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揭秘推拉力測(cè)試機(jī):如何助力于IGBT功率模塊封裝測(cè)試?

科準(zhǔn)測(cè)控 ? 來(lái)源:科準(zhǔn)測(cè)控 ? 作者:科準(zhǔn)測(cè)控 ? 2025-05-14 11:29 ? 次閱讀
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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管功率模塊廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)變頻等領(lǐng)域,其封裝可靠性直接影響模塊的性能和壽命。在封裝工藝中,焊接強(qiáng)度、引線鍵合質(zhì)量、端子結(jié)合力等關(guān)鍵參數(shù)需要通過(guò)精密測(cè)試來(lái)驗(yàn)證。
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Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)作為一種高精度的力學(xué)測(cè)試設(shè)備,可有效評(píng)估IGBT模塊的封裝可靠性,確保產(chǎn)品符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將詳細(xì)介紹IGBT功率模塊封裝測(cè)試的原理、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)試設(shè)備及操作流程,為工程師提供實(shí)用的測(cè)試參考。

一、測(cè)試原理

IGBT功率模塊的封裝測(cè)試主要關(guān)注以下幾個(gè)方面:

焊接強(qiáng)度測(cè)試:評(píng)估芯片與基板(如DBC)之間的焊接層是否滿足機(jī)械強(qiáng)度要求。

引線鍵合測(cè)試:測(cè)量鍵合線(如鋁線、銅線)與芯片或端子的結(jié)合力,防止因鍵合不良導(dǎo)致失效。

端子結(jié)合力測(cè)試:檢測(cè)模塊外部端子與基板的連接強(qiáng)度,確保在振動(dòng)或熱循環(huán)條件下不發(fā)生脫落。

推拉力測(cè)試機(jī)通過(guò)施加垂直方向的拉力(Pull Test)或水平方向的推力(Shear Test),測(cè)量破壞力值,從而評(píng)估封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。

二、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

MIL-STD-883(美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)):規(guī)定鍵合強(qiáng)度的測(cè)試方法及合格判據(jù)。

JESD22-B104(JEDEC標(biāo)準(zhǔn)):針對(duì)電子器件的機(jī)械強(qiáng)度測(cè)試規(guī)范。

IPC-9701:評(píng)估電子組裝件的機(jī)械可靠性,包括焊接和鍵合強(qiáng)度。

三、測(cè)試設(shè)備和工具

1、Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)
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A、設(shè)備特點(diǎn)

a、高精度力傳感器:量程可達(dá)500N,分辨率0.01N,滿足微焊點(diǎn)與粗端子測(cè)試需求。

b、多功能測(cè)試模式:支持拉力、推力、剝離力等多種測(cè)試方式。

c、自動(dòng)化操作:配備高清顯微鏡和軟件控制,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)定位與數(shù)據(jù)記錄。

2、推刀或鉤針
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3、常用工裝夾具
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四、測(cè)試流程

步驟一、測(cè)試前準(zhǔn)備

1、設(shè)備檢查

確認(rèn)Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)電源連接正常,力傳感器校準(zhǔn)有效(校準(zhǔn)周期建議≤6個(gè)月)。

檢查測(cè)試機(jī)夾具(鉤針、推刀、夾持治具)無(wú)磨損,確保與樣品接觸部位清潔。

啟動(dòng)配套軟件,選擇對(duì)應(yīng)測(cè)試程序。

2、樣品預(yù)處理

清潔:用無(wú)水乙醇擦拭IGBT模塊表面,去除氧化層或污染物(尤其鍵合線、焊點(diǎn)區(qū)域)。

固定:將模塊放置在測(cè)試平臺(tái),使用真空吸附或?qū)S脢A具固定,避免測(cè)試時(shí)位移(示例:扭矩≤0.5N·m)。

顯微鏡校準(zhǔn):通過(guò)20~50倍光學(xué)顯微鏡定位測(cè)試點(diǎn),調(diào)整焦距至鍵合線/焊點(diǎn)清晰可見(jiàn)。

步驟二、鍵合拉力測(cè)試(Wire Pull Test)

1、 參數(shù)設(shè)置
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2、操作步驟

a、鉤針定位

移動(dòng)鉤針至鍵合線弧頂正下方,確保鉤針與線材呈90°垂直(誤差≤±2°)。

軟件微調(diào)Z軸高度,使鉤針輕微接觸鍵合線(預(yù)緊力≤0.01N)。

b、執(zhí)行測(cè)試

啟動(dòng)測(cè)試程序,鉤針以恒定速度向上拉伸,實(shí)時(shí)顯示力-位移曲線(圖1)。

當(dāng)曲線出現(xiàn)峰值后驟降(鍵合線斷裂或脫落),設(shè)備自動(dòng)停止并記錄最大拉力值

C、失效分析

合格:斷裂位置在鍵合線中間(非界面),且F max ≥0.3N(鋁線標(biāo)準(zhǔn))。

不合格:界面脫落或F max <0.15N,需排查鍵合工藝(如超聲能量、壓力參數(shù))。

步驟三、焊接剪切測(cè)試(Die Shear Test)

1、參數(shù)設(shè)置
image.png

2、操作步驟

a、推刀對(duì)準(zhǔn)

將推刀移至芯片邊緣,調(diào)整高度至與DBC基板間隙50μm。

推刀與芯片邊緣平行度誤差≤0.1°。

b、執(zhí)行剪切

啟動(dòng)測(cè)試,推刀水平推進(jìn)直至芯片剝離,記錄最大剪切力(F shear )。

計(jì)算剪切強(qiáng)度:σ=F shear /A(A為芯片焊層面積)。

C、結(jié)果判定

合格:σ≥30MPa(SnAgCu焊料標(biāo)準(zhǔn)),且失效模式為焊層內(nèi)聚斷裂。

不合格:界面分離或σ<20MPa,需檢查回流焊溫度曲線或焊膏活性。

步驟四、數(shù)據(jù)記錄與報(bào)告

1、統(tǒng)計(jì)分析

計(jì)算同一批次樣品的均值、標(biāo)準(zhǔn)差、CPK(過(guò)程能力指數(shù))。

2、報(bào)告輸出

生成PDF報(bào)告,附測(cè)試曲線、失效位置照片及判定結(jié)論(模板見(jiàn)附錄A)。

以上就是小編介紹的有關(guān)于IGBT功率模塊封裝測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容了,希望可以給大家?guī)?lái)幫助。如果您還對(duì)IGBT功率模塊封裝測(cè)試圖片、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、測(cè)試方法和測(cè)試原理,推拉力測(cè)試機(jī)怎么使用視頻和圖解,使用步驟及注意事項(xiàng)、作業(yè)指導(dǎo)書,原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻,推拉力測(cè)試儀操作規(guī)范、使用方法和測(cè)試視頻,焊接強(qiáng)度測(cè)試儀使用方法和鍵合拉力測(cè)試儀等問(wèn)題感興趣,歡迎關(guān)注我們,也可以給我們私信和留言。【科準(zhǔn)測(cè)控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測(cè)試機(jī)在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點(diǎn)、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問(wèn)題及解決方案。

審核編輯 黃宇

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