LM5114 設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)升壓型配置中的低側(cè) MOSFET 或驅(qū)動(dòng) 隔離拓?fù)渲械拇渭?jí)同步 MOSFET。具有強(qiáng)大的灌電流能力， LM5114 可以并聯(lián)驅(qū)動(dòng)多個(gè) FET。LM5114 還具有驅(qū)動(dòng)所需的功能 低側(cè)增強(qiáng)模式 氮化鎵 （GaN） FET。LM5114 提供反相和 同相輸入，滿足單個(gè)反相和同相柵極驅(qū)動(dòng)要求 設(shè)備類型。LM5114 的輸入與 TTL/CMOS 邏輯兼容，可承受輸入電壓 到 14 V，與 VDD 電壓無關(guān)。LM5114 具有分離柵極輸出，可靈活地實(shí)現(xiàn) 單獨(dú)調(diào)整 Turnon 和 Turning Off 強(qiáng)度。LM5114 具有快速開關(guān)速度和 最小化了傳播延遲，促進(jìn)了高頻作。LM5114 采用 6 引腳 SOT-23 封裝和 6 引腳 WSON 封裝，帶有外露焊盤以幫助散熱。
*附件：lm5114.pdf

特性

• 獨(dú)立的源電流和灌電流輸出，可實(shí)現(xiàn)
  可控的上升和下降時(shí)間
• 4V 至 12.6V 單電源
• 7.6A/1.3A 峰值灌電流和拉電流驅(qū)動(dòng)電流
• 0.23-Ω 開漏下拉灌電流輸出
• 2 Ω 漏極開路上拉源輸出
• 12ns（典型值）傳播延遲
• 反相和
  同相輸入之間的匹配延遲時(shí)間
• TTL/CMOS 邏輯輸入
• 0.68V 輸入遲滯
• 高達(dá) 14V 的邏輯輸入（與 VDD 電壓無關(guān)）
• 低輸入電容：2.5pF（典型值）
• –40°C 至 125°C 工作溫度范圍
• 與 MAX5048 引腳對(duì)引腳兼容
• 6 引腳 SOT-23 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：LM
• ?類型?：?jiǎn)瓮ǖ?A峰值電流低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
• ?特點(diǎn)?：
  • 獨(dú)立源和沉輸出，適用于升壓配置或隔離拓?fù)渲械拇渭?jí)同步MOSFET驅(qū)動(dòng)
  • .A峰值沉電流和.A峰值源電流能力
  • TTL/CMOS兼容邏輯輸入，可承受高達(dá)V的輸入電壓
  • 分裂柵極輸出，可獨(dú)立調(diào)整開通和關(guān)斷強(qiáng)度
  • 2ns（典型值）傳播延遲
  • -0°C至5°C的工作溫度范圍
  • 提供SOT-和WSON封裝選項(xiàng)

二、應(yīng)用領(lǐng)域

• 升壓轉(zhuǎn)換器
• 反激和正激轉(zhuǎn)換器
• 隔離拓?fù)渲械拇渭?jí)同步FET驅(qū)動(dòng)
• 電機(jī)控制

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：柵極驅(qū)動(dòng)供電
• ?VSS?：地，所有信號(hào)參考此引腳
• ?IN?：非反相邏輯輸入，未使用時(shí)連接到VDD
• ?INB?：反相邏輯輸入，未使用時(shí)連接到VSS
• ?P_OUT?：源電流輸出，連接到MOSFET柵極
• ?N_OUT?：沉電流輸出，連接到MOSFET柵極
• ?UVLO?：欠壓鎖定功能，當(dāng)VDD低于閾值時(shí)禁用輸出

四、電氣特性

• ?VDD工作范圍?：V至.V
• ?輸入閾值?：
  • VIN_H（輸入高閾值）：LM4A為.7×VDD，LM4B為.V
  • VIN_L（輸入低閾值）：LM4A為.3×VDD，LM4B為.V
  • 輸入滯回：LM4A為.8V，LMB為0.V
• ?輸出特性?：
  • 峰值源電流：.A
  • 峰值沉電流：.A
  • 輸出泄漏電流：N_OUT為微安級(jí)，P_OUT為微安級(jí)
• ?傳播延遲?：
  • 開通傳播延遲：LMA為0ns（典型值），LM4B為ns（典型值）
  • 關(guān)斷傳播延遲：LMA為0ns（典型值），LM4B為ns（典型值）

五、保護(hù)功能

• ?UVLO?：欠壓鎖定功能，當(dāng)VDD電壓低于UVLO閾值時(shí)，輸出被關(guān)斷以防止不正常工作。

六、典型應(yīng)用

• 提供了升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的典型應(yīng)用電路，使用LM4驅(qū)動(dòng)0V增強(qiáng)型GaN FET。
• 詳細(xì)描述了設(shè)計(jì)要求和設(shè)計(jì)過程，包括功率耗散計(jì)算、柵極驅(qū)動(dòng)電阻選擇等。

七、布局指南

• 推薦將驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近MOSFET放置，以最小化柵極驅(qū)動(dòng)回路的電感。
• 推薦在VDD和VSS之間放置低ESR/ESL陶瓷電容器，以支持FET開通時(shí)的高峰值電流。
• 提供了布局示例，展示了如何優(yōu)化PCB布局以減少噪聲和提高性能。

八、文檔與支持

• 提供了相關(guān)技術(shù)文檔、工具、軟件和社區(qū)資源的鏈接。
• 提供了靜電放電警示和術(shù)語表。