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中國力推半導(dǎo)體國產(chǎn)化,2018年底或?qū)㈤_始提供三維NAND閃存芯片

ICExpo ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-04-17 09:50 ? 次閱讀
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日媒稱,中國正式推進(jìn)設(shè)備投資加快半導(dǎo)體國產(chǎn)化,2018年底或?qū)㈤_始提供三維NAND閃存芯片。

據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》4月12日報(bào)道,半導(dǎo)體公司愛德萬測試公司的一位負(fù)責(zé)人不無驚訝地表示:“兩三年前還是無法相信研發(fā)能順利進(jìn)行,現(xiàn)在卻大不相同了?!彼f的是中國國有半導(dǎo)體公司紫光集團(tuán)旗下的長江存儲科技公司。該公司正在武漢推進(jìn)三維NAND閃存芯片批量生產(chǎn)項(xiàng)目。據(jù)稱,這個(gè)批量生產(chǎn)項(xiàng)目在2018年底至2019年將實(shí)現(xiàn)急速發(fā)展。

報(bào)道稱,三維NAND閃存芯片可用作智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心的記憶裝置。它的單位記憶容量高于傳統(tǒng)平面產(chǎn)品。

報(bào)道稱,中國政府2015年提出“中國制造2025”,鼓勵(lì)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。中國在制造電子設(shè)備方面占有較高份額,半導(dǎo)體是最大的進(jìn)口品種。為改善貿(mào)易收支,必須提高半導(dǎo)體自給率。

國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織預(yù)測,2018年中國的半導(dǎo)體制造裝置市場規(guī)模將達(dá)113億美元,比前一年增加40%。

據(jù)報(bào)道,由于智能手機(jī)需求下降,NAND目前行情疲軟。不過,年初向來是需求下降的時(shí)期。很多人認(rèn)為,為迎接年底促銷,各公司2018年夏季將開始采購智能手機(jī)零件,屆時(shí)可能再次出現(xiàn)NAND短缺的情況。

報(bào)道稱,今后會怎么樣呢?IHS馬基特公司首席分析師南川明表示:“2020年以后的NAND供需將取決于長江存儲科技公司?!比绻麑⒃摴镜乃杏?jì)劃考慮進(jìn)去,那么2021年將出現(xiàn)供大于求的情況。從2019年到2021年,容量為256G的NAND價(jià)格預(yù)計(jì)將以年均20%至30%的幅度下降。

據(jù)報(bào)道,不少人認(rèn)為,長江存儲科技公司目前僅提供低端產(chǎn)品。確保技術(shù)人才供應(yīng)等課題尚未解決。

但報(bào)道認(rèn)為,在中小型液晶屏市場,中國企業(yè)最初也是通過向中國的智能手機(jī)制造商提供低端產(chǎn)品而不斷提高市場份額的。日韓制造商占據(jù)優(yōu)勢的高端精細(xì)產(chǎn)品與中國產(chǎn)品的價(jià)格差距已縮小至10%左右。

報(bào)道稱,在供應(yīng)和需求方面,中國掌握價(jià)格主導(dǎo)權(quán)的時(shí)代或?qū)砼R。

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原文標(biāo)題:中國力推半導(dǎo)體國產(chǎn)化 未來或?qū)⒄莆諆r(jià)格主導(dǎo)權(quán)

文章出處:【微信號:ic-china,微信公眾號:ICExpo】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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