Analog Devices Inc. ADRF5534射頻前端多芯片模塊設(shè)計(jì)用于時(shí)分雙工(TDD) 應(yīng)用，工作頻率范圍為3.1GHz至4.2GHz。這些多芯片模塊配置有LNA和大功率硅SPDT開(kāi)關(guān)。LNA在接收操作中具有1.3dB低噪聲系數(shù) (NF)，35.5dB高增益和?4dBm三階輸入截取點(diǎn) (IIP3)。該開(kāi)關(guān)具有0.8dB低插入損耗，可處理37dBm長(zhǎng)期演進(jìn) (LTE) 平均功率，從而在發(fā)射操作中實(shí)現(xiàn)完整的使用壽命。ADRF5534射頻前端多芯片模塊非常適合用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、基于TDD的通信系統(tǒng)以及TDD大規(guī)模多輸入和多輸出 (MIMO) 和有源天線系統(tǒng)。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Analog Devices Inc. ADRF5354射頻前端多芯片模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 集成射頻前端：
• LNA和大功率硅SPDT開(kāi)關(guān)
• 片上偏置和匹配
• 單電源運(yùn)行
• 增益：35.5dB（3.6GHz時(shí)，典型值）
• 增益平坦度（25°C、400MHz帶寬時(shí)）：1.5dB
• 低噪聲：1.3dB（3.6GHz時(shí)，典型值）
• 低插入損耗：0.8dB（3.6GHz時(shí)，典型值）
• 正邏輯控制
• 5mm ×3mm、24-引線LFCSP封裝
• TCASE = 105°C時(shí)具有高功率處理能力
  • 整個(gè)生命周期
    • LTE平均數(shù)功率 (8dB PAR)：37dBm
  • 單一事件（<10秒運(yùn)行）
    • LTE平均數(shù)功率 (8dB PAR)：39dBm
• 高輸入IP3 : -4dBm
• 低電源電流：
  • 120mA典型接收操作@ 5V
  • 15mA典型發(fā)射操作@ 5V

應(yīng)用

• 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
• TDD大規(guī)模多輸入和多輸出 (MIMO) 以及有源天線系統(tǒng)
• 基于TDD的通信系統(tǒng)

框圖

外形尺寸