電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）在SiC行業(yè)逐步進入8英寸時代后，業(yè)界并沒有停下腳步，開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。

去年11月，天岳先進率先出手，發(fā)布了行業(yè)首款12英寸碳化硅襯底；一個月后，爍科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底；今年三月，天科合達、晶盛機電等也展出了其12英寸SiC襯底；最近，南砂晶圓公開展示了12英寸導電型SiC襯底，國內12英寸SiC又添一名新玩家。

為什么要12英寸？

正如硅晶圓從6英寸到8英寸，再到如今的12英寸，SiC襯底尺寸從8英寸升級至12英寸也是行業(yè)的重要趨勢，核心目的只有一個，那就是提高器件生產效率以降低成本。

12英寸SiC襯底相比8英寸，能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產量。在同等生產條件下，顯著提升產量，降低單位成本，進一步提升經濟效益，為碳化硅材料的更大規(guī)模應用提供可能。

更大的晶圓尺寸，意味著單片晶圓所能夠制造的芯片數量更多，晶圓邊緣的浪費減少，單芯片成本降低。Wolfspeed的報告顯示，以32mm為例，8英寸晶圓上的裸片數量相比6英寸增加近90%，同時邊緣裸片數量占比從14%降低至7%，也就是說8英寸晶圓利用率相比6英寸提升了7個百分點。

從產能提升的角度，12英寸晶圓表面積是8英寸的1.75倍，理想情況下，不考慮良率時，12英寸晶圓能夠產出的32mm2面積裸片數量，是8英寸的兩倍以上。由于邊緣弧度更大，在產出小面積裸片時，12英寸的晶圓利用率還會進一步提高。

盡管當前SiC器件大量產線能仍停留在6英寸，并且成本經過近幾年的上游材料產能擴張，以及下游需求端增速開始逐步放緩，實際上SiC器件的價格已經大幅下降。

那么更大尺寸的襯底是不是沒有意義了？也不是，升級12英寸對于SiC產業(yè)而言仍是有重要的戰(zhàn)略意義的。一方面，由于產能的大幅提升，可以顯著降低成本，同時產線的復雜度不會產生太大變化，對于企業(yè)運營來說，有效降本能增加利潤空間，且先發(fā)者會有更大的優(yōu)勢；其次，12英寸襯底對工藝要求更高，能夠推動設備的升級，能夠一定程度提高器件性能和良率。

設備和工藝上的難點

最近，隨著上游的襯底廠商紛紛展出12英寸SiC襯底，給產業(yè)鏈帶來了信號，中游的設備廠商也在加快相關12英寸SiC的產線設備研發(fā)，我們也注意到，今年以來已經有不少廠商推出了針對12英寸SiC制造的設備。

比如，大尺寸會帶來新的工藝控制難題，12英寸襯底尺寸增大后，切割過程中熱應力分布更復雜，厚度偏差可能導致后續(xù)器件性能不穩(wěn)定；切割后表面粗糙度需達到納米級，對化學機械拋光（CMP）工藝提出更高要求。
此前西湖大學孵化的西湖儀器成功實現12英寸碳化硅襯底激光剝離自動化解決方案，實現了碳化硅晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程的自動化，解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題，大幅降低損耗，提升加工速度，推進了碳化硅行業(yè)的降本增效。

此外，天晶智能、大族半導體等都推出了針對12英寸SiC的多線切割機產品。

在長晶方面，更大尺寸的SiC也面臨很多難題，比如熱場均勻性控制，在使用物理氣相傳輸法PVT生長碳化硅時，12英寸晶圓需要更大的石墨坩堝和更高的溫度。溫度梯度不均會導致晶格缺陷（如微管、位錯）增加，且熱應力易引發(fā)晶體開裂。

又比如在晶體尺寸增大時，雜質擴散和界面不穩(wěn)定易導致缺陷密度上升，如何做好缺陷密度控制也需要設備的參數調整。

針對晶體生長，目前國內晶馳機電、山西天成、山東力冠都已經宣布推出12英寸SiC長晶爐設備。

小結：

作為降本的關鍵，目前產業(yè)鏈企業(yè)都開始積極投入12英寸SiC的開發(fā)中，但總體對于產業(yè)鏈而言還處于起步階段。目前8英寸的產線才剛剛開始進入規(guī)模量產階段，晶圓制造側的8英寸產線目前市場上的保有量和產能還有很大的提升空間。從過去8英寸從首次亮相到真正量產用了7年多時間來看，相信碳化硅從8英寸切換到12英寸，中間還需要很長一段時間。