UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21739-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和吸收電流。

輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離，支持高達(dá) 636VRMS 的工作電壓、6kVPK 浪涌抗擾度基本隔離，隔離柵壽命超過 40 年，并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。
*附件：ucc21739-q1.pdf

UCC21739-Q1 包括最先進(jìn)的保護(hù)功能，例如快速過流和短路檢測(cè)、分流電流傳感支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位以及輸入和輸出側(cè)電源 UVLO，以優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性。隔離式模擬轉(zhuǎn) PWM 傳感器可用于更輕松地進(jìn)行溫度或電壓傳感，進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)器的多功能性，并簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。

特性

• 3kVRMS 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 3A
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C3
• 高達(dá) 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓 （VDD-VEE）
• ±10A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和分離輸出
• 最小 CMTI 為 150V/ns
• 270ns 響應(yīng)時(shí)間快速過流保護(hù)
• 外部主動(dòng)米勒夾具
• 發(fā)生故障時(shí)內(nèi)部 2 級(jí)關(guān)斷
• 帶 PWM 輸出的隔離模擬傳感器，用于
  • 使用 NTC、PTC 或熱敏二極管進(jìn)行溫度傳感
  • 高壓 DC-Link 或相電壓
• FLT 過流報(bào)警，并從 RST/EN 復(fù)位
• RST/EN 上的快速啟用/禁用響應(yīng)
• 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
• 12V VDD UVLO，RDY 上電源正常
• 具有過沖/下沖瞬態(tài)電壓的輸入/輸出抗擾度高達(dá) 5V
• 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/部件偏移
• SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙距離> 8mm
• 工作結(jié)溫 –40°C 至 150°C

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC-Q是一款專為SiC MOSFETs和IGBTs設(shè)計(jì)的汽車級(jí)A源/漏隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，支持高達(dá)V DC的操作電壓，并具有先進(jìn)的保護(hù)功能和隔離模擬傳感功能。

二、主要特性

• ?高隔離電壓?：kV RMS單通道隔離，適用于高電壓應(yīng)用。
• ?寬溫度范圍?：-°C至+°C的AEC-Q認(rèn)證，適用于汽車電子應(yīng)用。
• ?高輸出驅(qū)動(dòng)能力?：±A峰值源和漏電流，支持高達(dá)V的最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓（VDD-VEE）。
• ?先進(jìn)保護(hù)功能?：包括快速過流和短路檢測(cè)、分流電流傳感支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源欠壓鎖定（UVLO）等。
• ?隔離模擬傳感?：集成的隔離模擬到PWM傳感器，簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提高系統(tǒng)可靠性。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• HEV/EV牽引逆變器
• 車載充電器和充電樁
• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
• 太陽能逆變器
• 工業(yè)電源供應(yīng)

四、功能描述

• ?有源米勒鉗位?：防止因Miller效應(yīng)引起的虛假導(dǎo)通，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
• ?過流和短路保護(hù)?：快速檢測(cè)并保護(hù)SiC MOSFETs和IGBTs免受損壞。
• ?UVLO保護(hù)?：輸入和輸出側(cè)電源均具備UVLO保護(hù)功能，確保在電壓不足時(shí)關(guān)閉輸出。
• ?隔離模擬到PWM傳感?：允許隔離的溫度檢測(cè)、高壓直流母線電壓檢測(cè)等，簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
• ?級(jí)關(guān)斷?：在過流和短路故障時(shí)，通過兩級(jí)關(guān)斷減少能量耗散，防止功率半導(dǎo)體過壓擊穿。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC-Q在IGBT模塊半橋電路中的典型應(yīng)用，包括設(shè)計(jì)要求、詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟、輸入濾波器設(shè)計(jì)、PWM互鎖、FLT/RDY/RST/EN引腳電路、外部有源米勒鉗位、過流和短路保護(hù)、隔離模擬信號(hào)傳感等。

六、電源推薦

• ? 輸入供電電壓（VCC） ?：推薦范圍為V至.V，需使用≥μF的電容旁路至GND。
• ? 輸出供電電壓（VDD/VEE） ?：推薦范圍為V至V，需使用≥μF的電容旁路至COM。

七、布局指南

• ?驅(qū)動(dòng)器位置?：應(yīng)盡可能靠近功率半導(dǎo)體，以減少寄生電感。
• ?電容放置?：旁路電容應(yīng)盡可能靠近VCC、VCC、VDD和VEE引腳放置。
• ?隔離保護(hù)?：確保隔離屏障區(qū)域的PCB設(shè)計(jì)不會(huì)降低隔離性能，避免在隔離屏障下方放置PCB走線或銅層。
• ?接地平面?：使用接地平面屏蔽輸入信號(hào)，減少高頻噪聲干擾。