前情回顧

瑞薩RZ/G2L MPU的DDR配置（1）

2DDR3和DDR4的背景技術(shù)介紹

2.1DDR3

#DDR3作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預(yù)取架構(gòu)，即每個(gè)時(shí)鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量，這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。

在工作電壓方面，標(biāo)準(zhǔn)的DDR3工作電壓為1.5V，隨著技術(shù)的發(fā)展，衍生出了低電壓版本#DDR3L，其工作電壓降至1.35V 。DDR3的傳輸速率范圍廣泛，從早期的800Mbps到后期的1600Mbps甚至更高，能夠滿足不同性能需求的設(shè)備。

在內(nèi)存容量上，DDR3單顆芯片的容量不斷增大，從最初的幾百兆字節(jié)發(fā)展到數(shù)吉字節(jié)，支持更高的系統(tǒng)內(nèi)存配置。其應(yīng)用領(lǐng)域也十分廣泛，在早期的臺式機(jī)、筆記本電腦以及一些對性能要求不是極高的嵌入式設(shè)備中得到了大量應(yīng)用。

2.2DDR4

#DDR4是在DDR3基礎(chǔ)上發(fā)展而來的新一代內(nèi)存技術(shù)，帶來了多項(xiàng)顯著的性能提升。它采用了16n預(yù)取架構(gòu)，相比DDR3的8n預(yù)取，每個(gè)時(shí)鐘周期能夠傳輸更多的數(shù)據(jù)，理論上數(shù)據(jù)傳輸速率提升了一倍。

工作電壓進(jìn)一步降低至1.2V，這不僅使得DDR4的功耗大幅降低，同時(shí)也減少了發(fā)熱，提高了內(nèi)存的穩(wěn)定性和可靠性。在傳輸速率方面，DDR4起步速率就達(dá)到了2133Mbps，并且隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，速率還在持續(xù)提升，能夠滿足高端服務(wù)器、圖形工作站以及高性能嵌入式系統(tǒng)等對數(shù)據(jù)傳輸速度的極高要求。

DDR4在內(nèi)存容量上也實(shí)現(xiàn)了突破，單顆芯片的容量可以達(dá)到16GB甚至更高，為大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲和處理提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。其先進(jìn)的存儲架構(gòu)和電氣性能優(yōu)化，使得內(nèi)存的兼容性和穩(wěn)定性得到了進(jìn)一步提升。

2.3DDR3L

DDR3L是DDR3的低電壓版本，繼承了DDR3的大部分技術(shù)特性，但在功耗方面進(jìn)行了優(yōu)化。1.35V的工作電壓使其相比標(biāo)準(zhǔn)DDR3在功耗上降低了約10% - 15% ，這對于對功耗敏感的設(shè)備，如筆記本電腦、平板電腦、移動設(shè)備以及一些便攜式嵌入式設(shè)備來說，具有重要意義，能夠有效延長設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間。

在性能表現(xiàn)上，DDR3L與同頻率的DDR3基本相當(dāng)，能夠滿足日常辦公、網(wǎng)頁瀏覽、輕度游戲等應(yīng)用場景的需求。同時(shí)，DDR3L在引腳定義和電氣特性上與DDR3保持兼容，這使得設(shè)備制造商在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)，可以根據(jù)實(shí)際需求靈活選擇使用標(biāo)準(zhǔn)DDR3或DDR3L，而無需對#硬件電路進(jìn)行大幅改動，降低了產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)成本。

2.4DDR3L和DDR4的技術(shù)特點(diǎn)和區(qū)別

從技術(shù)特點(diǎn)和區(qū)別可以看出，DDR4在性能和功耗方面都優(yōu)于DDR3L，但其成本相對較高；而DDR3L則在性價(jià)比和功耗控制上具有一定優(yōu)勢，適用于對成本敏感且性能要求適中的應(yīng)用場景。

3DDR配置工具使用流程（以瑞薩RZ/G2L為例）

3.1配置工具介紹

RZ/G2L的DDR配置工具全稱為“RZG2L_G2UL_Five_A3UL_DDR_config_generation_tool_v3.0.1.xlsm”，它是一款基于Excel的工具，通過特定的表格設(shè)置和參數(shù)配置，生成DDR控制器初始化所需的代碼文件，即param_mc.c和param_swizzle.c 。

該工具適用于RZ/G2L - LC - UL系列MPU處理器，由于這些處理器的DDR Memory controller和PYH相同，因此配置工具是一樣的。最新版本是v3.0.1。

在實(shí)際應(yīng)用中，生成的配置文件（param_mc.c 和param_swizzle.c）在Flash - writer和trusted-firmware-a源碼工程中放置的路徑有所不同，但內(nèi)容是一致的。需要根據(jù)最終選擇的Topolog的Connection和Condition進(jìn)行重命名。例如，param_mc.c需重命名為param_mc_{Connection#}_{Condition#}.c，param_swizzle.c需重命名為param_swizzle_{Topology#}.c 。

在Flash – writer源碼工程中，文件路徑為

ddr/${PLAT}/param_mc{Connection#}_{Condition#}.c

ddr/common/param_swizzle{Topology#}.c；

在trusted-firmware-a源碼工程中，文件路徑為plat/renesas/rz/soc/${PLAT}/drivers/ddr/param_mc{Connection#}_{Condition#}.c

plat/renesas/rz/common/drivers/ddr/param_swizzle{Topology#}.c 。

結(jié)語

敬請期待

精彩尚未結(jié)束，下一期我們將深入探討——DDR配置工具使用流程（以瑞薩RZ/G2L為例），敬請期待！