電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD（肖特基二極管）的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5，該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。

圖源：英飛凌

在功率晶體管中集成SBD的做法，此前在SiC MOSFET中，業(yè)界有不少的研究。三菱在2013年提出了集成SBD的SiC MOSFET相關專利，并在2023年推出采用這種新型器件的SiC功率模塊。

為什么要將SBD集成到SiC MOSFET？MOSFET結構中源極（Source）與漏極（Drain）之間的PN結會自然形成體二極管，作為MOSFET結構的副產(chǎn)物，通過合理設計可以為MOSFET提供保護，提高可靠性。但體二極管的反向恢復特性較差，以及體二極管的長時間導通引起的可靠性問題，在實際應用中往往會在外部反向并聯(lián)SBD作為續(xù)流通道。

但為了提高集成度，以及避免引入更多寄生電容電感，所以將SBD集成到SiC MOSFET中成為一個方向。

圖源：英飛凌

那么對于GaN FET而言，英飛凌介紹，在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD）較大，基于GaN的拓撲結構可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設計工程師通常需要將外部肖特基二極管與GaN晶體管并聯(lián)，或者通過控制器縮短死區(qū)時間。然而，無論哪種方法都需耗費額外的精力、時間和成本。

因此將SBD集成到GaN 晶體管中就能顯著解決這些問題。由于缺乏體二極管，GaN晶體管的反向傳導電壓（VRC）取決于閾值電壓（VTH）和關斷態(tài)下的柵極偏置偏壓（VGS）。此外，GaN晶體管的VTH 通常高于硅二極管的導通電壓，這就導致了反向傳導工作（也稱為第三象限）期間的劣勢。因此，采用這種新型CoolGaN晶體管后，反向傳導損耗降低，能與更多高邊柵極驅(qū)動器兼容，且由于死區(qū)時間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡化設計。

據(jù)英飛凌介紹，首款集成SBD的GaN FET是一款100V 1.5mΩ，E-Mode常閉型，采用3 x 5 mm PQFN封裝的產(chǎn)品，適用于數(shù)據(jù)中心IBC、電機驅(qū)動、DC-DC、充電器等應用。

隨著功率電子系統(tǒng)的高效化、小型化與智能化趨勢，功率器件的集成化正在進一步加速落地。三菱在去年已經(jīng)向市場推出了3kV SBD嵌入式SiC MOSFET模塊，而英飛凌集成SBD的GaN晶體管，目前也開始提供工程樣品，相信未來將會繼續(xù)出現(xiàn)更多新型的器件。