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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)即將連續(xù)3 年創(chuàng)下設(shè)備支出新高紀(jì)錄

kus1_iawbs2016 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-06-14 14:52 ? 次閱讀
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SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))近日公布「全球晶圓廠(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告」(World Fab Forecast)最新內(nèi)容指出,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)即將連續(xù)3 年創(chuàng)下設(shè)備支出新高紀(jì)錄,預(yù)料2018 年與2019 年將分別(較前一年)成長(zhǎng)14% 和9%,寫(xiě)下連續(xù)4 年成長(zhǎng)的歷史紀(jì)錄。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)立71 年以來(lái),只有在1990 年代中期曾出現(xiàn)設(shè)備支出連續(xù)4 年成長(zhǎng)的盛況。

如上圖所示,三星(Samsung)稱(chēng)霸全球的支出金額,中國(guó)領(lǐng)先全球的增長(zhǎng)幅度,南韓與中國(guó)將引領(lǐng)這波成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。SEMI ***區(qū)總裁曹世綸表示,「***半導(dǎo)體設(shè)備支出金額在缺乏記憶體新廠(chǎng)的暴發(fā)式投資下,成長(zhǎng)幅度雖不及南韓及中國(guó),但***晶圓代工廠(chǎng)商在先進(jìn)制程及產(chǎn)能的持續(xù)投資下,未來(lái)整體支出仍將呈現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)態(tài)勢(shì);加上***過(guò)去多年累積的投資,也使得我們成為全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程及量產(chǎn)的重鎮(zhèn),我們?nèi)詷?lè)觀(guān)看待***未來(lái)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位?!?/p>

2018 年,三星的設(shè)備支出金額預(yù)期將減少,但該公司仍占南韓所有設(shè)備投資金額的70%。同時(shí),SK 海力士(SK Hynix)則是增加在南韓的設(shè)備投資。

2018 年中國(guó)設(shè)備支出預(yù)期將增加65%,2019 年將再成長(zhǎng)57%,但值得注意的是,2018 和2019 年年中國(guó)投資金額當(dāng)中分別有58% 和56% 都是來(lái)自外資公司,例如英特爾Intel)、SK 海力士、臺(tái)積電、三星和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)。在政府計(jì)畫(huà)的支持下,中國(guó)本土業(yè)者正在興建數(shù)量可觀(guān)的新晶圓廠(chǎng),2018 年陸續(xù)開(kāi)始設(shè)備裝機(jī)。2019 年這些公司的設(shè)備投資可望翻倍。

其他地區(qū)的投資金額也節(jié)節(jié)高升。2018 年日本投資金額增加60%,增加幅度最高的包括東芝、Sony、瑞薩(Renesas)和美光(Micron)。

2018 年歐洲和地中海地區(qū)投資金額將增加12%,貢獻(xiàn)最大的業(yè)者包括英特爾、格羅方德和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)。

2018 年?yáng)|南亞地區(qū)投資金額將成長(zhǎng)超過(guò)30%,不過(guò)受限于市場(chǎng)規(guī)模,整體支出也同比例地低于其他地區(qū)。貢獻(xiàn)最大的業(yè)者包括美光、英飛凌(Infineon)和格羅方德,但歐司朗(OSRAM)和奧地利微電子(ams)等公司也持續(xù)增加投資金額。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:SEMI:中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備支出同比暴增65%

文章出處:【微信號(hào):iawbs2016,微信公眾號(hào):寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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