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CSD43301Q5M NexFET? 智能同步整流器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-08-07 18:11 ? 次閱讀
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CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款 高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),用于在高功率高密度 DC/DC 中進(jìn)行二次同步整流 轉(zhuǎn)爐。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和超低R權(quán)力 MOSFET完成同步整流功能。此外,PCB占用空間已 優(yōu)化有助于縮短設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。
*附件:csd43301q5m.pdf

特性

  • 典型 R4.5 V 時(shí)為 0.55 mΩDD
  • 集成 FET 驅(qū)動(dòng)器
  • 最大額定電流 80A
  • 高密度 – SON 5 毫米× 6 毫米封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
  • 兼容TTL IN信號(hào)
  • 無(wú)鹵素
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) – 無(wú)鉛端子
    電鍍無(wú)鹵素
    參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

  1. ?產(chǎn)品概述?
    • ?型號(hào)?:CSD43301Q5M,德州儀器TI)NexFET?系列產(chǎn)品,專(zhuān)為高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級(jí)同步整流優(yōu)化設(shè)計(jì)。
    • ?核心特性?:
      • 超低導(dǎo)通電阻(典型值0.55mΩ@4.5V)。
      • 集成FET驅(qū)動(dòng)器和功率MOSFET,簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
      • 80A最大額定電流,5mm×6mm SON封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
  2. ?關(guān)鍵參數(shù)?
    • ?電氣特性?:
      • 工作電壓范圍:4.5V至6V(推薦),支持9.6V瞬態(tài)電壓。
      • 開(kāi)關(guān)頻率最高1500kHz,最小輸入脈沖寬度48ns。
      • 熱阻:結(jié)到外殼(RθJC)20°C/W,結(jié)到電路板(RθJB)2°C/W。
    • ?保護(hù)功能?:
      • 欠壓鎖定(UVLO):4.2V(典型值),300mV滯后。
      • ESD防護(hù):HBM 2000V,CDM 500V。
  3. ?應(yīng)用設(shè)計(jì)要點(diǎn)?
    • ?PCB布局建議?:
      • 縮短DRAIN引腳與電感的距離以降低損耗。
      • 必須將引腳7(PGND)與底部散熱焊盤(pán)(引腳13)直接連接。
      • 使用熱通孔陣列散熱,推薦孔徑0.25mm,間距1mm。
    • ?損耗計(jì)算?:
      • 總損耗=驅(qū)動(dòng)損耗(PDRV)+導(dǎo)通損耗(PCOND)+開(kāi)關(guān)損耗(PSW)。
      • 開(kāi)關(guān)損耗包含體二極管導(dǎo)通、反向恢復(fù)及輸出電荷損耗。
  4. ?封裝與訂購(gòu)信息?
    • ?封裝?:12引腳LSON-CLIP(5mm×6mm),卷帶包裝(2500片/卷)。
    • ?工作溫度?:-40°C至125°C,存儲(chǔ)溫度-65°C至150°C。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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