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DDR4已經(jīng)OUT Cadence宣布DDR5全新進展

jXID_bandaotigu ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-05-11 11:48 ? 次閱讀
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DDR4內(nèi)存目前還是絕對主流,不斷被深入挖潛,頻率已經(jīng)突破5GHz,不過下一代DDR5也已經(jīng)蠢蠢欲動了。Cadence公司今天就宣布了DDR5的全新進展,無論工藝還是頻率都相當領先。

目前,JEDEC標準組織正在研究下一代DDR5內(nèi)存規(guī)范,已經(jīng)有了初步版本,Cadence此番拿出的就是面向新規(guī)范的第一個DDR5 IP物理層接口芯片。

該測試芯片采用臺積電7nm工藝制造,數(shù)據(jù)率可達4400MT/s,也就是頻率高達4400MHz,相比目前商用最快的DDR4-3200快了多達37.5%。

為了支持Cadence DDR5 PHY物理層的驗證和協(xié)作,美光也向其提供了DDR5內(nèi)存初步版本的工程原型。

在此之前,Rambus也曾經(jīng)提到過7nm工藝下的DDR5 IP,并預計DDR5內(nèi)存要到2020年才會商用,首批自然還是服務器和數(shù)據(jù)中心,消費級就更靠后了。

值得一提的是,AMD曾保證說現(xiàn)在的AM4接口會一直支持到2020年,到時候極可能就會更換新接口,加入對DDR5的支持。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:飛一般的DDR5內(nèi)存來了!DDR4頓時泄氣

文章出處:【微信號:bandaotiguancha,微信公眾號:半導體觀察IC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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