本文介紹了新的CoolSiC 2000V SiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產(chǎn)品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時(shí)用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK 3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效率，并簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。

1

介紹

最新的光伏太陽能、儲(chǔ)能和高功率充電器（1500 VDC）應(yīng)用要求更高的電壓裕量，以確保系統(tǒng)安全運(yùn)行。CoolSiC 2000V SiC MOSFET被設(shè)計(jì)為在高電壓和高開關(guān)頻率下提供更高的功率密度，而不會(huì)損害系統(tǒng)的可靠性。新的TO-247PLUS-4-HCC封裝具有加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。該封裝的評(píng)估板有助于快速評(píng)估2000V單管產(chǎn)品的性能。62mm CoolSiC 2000V SiC MOSFET半橋模塊革命性地改變了1500 VDC光伏太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)兩電平或者NPC2三電平拓?fù)洹?/p>

在這篇論文中，比較了EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET模塊（2000V，60A）和傳統(tǒng)的三電平拓?fù)銼i解決方案的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、芯片尺寸、波形和效率。所有這些產(chǎn)品旨在提供更高的系統(tǒng)功率密度、更高的系統(tǒng)效率和更容易的設(shè)計(jì)。

2

CoolSiC 2000V SiC溝槽柵MOSFET，

封裝在TO-247PLUS-4-HCC中

CoolSiC 2000V SiC MOSFET的TO-247PLUS-4-HCC封裝被設(shè)計(jì)為在不損害系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高的功率密度，即使在高壓和高頻率的苛刻條件下。如圖1所示，新封裝具有5.5mm的電氣間隙和14mm的爬電距離。這可以防止高電壓下的高頻放電（見圖2）。TO-247PLUS-4-HCC封裝的高度和寬度與其他TO-247封裝相同。它與標(biāo)準(zhǔn)TO-247-4針腳和Kelvin發(fā)射極4針腳封裝兼容，由于低雜散電感的門極-發(fā)射極環(huán)路，可以實(shí)現(xiàn)超低開關(guān)損耗。

圖1. 加大爬電距離和電氣間隙的TO-247PLUS-4-HCC封裝

圖2. 在1.6kV電壓尖峰、80kHz開關(guān)頻率下，TO-247-3封裝的高頻放電現(xiàn)象

TO-247PLUS-4-HCC封裝中的.XT焊接技術(shù)：

顯著改善了熱性能

降低了芯片結(jié)到殼體的熱阻抗

防止晶片傾斜和焊料溢出，從而實(shí)現(xiàn)更好的生產(chǎn)控制

由于工作溫度降低，提高了主動(dòng)和被動(dòng)熱循環(huán)能力，以便在熱應(yīng)力下實(shí)現(xiàn)更好的性能

與標(biāo)準(zhǔn)焊接相比，.XT焊接技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)最高25%的結(jié)到殼體的熱阻（Rthjc）降低，如圖3所示。CoolSiC 2000V SiC溝槽柵MOSFET系列產(chǎn)品的RDS(on)范圍從12到100mΩ，同時(shí)配套的二極管產(chǎn)品系列的電流范圍為10到80A。

圖3. 擴(kuò)散焊（.XT）技術(shù)降低Rthjc

EVAL-CoolSiC-2kVHCC評(píng)估板旨在展示CoolSiC 2000V 24mΩ在TO-247PLUS-4-HCC封裝中的獨(dú)特特性。它可以用作一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的通用測(cè)試平臺(tái)，用于評(píng)估任何CoolSiC 2000V SiC MOSFET單管器件和EiceDRIVER Compact單通道隔離驅(qū)動(dòng)器系列（1ED31xx）通過雙脈沖或連續(xù)脈寬調(diào)制（PWM）操作。該板的靈活設(shè)計(jì)允許在不同的測(cè)試條件下進(jìn)行各種測(cè)試，重點(diǎn)關(guān)注半橋拓?fù)鋺?yīng)用，如太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)的解決方案。[1]

圖4.EVAL-CoolSiC-2kVHCC評(píng)估板

圖5展示了一個(gè)幾乎完美的測(cè)試門極波形，沒有超調(diào)或欠調(diào)。圖中看到的振蕩是由PCB布板中的寄生電容引起的，而不是由器件本身引起的。測(cè)試條件如下：

