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德州儀器TPSM63610E高密度同步降壓電源模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-08-18 13:39 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPSM63610E同步降壓直流/直流電源模塊是一款高度集成的36V、8A直流/直流解決方案,集成了多個(gè)功率MOSFET、一個(gè)屏蔽式電感器和多個(gè)無源器件,并采用增強(qiáng)型HotRod? QFN封裝。該模塊的VIN和VOUT引腳位于封裝的邊角處,可優(yōu)化輸入和輸出電容器在布局中的放置。模塊下方具有四個(gè)較大的散熱焊盤,可在制造過程中實(shí)現(xiàn)簡單布局和輕松處理。TPSM63610E具有1V到20V輸出電壓,旨在快速、輕松實(shí)現(xiàn)小尺寸PCB的低EMI設(shè)計(jì)??傮w解決方案僅需四個(gè)外部元件,并且省去了設(shè)計(jì)流程中的磁性和補(bǔ)償元件選擇過程。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPSM63610E同步降壓直流-直流電源模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

雖然尺寸小,操作簡單,設(shè)計(jì)用于在空間受限的應(yīng)用,但是Texas Instruments TPSM63610E模塊具有許多特性來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的性能:具有遲滯功能的精密使能端可實(shí)現(xiàn)輸入電壓UVLO調(diào)節(jié)、電阻編程開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率和擴(kuò)頻以改善EMI。與集成式VCC、自舉和輸入電容器一起使用,可提高可靠性和密度。該模塊可配置為在滿負(fù)載電流范圍 (FPWM) 內(nèi)保持恒定開關(guān)頻率,也可配置為可變頻率 (PFM) 以提高輕負(fù)載效率。它包含PGOOD指示器,可實(shí)現(xiàn)時(shí)序控制、故障報(bào)告和輸出電壓監(jiān)測功能。

特性

  • 支持功能安全
    • 來輔助功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
  • 多功能36 V IN 、8AOUT同步降壓模塊
    • 集成MOSFET、電感器和控制器
    • 可調(diào)節(jié)輸出電壓范圍為1V至20V
    • 6.5mm × 7.5mm × 4mm超模壓塑料封裝
    • 結(jié)溫范圍:-55°C至+125°C
    • 可調(diào)頻率范圍:200kHz至2.2MHz
    • 負(fù)輸出電壓應(yīng)用功能
  • 在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)具有超高效率
    • 峰值效率:95%+
    • 用于提升效率的外部偏置選項(xiàng)
    • 外露焊盤可實(shí)現(xiàn)低熱阻抗 (EVM θ J A =18.2°C/W)
    • 關(guān)斷時(shí)的靜態(tài)電流為:0.6μA (典型值)
  • 超低傳導(dǎo)和輻射EMI簽名
    • 具有雙輸入路徑和集成電容器的低噪聲封裝可降低開關(guān)振鈴
    • 電阻器調(diào)節(jié)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率
    • 符合CISPR 11和32 B類發(fā)射要求
  • 適用于可擴(kuò)展電源
    • 精密使能輸入和漏極開路PGOOD指示器(用于時(shí)序、控制和VIN UVLO)
    • 過流和熱關(guān)斷保護(hù)

功能框圖

1.png

德州儀器TPSM63610E高密度同步降壓電源模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、核心特性與產(chǎn)品定位

TPSM63610E是TI推出的汽車級(jí)高集成度同步降壓電源模塊,具有以下突出特性:

  1. ?寬范圍輸入輸出能力?
    • 輸入電壓:3V至36V(瞬態(tài)耐受42V)
    • 輸出電壓:1V至20V可調(diào)(25mV步進(jìn)精度)
    • 輸出電流:8A持續(xù)/10A峰值
    • 工作溫度范圍:-55℃至125℃(結(jié)溫)
  2. ?超高集成度設(shè)計(jì)?
    • 集成功率MOSFET、屏蔽電感及控制器
    • 6.5mm×7.5mm×4mm HotRod? QFN封裝
    • 僅需4個(gè)外部元件即可工作
  3. ?增強(qiáng)型EMI性能?
    • 雙輸入路徑設(shè)計(jì)降低開關(guān)振鈴
    • 可調(diào)開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率(通過RBOOT配置)
    • 滿足CISPR 11/32 Class B標(biāo)準(zhǔn)

二、關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 外圍元件選型指南

元件類型推薦參數(shù)典型型號(hào)(廠商)
輸入電容2×10μF陶瓷(X7R)Murata GRM32ER71H106KA12L
輸出電容3×47μF陶瓷(X7R)TDK CGA6P3X7S1H106M
反饋電阻RFBT=100kΩVishay CRCW系列
頻率設(shè)置電阻15.8kΩ(1MHz)

2. 保護(hù)功能機(jī)制

  • ?過流保護(hù)?:8.4-14.2A峰值限流,40ms打嗝模式
  • ?熱關(guān)斷?:168°C觸發(fā)(159°C恢復(fù))
  • ?輸出監(jiān)測?:PG信號(hào)指示94%-112%穩(wěn)壓范圍
  • ?輸入U(xiǎn)VLO?:可編程欠壓鎖定(1V遲滯)

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)實(shí)例

1. 工業(yè)24V轉(zhuǎn)5V/8A電源方案

?關(guān)鍵配置?:

  • 反饋電阻:RFBT=100kΩ, RFBB=24.9kΩ
  • 開關(guān)頻率:1MHz(RRT=15.8kΩ)
  • 輸入電容:2×10μF/50V陶瓷
  • 輸出電容:3×47μF/10V陶瓷

?實(shí)測性能?:

  • 效率:94.3%@4A負(fù)載(VIN=12V)
  • 負(fù)載調(diào)整率:±1%(0.1A-8A)
  • 傳導(dǎo)EMI:低于CISPR 11限值6dB

2. 負(fù)壓輸出應(yīng)用(-12V/5A)

?拓?fù)湟c(diǎn)?:

  • VIN+接輸入正極,VIN-接輸出負(fù)極
  • 輸出電流公式:IOUT(max)=8A×(1-D)
  • 需注意功率回路面積最小化

四、PCB布局優(yōu)化建議

  1. ?熱設(shè)計(jì)?
    • 使用2oz銅厚四層板
    • 布置12個(gè)φ0.3mm散熱過孔
    • 頂層銅箔面積≥15mm2
  2. ?EMI抑制?
    • 輸入電容對稱靠近VIN1/VIN2引腳
    • 開關(guān)節(jié)點(diǎn)走線長度<5mm
    • 反饋電阻緊貼FB引腳布局
  3. ?接地策略?
    • AGND與PGND在模塊下方單點(diǎn)連接
    • 底層完整地平面作噪聲屏蔽
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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