成都華微32位RISC-V超低功耗MCU新品發(fā)布
自8月12日成都華微公告發(fā)布全新32位RISC-V超低功耗MCU 后，現首次在elexcon深圳國際電子展上亮相該產品。
產品核心特點
超低功耗設計-大幅延長電池續(xù)航時間
高性能32位RISC-V內核-處理效率顯著提升
豐富外設接口-支持多種應用場景
高可靠性-esd 7000V
指標特點
·基于RISC-V開源指令集自主架構內核，
3級流水設計：
·存儲空間：64 KB eFlash,4 KB SRAM;
·超低功耗設計：工作功耗120 uA/MHz,
·待機功耗<200nA,150uS喚醒；
·豐富外設單元：支持CAN2.0、PWM、
·支持11通道ADC 12bits精度@1MSPS;
·支持DAC 12bits@1MSPS:
·內置電壓參考和比較器；
·支持24 bit GP1O:
·支持LED8段碼：
·支持2線CJTAG調試模式；
·ESD等級7000V(HBM);
·封裝形式及大?。篞FN28(4mmx4mm),
QFN20(3mmx3mm);
技術特點超低功耗設計
支持低功耗電源管理，支持睡眠模式和旁路模式，支持快速喚醒；
支持內建中斷管理，支持軟件中斷、定時器中斷和外設中斷，支持中斷優(yōu)先級、向量中斷處理模式和快速中斷響應；
·內建調試系統(tǒng)，支持簡化2線CJTAG或者4線JTAG接口；
高可靠ESD等級；
輕量化的封裝形式；
超低待機功耗，支持電池供電長續(xù)航；
自主創(chuàng)新
支持自主硬件架構+國產鴻蒙操作系統(tǒng)，國產自主底層硬件+國產自主底層軟件雙輪驅動；
·針對低功耗場景多層級低功耗設計：芯片系統(tǒng)架構，定制化內核架構設計，電路級低功耗設計，物理實現低功耗設計；
·高可靠ESD設計；
·高分辨率PWM設計；
封裝選擇
提供QFN28（4mm×4mm）和QFN20（3mm×3mm）兩種輕量化封裝選擇，適用于對空間和功耗有嚴苛要求的應用領域。
應用場景
腦機接口
可穿戴設備
工業(yè)控制系統(tǒng)
智能家居產品
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工商網監(jiān)
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