視網(wǎng)絡和蜂窩基站就會面臨壓力。那么，網(wǎng)絡供應商應該做些什么呢？

答案有點讓人意外，就是借鑒國防工業(yè)。當網(wǎng)絡供應商在商用電子產品領域艱難度日時，它們就會試圖采用國防雷達和通信系統(tǒng)的高增益、大功率 RF 解決方案，包括許多采用氮化鎵的解決方案。

是的，采用 GaN 技術

氮化鎵，更常稱為 "GaN"，并不是最新的加密貨幣技術,可能是在高中化學課中學過的知識。GaN 是一種化合物半導體，根據(jù)應用的不同存在許多不同形式。

其中包括：

?硅基氮化鎵（GaN-on-silicon 或 GaN-on-Si）

?碳化硅基氮化鎵 (SiC) 或 GaN-on-SiC

?鍺基氮化鎵或 GaN-on-Ge

?金剛石氮化鎵

?以及我個人最偏愛的六方氮化硼氮化鎵或 GaN-on-h-BN

無論何種形式，GaN 都意味著功率。GaN 在溫度較高的條件下能夠可靠運行，且使用壽命更長，因此非常適用于苛刻環(huán)境下的航空航天和國防應用。例如，自二十世紀九十年代以來，GaN 就一直用于空間應用、通信系統(tǒng)和有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達領域。

您的詞庫中又要添一個新詞了。

直到最近，GaN 的成本一直都很高。用于高可靠性軍事應用的 GaN 器件一般采用陶瓷或金屬封裝；

如今，塑料封裝降低了 GaN 的成本，使其對商業(yè)市場更具吸引力。塑料可降低產品重量，實現(xiàn)靈活設計，這兩點對于商業(yè)應用來說至關重要。無線基礎設施供應商還可在塑料封裝中使用 GaN 來升級現(xiàn)有系統(tǒng)，從而節(jié)省升級時間和成本，同時無需創(chuàng)建全新的設備。

GaN 用于聯(lián)網(wǎng)

GaN 可在較高帶寬條件下提高 RF 性能和系統(tǒng)效率，從而滿足當今高速網(wǎng)絡的需求。事實上，與傳統(tǒng)技術相比，GaN 放大器可實現(xiàn)更高的輸出功率，同時將功耗降低 20%。

除了省電之外，GaN 還通過大幅減少材料浪費和生產砷化鎵 (GaAs) 或硅制線路放大器所需的能源來支持其他環(huán)保舉措。由于其可靠的熱性能，GaN 還非常適用于長期可靠性至關重要的下一代網(wǎng)絡。

這一切意味著網(wǎng)絡供應商可降低運營成本，并向消費者提供更可靠、性價比更高的無線服務。

盡管在網(wǎng)絡領域仍處于起步階段，但 GaN 已經產生了巨大的影響。GaN 使有線電視領域推出了 DOCSIS 3.1，即一種有線電視標準，使電纜提供商能夠使用現(xiàn)有電纜基礎設施提高網(wǎng)絡速度。

與 DOCSIS 3.0 相比，新版的 DOCSIS 3.1 標準可將有效的下游“下載”數(shù)據(jù)速率從 160 Mbps 提高到 10 Gbps，將上游“上傳”數(shù)據(jù)速率從 120 Mbps 提高到 1 Gbps。而消費者則可以觀看高清電視 (HDTV)，并獲得視頻點播 (VOD) 服務。

當您通過高清電視觀賞最喜愛的《怪奇物語》角色不斷擊退怪物的畫面時，您應該感謝 DOCSIS 3.1（和 GaN）。

GaN對于將信號從信號塔發(fā)送至手機的蜂窩基站也具有一定的影響。帶寬是一種有限資源。所以，隨著數(shù)據(jù)需求的提高，網(wǎng)絡運營商必須提高其基站性能，同時管理多余熱量。GaN 可應對這一挑戰(zhàn)，網(wǎng)絡運營商可利用其卓越的散熱性能讓基站保持較低溫度。

5G 的出現(xiàn)使 GaN 變得更加重要。大功率、高頻率和熱量管理是實現(xiàn)第五代蜂窩網(wǎng)絡時遇到的三大挑戰(zhàn)。

GaN 可移動？

在手機中使用 GaN 只是時間問題。智能手機制造商將需要使用 GaN 來實現(xiàn) 5G 所需的更高毫米波 (mmWave) 頻率，而其所面臨的挑戰(zhàn)就是在更低的電壓水平下運行 GaN。雷達、基站和有線電視應用的典型工作電壓范圍為 28 至 48 V。但是，手持式設備的平均電壓范圍為 2.7 至 5 V。我們已經在開發(fā)新的工藝技術和封裝技術，以便在上述低壓范圍內運行 GaN。

最后，談及 mmWave 時，GaN 將在功率大小和效率方面明顯優(yōu)于當今的技術。我們預計將在二十一世紀二十年代初期至中期看到 mmWave 應用于移動設備中。

屆時，就靠 GaN 了！