TPS92640和TPS92641器件是高壓同步NFET控制器,用于 降壓電流穩(wěn)壓器。輸出電流調(diào)節(jié)基于谷電流模式作,使用 受控準(zhǔn)時(shí)架構(gòu)。這種控制方法簡(jiǎn)化了環(huán)路補(bǔ)償?shù)脑O(shè)計(jì),同時(shí) 保持幾乎恒定的開(kāi)關(guān)頻率。TPS92640和TPS92641設(shè)備包括一個(gè) 高壓?jiǎn)?dòng)穩(wěn)壓器,可在 7 V 至 85 V 的寬輸入范圍內(nèi)工作。The PWM 控制器專為高速能力而設(shè)計(jì),包括高達(dá) 1 的振蕩器頻率范圍 兆赫。高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器之間的死區(qū)時(shí)間經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可提供非常高的 在寬輸入工作電壓和輸出功率范圍內(nèi)的效率。TPS92640和TPS92641 器件同時(shí)接受模擬和 PWM 輸入信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)出色的調(diào)光控制范圍。 輸入命令和 LED 電流之間的線性響應(yīng)特性在真零時(shí)實(shí)現(xiàn) 使用低失調(diào)誤差放大器和專有 PWM 調(diào)光邏輯的 LED 電流。這兩種設(shè)備還 包括能夠?yàn)榈凸?a target="_blank">微控制器提供電流的精密基準(zhǔn)電壓源。保護(hù) 功能包括逐周期電流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)和熱關(guān)斷。 TPS92641器件包括一個(gè)分流FET調(diào)光輸入和用于高分辨率PWM的MOSFET驅(qū)動(dòng)器 變 暗。
*附件:tps92640.pdf
特性
- V
在范圍為 7 V 至 85 V - 寬調(diào)光范圍
- 500:1 模擬調(diào)光
- 2500:1 標(biāo)準(zhǔn) PWM 調(diào)光
- 20000:1 分流 FET PWM 調(diào)光
- 可調(diào)LED電流檢測(cè)電壓
- 2-Ω,1-A
峰MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 - 分流調(diào)光 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 (TPS92641)
- 可編程開(kāi)關(guān)頻率
- 精密基準(zhǔn)電壓源 3 V ±2%
- 輸入 UVLO 和輸出 OVP
- 低功耗關(guān)斷模式和熱關(guān)斷
參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPS92640和TPS92641是德州儀器(TI)推出的高壓同步NFET控制器,專為降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),支持7V至85V寬輸入電壓范圍,適用于建筑照明、汽車照明等場(chǎng)景。兩款器件均采用谷值電流控制和固定導(dǎo)通時(shí)間架構(gòu),無(wú)需斜率補(bǔ)償即可實(shí)現(xiàn)近似恒定的開(kāi)關(guān)頻率。
?2. 核心特性?
- ?調(diào)光控制?
- 模擬調(diào)光范圍500:1,標(biāo)準(zhǔn)PWM調(diào)光2500:1(TPS92641支持Shunt FET PWM調(diào)光時(shí)可達(dá)20000:1)
- 真零電流控制技術(shù),通過(guò)外接電容和電阻(ROFF)實(shí)現(xiàn)無(wú)偏移誤差的線性調(diào)光
- ?精準(zhǔn)調(diào)節(jié)?
- ?高效驅(qū)動(dòng)?
- 2Ω/1A峰值MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
- 優(yōu)化的死區(qū)時(shí)間控制,提升效率
?3. 關(guān)鍵功能模塊?
- ?控制架構(gòu)?
- 基于谷值電流檢測(cè)的導(dǎo)通時(shí)間控制,簡(jiǎn)化環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)
- 開(kāi)關(guān)頻率由RON/CON網(wǎng)絡(luò)設(shè)定,與輸入/輸出電壓成比例(公式:fSW = (RVOUT1+RVOUT2)/(RVOUT2 × RON × CON))
- ?保護(hù)機(jī)制?
- 輸入欠壓鎖定(UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)
- 逐周期電流限制和熱關(guān)斷(165°C閾值,20°C遲滯)
?4. 典型應(yīng)用設(shè)計(jì)?
- ?電路拓?fù)?/strong>?
- 同步Buck結(jié)構(gòu),支持無(wú)輸出電容設(shè)計(jì)以延長(zhǎng)LED壽命
- 輸入電容需滿足紋波要求(如ΔVIN≤3%時(shí),CIN≥(ILED×D)/(ΔVIN×fSW))
- ?布局建議?
- 優(yōu)先減小高頻環(huán)路面積(CIN-MOSFET-電感路徑)
- 敏感信號(hào)線(如CS、UDIM)遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)
?5. 型號(hào)差異?
?6. 文檔支持?
-
控制器
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