直流母線電壓（DC link voltage）=1200V

門極電壓（gate voltage）=18V/-2.5V

溫度為常溫

圖5. 使用EVAL-CoolSiC-2kVHCC評(píng)估板的測(cè)試波形：1200V/50A條件下

表1. 2000V CoolSiC MOSFET和Diode

產(chǎn)品列表

3

62mm CoolSiC MOSFET 2000V半橋模塊

62mm CoolSiC MOSFET 2000V半橋模塊采用了著名的62mm封裝和M1H芯片技術(shù)。除了半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)外，同樣的62mm封裝產(chǎn)品還推出共源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這將不僅僅是實(shí)現(xiàn)兩電平，還能實(shí)現(xiàn)三電平NPC2拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。目前，NPC1和ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在1500 VDC太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)中被廣泛使用。隨著新2000V產(chǎn)品的推出，兩電平和三電平NPC2拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)。[2] [3]

圖6. 使用2000V產(chǎn)品，從NPC1/ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到兩電平/NPC2拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

表2. 2000V CoolSiC MOSFET 62mm模塊

產(chǎn)品列表

4

EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET 2000V，

60A升壓模塊

傳統(tǒng)的大功率組串太陽能逆變器的升壓解決方案通常使用飛跨電容或雙升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。然而，2000V的SiC MOSFET在Easy 3B封裝中使得可以實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單的兩電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如圖7所示。這降低了功率器件數(shù)量，同時(shí)提高了功率密度和降低了整個(gè)系統(tǒng)成本，特別適用于1500 VDC應(yīng)用。DF4-19MR20W3M1HF_B11模塊采用Easy 3B封裝，具有4路升壓通道，使用2000V的SiC MOSFET和二極管，采用對(duì)稱設(shè)計(jì)和低雜感結(jié)構(gòu)，如圖8所示。它提供了最低的RDS(on)和FIT率，更高的開關(guān)頻率和更高的功率密度。該模塊還可以用于2路升壓通道，并聯(lián)后的電流可以達(dá)到120A每路。

圖7. 飛跨電容，雙升壓拓?fù)浜筒捎?000V SiC產(chǎn)品的兩電平拓?fù)?/p>

圖8. 兩電平拓?fù)涞纳龎耗K線路圖

圖9顯示了雙升壓模塊和兩電平全SiC模塊的芯片尺寸比較。結(jié)果表明，兩電平全SiC模塊解決方案的芯片尺寸小了70%。兩電平全SiC模塊的功率密度也更高。圖10和圖11顯示了1200V IGBT/二極管和2000V SiC MOSFET/SiC二極管的不同關(guān)斷波形。唯一的區(qū)別是關(guān)斷電壓平臺(tái)，2000V器件的電壓平臺(tái)更高。這可以簡(jiǎn)化整個(gè)系統(tǒng)并提高其功率密度。圖12顯示了在不同負(fù)載條件下的升壓效率曲線。在輕載條件下，兩電平全SiC解決方案的效率提高了1%，在所有工作條件下平均提高了約0.5%。

圖9. 雙升壓模塊和兩電平全SiC模塊的芯片大小比較

圖10. IGBT/2000V SiC MOSFET關(guān)斷比較

圖11. 1200V SiC二極管/2000V SiC二極管關(guān)斷比較

圖12. 雙升壓模塊和兩電平全SiC模塊的效率對(duì)比

表3. 2000V CoolSiC MOSFET Easy模塊

產(chǎn)品列表

結(jié)論

本文介紹了新的CoolSiC 2000V SiC溝槽柵MOSFET器件，具有加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接技術(shù)的TO-247PLUS-4-HCC封裝；62mm封裝的半橋和共源拓?fù)洌灰约癊asyPACK 3B封裝的4路升壓拓?fù)?。所有這些器件都具有2000V SiC芯片，在1500 VDC系統(tǒng)中提供更高的功率密度，更高的效率和更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)。評(píng)估板是一個(gè)測(cè)試平臺(tái)，設(shè)計(jì)師可以嘗試并了解這個(gè)革命性的2000V器件。