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TPS7H60x3/60x5評(píng)估模塊(EVM)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-08-20 09:49 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS7H6003EVM-CVAL評(píng)估模塊可接受高達(dá)150V輸入,通過(guò)驅(qū)動(dòng)EPC2307來(lái)測(cè)試TPS7H6003-SP的可靠性。TI TPS7H6003EVM-CVAL評(píng)估模塊默認(rèn)設(shè)置為在PWM模式下運(yùn)行TPS7H6003-SP。然后,TPS7H6003-SP接收一個(gè)開(kāi)關(guān)信號(hào)的輸入,在內(nèi)部開(kāi)發(fā)互補(bǔ)信號(hào)。該功能可更改為IIM模式,其中兩個(gè)輸出互相獨(dú)立工作。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments TPS7H6003EVM-CVAL評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

  • 獨(dú)立輸入模式下的可選輸入聯(lián)鎖保護(hù)
  • 分離輸出,用于可調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間
  • 獨(dú)立輸入模式下的傳播延遲:25ns(典型值)
  • 1.5A峰值拉電流、3A峰值灌電流
  • PVIN輸入上的工作電壓高達(dá)150V
  • 支持PWM和IIM模式
  • 大焊盤(pán),用于放置自己的電感器電容器
  • 集成死區(qū)時(shí)間,用于PWM模式

布局

1.png

TPS7H60x3/60x5評(píng)估模塊(EVM)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

產(chǎn)品概述

TPS7H60x3EVM-CVAL和TPS7H60x5EVM是德州儀器(TI)推出的評(píng)估模塊,用于評(píng)估TPS7H6003-SP、TPS7H6013-SP、TPS7H6023-SP、TPS7H6005-SEP、TPS7H6015-SEP和TPS7H6025-SEP等半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器的性能。該系列評(píng)估模塊通過(guò)J1/J2上的輸入電壓軌為半橋FET堆棧的PVIN供電,用戶(hù)可選擇僅運(yùn)行驅(qū)動(dòng)電路或通過(guò)提供的焊盤(pán)添加電感和電容構(gòu)建完整功率級(jí)。

核心特性與功能模式

主要特點(diǎn)

  • ?雙工作模式支持?:默認(rèn)配置為PWM模式,也可通過(guò)簡(jiǎn)單修改切換至IIM(獨(dú)立輸入)模式
  • ?靈活的外圍設(shè)計(jì)?:提供大尺寸焊盤(pán)便于用戶(hù)添加自定義電感和電容
  • ?集成死區(qū)時(shí)間控制?:PWM模式下內(nèi)置互補(bǔ)信號(hào)生成與死區(qū)時(shí)間設(shè)置
  • ?寬輸入電壓范圍?:支持0-150V(根據(jù)具體器件型號(hào)有所不同)

工作模式配置

評(píng)估模塊支持兩種工作模式切換:

?PWM模式?:

  • 接受單一開(kāi)關(guān)信號(hào)輸入(J9引腳1)
  • 內(nèi)部生成互補(bǔ)輸出信號(hào)
  • 通過(guò)R8/R9設(shè)置死區(qū)時(shí)間(典型值100-220kΩ)

?IIM模式?:

  • 兩個(gè)輸出獨(dú)立工作(互鎖禁用時(shí)R5=0Ω,R6不安裝)
  • 輸入信號(hào)分別連接J6和J15
  • 互鎖功能可選配置

硬件設(shè)計(jì)與接口說(shuō)明

電源要求

名稱(chēng)測(cè)試點(diǎn)/連接器電壓規(guī)格典型電流消耗
PVINJ1/J214V/45V/150V50mA
DVINJ50-14V20mA
PWM_LIJ9引腳10-14V10mA
EN_HIJ9引腳40-14V10mA

關(guān)鍵接口

  • ?功率輸入?:J1(正極)、J2(負(fù)極)
  • ?控制信號(hào)?:
    • J9:PWM信號(hào)輸入(引腳1)和使能信號(hào)(引腳4)
    • J6/J15:IIM模式下的獨(dú)立輸入
  • ?輸出監(jiān)測(cè)?:TP7(HO)、TP8(LO)等測(cè)試點(diǎn)

評(píng)估板使用指南

典型測(cè)試配置

  • ?輸入電壓?:100V(J1)、0V(J2)
  • ?控制信號(hào)?:0-5V 500kHz/30%占空比(PWM_LI)
  • ?工作頻率?:優(yōu)化為500kHz(其他頻率需注意GaNFET過(guò)熱風(fēng)險(xiǎn))

模式切換步驟

  1. 斷電狀態(tài)下修改以下電阻配置:
    • PWM→IIM(互鎖禁用):安裝R5=0Ω,移除R6
    • PWM→IIM(互鎖啟用):移除R5,安裝R6=100-220kΩ
  2. 相應(yīng)調(diào)整輸入信號(hào)連接方式

應(yīng)用領(lǐng)域與性能表現(xiàn)

目標(biāo)應(yīng)用

  • 通信載荷系統(tǒng)
  • 指令與數(shù)據(jù)處理單元
  • 衛(wèi)星電力系統(tǒng)
  • FPGA核心電壓軌的太空衛(wèi)星點(diǎn)負(fù)載供電

實(shí)測(cè)性能

評(píng)估測(cè)試顯示模塊在以下方面表現(xiàn)優(yōu)異:

  • ?柵極驅(qū)動(dòng)電壓?:清晰穩(wěn)定的高低電平轉(zhuǎn)換(如圖3-1至3-3所示)
  • ?相位節(jié)點(diǎn)響應(yīng)?:快速開(kāi)關(guān)特性(圖3-4)
  • ?熱性能?:建議操作時(shí)注意>55℃的高溫區(qū)域

安全注意事項(xiàng)

  1. ?高壓警告?:EVMs可能包含完全可接觸的活性高壓,操作時(shí)需:
    • 使用絕緣夾具和導(dǎo)線(xiàn)
    • 禁止徒手測(cè)試
    • 配備合格觀察員
  2. ?熱風(fēng)險(xiǎn)?:部分組件工作溫度>55℃,禁止觸摸通電或剛斷電的板卡
  3. ?限制使用?:EVMs不得作為生產(chǎn)單元的全部或部分使用

設(shè)計(jì)資源與支持

配套文檔

  • 完整原理圖(圖4-1至4-6)
  • PCB布局圖(圖4-7至4-44)
  • 詳細(xì)物料清單(表4-1和4-2)

參考設(shè)計(jì)

  • TPS7H60x3-SP數(shù)據(jù)手冊(cè)
  • TPS7H60x5-SP/SEP數(shù)據(jù)手冊(cè)

該評(píng)估模塊為工程師提供了快速驗(yàn)證GaN驅(qū)動(dòng)器性能的平臺(tái),特別適合空間應(yīng)用和高可靠性電力電子系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)評(píng)估。通過(guò)靈活的配置選項(xiàng)和全面的測(cè)試接口,可顯著縮短相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)周期。

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