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      氮化鎵GaN功率元件產(chǎn)業(yè)逐步發(fā)展

      kus1_iawbs2016 ? 來(lái)源：未知 ? 作者：胡薇 ? 2018-05-22 17:02 ? 次閱讀
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      2016年氮化鎵(GaN)功率元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為1,200萬(wàn)美元，研究機(jī)構(gòu)Yole Développemen研究顯示預(yù)計(jì)到2022年該市場(chǎng)將成長(zhǎng)到4.6億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)79%。包括LiDAR、無(wú)線功率和封包追蹤等應(yīng)用，尤其是高階低/中壓應(yīng)用，GaN技術(shù)是滿足其特定需求的唯一現(xiàn)有解決方案。

      雖然目前只有少數(shù)廠商展示商業(yè)化的GaN技術(shù)，但事實(shí)上已有許多公司投入GaN技術(shù)。因此，功率GaN供應(yīng)鏈逐步發(fā)展中，在2016~2017年期間，Yole分析師發(fā)現(xiàn)很多支持GaN元件開(kāi)發(fā)和商品化的投資。Yole將GaN電源供應(yīng)??鏈劃分為兩個(gè)主要模型：IDM和代工廠。

      目前的GaN元件市場(chǎng)主要由支持200V以下應(yīng)用的元件為主。預(yù)計(jì)600V元件將起飛并保持成長(zhǎng)。但是，當(dāng)GaN開(kāi)始取代不同應(yīng)用中的MOSFET并實(shí)現(xiàn)新的應(yīng)用時(shí)，200V以下元件的市場(chǎng)比重將再次增加，硅基GaN氮化鎵一直是一個(gè)有前途的解決方案，因?yàn)槠渑cCMOS制程的相容性和降低成本的潛力。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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      原文標(biāo)題：氮化鎵GaN功率元件產(chǎn)業(yè)逐漸起飛

      文章出處：【微信號(hào)：iawbs2016，微信公眾號(hào)：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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