隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電力電子技術(shù)的進(jìn)步，固態(tài)斷路器 (SSCB) 的性能持續(xù)提升。新型半導(dǎo)體材料（如碳化硅）提供了更高的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通損耗和更高的耐壓能力，從而提升了固態(tài)斷路器的效率和可靠性。

本次研討會(huì)將深入探討 SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的創(chuàng)新應(yīng)用，其核心亮點(diǎn)在于固態(tài)斷路器實(shí)現(xiàn)的超高速響應(yīng)——低于 1 微秒的響應(yīng)速度，這一數(shù)據(jù)比傳統(tǒng)電磁斷路器 (EMB) 快超過 1000 倍。研討會(huì)還會(huì)詳細(xì)解讀安森美（onsemi）SiC JFET 產(chǎn)品的使用壽命、智能控制能力、遠(yuǎn)程監(jiān)控及診斷功能等特性帶來的技術(shù)優(yōu)勢。通過詳盡的測試結(jié)果展示通過其低導(dǎo)通電阻、緊湊設(shè)計(jì)和高可靠性，從而顯著提升電力電路的安全性和效率。

研討會(huì)時(shí)間

2025/07/31 10:00

演講專家Chen Xi安森美高級現(xiàn)場應(yīng)用工程師

主要負(fù)責(zé)安森美功率器件應(yīng)用支持，參考方案設(shè)計(jì)以及推廣支持。有10余年的功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)工作經(jīng)驗(yàn)，擁有豐富的工業(yè)、消費(fèi)類以及汽車等領(lǐng)域的功率器件應(yīng)用設(shè)計(jì)及產(chǎn)品化經(jīng)驗(yàn)。

安森美SiC JFET 技術(shù)

安森美的EliteSiC共源共柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Cascode JFET）器件基于獨(dú)特的"共源共柵（Cascode）"電路配置——將常開型碳化硅JFET器件與硅MOSFET共同封裝，形成一個(gè)集成化的常閉型碳化硅FET器件。我們的碳化硅Cascode JFET能夠輕松、靈活地替代IGBT、超結(jié)MOSFET以及碳化硅MOSFET等任何器件類型。

安森美的集成式SiCCascode JFET因其低 RDS(ON)、低輸出電容和高可靠性等獨(dú)特優(yōu)勢，能夠提供卓越的性能。此外，碳化硅 Cascode JFET架構(gòu)使用標(biāo)準(zhǔn)硅基柵極驅(qū)動(dòng)器，簡化了從硅到碳化硅的過渡過程，可在現(xiàn)有設(shè)計(jì)中實(shí)施。因此，它為從硅到碳化硅的過渡提供了靈活性--實(shí)施簡單，同時(shí)得益于SiC技術(shù)而提供卓越的性能。

這些優(yōu)點(diǎn)幫助安森美的SiCCascode JFET 技術(shù)在其他技術(shù)無法企及的領(lǐng)域大放異彩。碳化硅JFET 的增強(qiáng)性能使其在用于人工智能數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能和直流快充等 AC-DC 電源單元中實(shí)現(xiàn)更高的效率。

隨著對更高功率密度和更緊湊外形需求的增加，安森美SiC Cascode JFET 能夠?qū)崿F(xiàn)更小、更輕和更低成本的終端設(shè)備。由于減少了對電感器和電容器等大體積無源元件的需求，有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。