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ACM8816 300W大功率單聲道數(shù)字功放IC、國內(nèi)首款氮化鎵音頻功率放大器

永阜康 ? 來源:永阜康 ? 作者:永阜康 ? 2025-07-21 15:05 ? 次閱讀
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D類音頻功率放大器以其高效性得到廣泛使用,主導了現(xiàn)代音頻領域。然而也有其局限性,當前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高,但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。

傳統(tǒng)的D類功放芯片是功率管采用于硅基晶體管(特別是MOSFET)。它們在實現(xiàn)D類放大器所需的快速開關速度和低導通電阻方面存在困難。隨著對更高頻率和電壓的需求增加,這些基于硅的設計會引入更多失真、更長的死區(qū)時間以及更高的功率損耗——所有這些因素都會降低放大器的整體音質(zhì)和效率。

硅基MOSFET的關鍵局限性之一是其體二極管的恢復速度較慢,這導致開關波形中出現(xiàn)過量的振鈴和過沖。這些效應不僅會降低音質(zhì),還會增加熱輸出。硅基MOSFET中的固有電容——例如輸出電容(Coss)——進一步加劇了這一問題,迫使設計人員為了防止過量的電磁干擾而降低開關速度。

氮化鎵是一種寬帶隙半導體,與硅相比具有多項固有的技術優(yōu)勢,它重新定義了功率電子的可能性。與硅相比,GaN具有多種固有優(yōu)勢,這些優(yōu)勢直接解決了傳統(tǒng)D類放大器的不足,解鎖了新的性能水平。簡單的說,氮化鎵開關器件相較于硅基晶體管應用于D類音頻功放中所帶來的優(yōu)勢主要有三點:整體效率更高;失真指標有所提升;開關波形更加清晰。

深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816,集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵,48V供電時,驅(qū)動到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率,QFN-48貼片封裝,不需要外接散熱器輔助散熱

概述

ACM8816是一款集成GaN HEMT的器件,高效、高性能具有I2S數(shù)字輸入的單聲道D類音頻放大器。外圍應用電路只需要很少的無源元件,能在4.5V至50V寬輸入電源工作。ACM8816集成7mΩRdson-GaN-HEMT,驅(qū)動到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率,而不需要散熱器。

ACM8816采用了一種新穎的PWM調(diào)制架構,在啟動階段調(diào)整PWM占空比,以避免啟動異常。擴頻技術提供較低的EMI輻射。

ACM8816內(nèi)置的先進音效調(diào)諧功能提供了一種高度集成的解決方案。它允許以高度獨立的操作打開/關閉每個模塊,前后BQ可編程特定頻段信號動態(tài)增強。此外,ACME專利的3+1頻段DRC具有峰值和RMS檢測功能,可實現(xiàn)靈活平坦的多頻段控制。

ACM8816集成ClassH控制功能,為提高電池供電系統(tǒng)的效率和降低功耗提供了一種新方案。

ACM8816采用QFN-48(9.0mm× 9.0mm)封裝。

ACM8816應用信息

1、ACM8816腳位定義圖

wKgZO2h95dWACH9rAADhH6bK2QA880.png

2、ACM8816管腳說明

wKgZPGh95eKAKn3eAAF2g9MS-Y8296.png

3、ACM8816 DEMO應用示意圖

wKgZPGh95euAS1WiAAEof_js1d8345.png

4、ACM8816 DEMO板PCB頂層設計圖

wKgZPGh95fWAJwC0AAJOqD4FyqE949.png

5、ACM8816 DEMO板PCB第二層設計圖

wKgZO2h95giAGIQPAAGxVmKh1h4502.png

6、ACM8816 DEMO板PCB第三層設計圖

wKgZO2h95heAUf97AAGNVcLoqME128.png

7、ACM8816 DEMO板PCB底層設計圖

wKgZPGh95iqAS0QnAAHLXP7MHo0762.png

8、ACM8816 DEMO板貼片圖

wKgZO2h95jiAE4JMAAF5Xx8rkwM044.png

9、ACM8816 DEMO板物料清單

wKgZPGh95kCAeIzOAAPR7qVTTEs371.png

10、ACM8816 DEMO板實物

wKgZPGh95keAdAIRAAGGDTCRppA039.png

審核編輯 黃宇

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