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紫光國芯推出低功耗高性能PSRAM產(chǎn)品(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)

西安紫光國芯半導(dǎo)體 ? 來源:西安紫光國芯半導(dǎo)體 ? 2025-07-01 16:42 ? 次閱讀
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近日,紫光國芯自主研發(fā)的PSRAM(低功耗偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布,并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela,容量覆蓋32Mb,64Mb和128Mb,采用BGA24L超薄封裝,同時(shí)也支持KGD產(chǎn)品形式。該系列產(chǎn)品可為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、穿戴電子產(chǎn)品和端側(cè)AI產(chǎn)品打造高性能存儲(chǔ)解決方案。

紫光國芯 PSRAM產(chǎn)品在進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)芯片尺寸緊湊的同時(shí),將產(chǎn)品速度提升至1066Mbps,可實(shí)現(xiàn)最高17.06Gb/s的大帶寬性能,為客戶提供更高性價(jià)比的存儲(chǔ)方案。還可支持在線動(dòng)態(tài)可配置X8,X16模式,以高度適配不同應(yīng)用的需求。

為滿足物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備對長續(xù)航的嚴(yán)苛需求,紫光國芯PSRAM系列產(chǎn)品支持包括Half Sleep的低功耗設(shè)計(jì),主力產(chǎn)品支持常規(guī)1.8v低壓供電,即將上市的256Mb PSRAM新品可支持1.8v&1.2v雙壓和 1.2v DVFS0.6v 兩種超低功耗模式,為SoC客戶增強(qiáng)系統(tǒng)性能,獲得更久、更強(qiáng)勁的續(xù)航表現(xiàn)。

此外,基于工規(guī)級寬溫域的高可靠性設(shè)計(jì),該系列產(chǎn)品可適應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴等各類復(fù)雜應(yīng)用場景的多樣化需求。

企業(yè)級用戶可通過客服通道,獲取定制化解決方案與批量采購支持。

依托在存儲(chǔ)領(lǐng)域深厚的技術(shù)積淀和豐富的資源整合能力,紫光國芯通過持續(xù)創(chuàng)新與突破,不斷推出具有市場競爭力的存儲(chǔ)產(chǎn)品和前瞻性解決方案,并針對高速演進(jìn)的動(dòng)態(tài)市場需求提供定制化存儲(chǔ)解決方案。

未來,紫光國芯將持續(xù)創(chuàng)新、開放合作,攜手更多產(chǎn)業(yè)伙伴,共同推進(jìn)智能存儲(chǔ)技術(shù)演進(jìn),賦能AIoT時(shí)代的數(shù)字生態(tài)體系構(gòu)建。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:新品首發(fā)上線丨紫光國芯推出低功耗高性能PSRAM產(chǎn)品

文章出處:【微信號:gh_fb990360bfee,微信公眾號:西安紫光國芯半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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