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理論進光率100%!CMOS迎來巨大突破

Felix分析 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:吳子鵬 ? 2025-06-24 00:13 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)受限于光學(xué)分光機制與材料特性,硅圖像傳感器(CMOS)中每個像素僅能接收到約三分之一的可用光。光接收量與信號強度呈線性正相關(guān),因此傳統(tǒng)硅圖像傳感器常需通過延長曝光時間或提高 ISO 增益進行補償。近日,瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院(ETH Zurich)與瑞士聯(lián)邦材料科學(xué)與技術(shù)研究所(Empa)聯(lián)合研發(fā)的鈣鈦礦圖像傳感器,成為材料科學(xué)與光電技術(shù)領(lǐng)域的一項重大突破,相關(guān)成果已發(fā)表于《自然》雜志。

硅圖像傳感器的性能瓶頸

硅圖像傳感器作為當(dāng)前主流成像技術(shù)的核心,其性能受材料物理特性、器件結(jié)構(gòu)及工藝制程的限制。

硅基 CMOS 傳感器普遍采用拜耳濾光片陣列(Bayer Filter Array)實現(xiàn)彩色成像。在該結(jié)構(gòu)中,每個像素被紅(R)、綠(G)、藍(B)三色濾光片周期性覆蓋,通常比例為 2 綠:1 紅:1 藍。光線入射時,每個像素僅能通過對應(yīng)顏色的濾光片吸收特定波長的光,其他波長的光(如紅光像素會阻擋綠光和藍光)被濾光片吸收或反射,造成能量損失。這種設(shè)計使得每個像素的光利用率理論上限為 33%,但實際因濾光片吸收率、光散射和電路結(jié)構(gòu)遮擋,有效光利用率更低。

同時,硅材料的光學(xué)特性存在局限。硅的帶隙約為 1.1eV,光吸收范圍主要集中在可見光波段(波長 < 1100nm)。盡管硅對可見光的吸收效率較高,但濾光片的分光機制使每個像素僅能利用特定波長的光,無法實現(xiàn)全光譜吸收。此外,硅傳感器的前照式結(jié)構(gòu)(FSI)中,光電二極管位于電路晶體管下方,金屬布線和微透鏡會進一步阻擋入射光,增加光損失。

由于每個像素僅記錄單一顏色信息,硅傳感器需通過去馬賽克算法(Demosaicing)插值估算缺失的色彩數(shù)據(jù),這一過程可能引入噪點和細節(jié)模糊。為補償光損失,傳感器提高增益或延長曝光時間,會加劇暗電流噪聲和動態(tài)范圍壓縮。此外,濾光片分光還可能導(dǎo)致摩爾紋(Moiré Pattern)和色彩串?dāng)_(Cross-Talk),降低成像質(zhì)量。

鈣鈦礦傳感器的顛覆性突破

為克服硅圖像傳感器的性能瓶頸,蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院(ETH Zurich)和瑞士聯(lián)邦材料科學(xué)與技術(shù)研究所(Empa)的 Maksym Kovalenko 及其團隊研發(fā)出新型鈣鈦礦基圖像傳感器。

瑞士團隊通過垂直堆疊不同帶隙的鈣鈦礦層,徹底重構(gòu)了彩色成像機制。光線可依次穿透各層,紅光被底層吸收,綠光被中層吸收,藍光被頂層吸收。這種設(shè)計使每個像素可同時捕獲紅、綠、藍三色光,無需濾光片,理論上光利用率可達硅傳感器的 3 倍,光利用率理論上限為 100%。

實驗顯示,鈣鈦礦傳感器的紅、綠、藍通道外量子效率(EQE)分別達 50%、47% 和 53%,顯著優(yōu)于硅傳感器的濾光片方案。由于無需去馬賽克算法,鈣鈦礦傳感器從硬件層面消除了摩爾紋和色彩偏差,色彩準(zhǔn)確度(ΔELab)優(yōu)于傳統(tǒng)濾光片陣列和 Foveon 型傳感器。此外,鈣鈦礦的高吸收系數(shù)(比硅高 1 - 2 個數(shù)量級)使其在弱光環(huán)境下仍能保持高靈敏度,暗電流噪聲和信噪比表現(xiàn)優(yōu)異。

另外,鈣鈦礦傳感器提供 “硬件原生高質(zhì)量數(shù)據(jù)”,可省去大部分后端算法優(yōu)化,重構(gòu)產(chǎn)業(yè)成本模型。

鈣鈦礦傳感器的落地挑戰(zhàn)

不過,鈣鈦礦傳感器也面臨諸多落地難題。鈣鈦礦材料對濕度、氧氣、溫度和光照極為敏感,水分子易滲透鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu),導(dǎo)致晶格畸變和離子遷移,引發(fā)光電性能衰減,甚至分解為鉛鹽和有機胺。鈣鈦礦中的有機陽離子和鹵素離子在電場或光照下易發(fā)生遷移,導(dǎo)致像素間的串?dāng)_、暗電流增大和信號漂移,直接影響圖像的信噪比(SNR)和動態(tài)范圍(DR),在高分辨率傳感器中,像素尺寸縮小會加劇離子遷移的影響,導(dǎo)致圖像失真。

此外,硅基圖像傳感器依賴成熟的半導(dǎo)體光刻、薄膜沉積工藝,可實現(xiàn)納米級精度的像素陣列制備。而鈣鈦礦薄膜常用溶液法制備,實現(xiàn)大面積均勻結(jié)晶難度極大。如何在不損傷現(xiàn)有 CMOS 電路的前提下制備鈣鈦礦層,以及實現(xiàn)高密度像素的精準(zhǔn)對位,仍是工程化應(yīng)用中的關(guān)鍵難題。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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