集創(chuàng)北方攜手清華及新憶科技推出首顆自研RRAM AMOLED顯示驅動芯片

近日，集創(chuàng)北方攜手清華大學集成電路學院團隊與新憶科技共同推出首顆采用自研RRAM新型存儲技術的AMOLED顯示驅動芯片（DDIC）“集憶智顯”系列首款芯片R100，這也是集創(chuàng)北方首次在AMOLED顯示驅動芯片中應用RRAM技術。該成果同時得到了中芯國際、北方集成電路創(chuàng)新中心、維信諾等企業(yè)在技術研發(fā)與產品驗證方面的鼎力支持，現(xiàn)已通過多輪可靠性測試，滿足大規(guī)模量產要求。

AMOLED顯示屏在使用過程中有可能出現(xiàn)亮度不均勻的情況（mura現(xiàn)象），通過內置Demura SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）+內置OTP（一次性可編程存儲器）+外置flash閃存的架構設計，將Demura補償數(shù)據(jù)由內向外傳輸燒錄，以解決AMOLED面板的mura現(xiàn)象。但是這種傳統(tǒng)方案存在數(shù)據(jù)寫入速度慢，產線效率低，生產成本高等劣勢。

RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變存儲器）通過技術升級，有效的解決了上述問題。RRAM替代了芯片內部的Demura SRAM和OTP，也無需再外置閃存，做到了“三位一體”的功能。采用RRAM技術不但可以將原來SRAM的面積縮小了40%，有效降低芯片成本，還可提升數(shù)據(jù)存儲容量，增加Demura補償精細度，從而實現(xiàn)優(yōu)化面板視效，提升模組良率，降低模組成本。

除此之外，該技術減少了Demura補償算法數(shù)據(jù)在各存儲器之間的傳輸步驟，直接“原地”讀取，省去了Demura數(shù)據(jù)從DDIC搬運到flash的時間，縮短了近50%燒錄（Demura數(shù)據(jù)錄入芯片）時間，提高了芯片生產的效率。

AMOLED顯示驅動芯片的系統(tǒng)架構對比圖

結合RRAM存儲技術，“集憶智顯”R100相對于傳統(tǒng)方案做出了全面升級。芯片支持最高 1320×2900 分辨率的 OLED 面板驅動，集成 LTPO3.0 動態(tài)變頻技術，可實現(xiàn) 1-144Hz 無縫幀率切換，在保障流暢視覺體驗的同時精準控制功耗。

在顯示畫質優(yōu)化方面，R100集成了 Demura 補償、Deburin、R/N等專業(yè)算法，配合 13bit dbv 高精度亮度調節(jié)，實現(xiàn)從細膩灰階到高亮場景的全維度畫質提升。針對折疊屏設備的特殊需求，芯片支持級聯(lián)驅動方案，完美適配旗艦手機及折疊屏機型的復雜顯示架構，以低功耗高性能的技術特性，全面滿足高端終端對顯示驅動的嚴苛要求。

此次融合RRAM存儲技術的AMOLED顯示驅動芯片成功開發(fā)驗證，標志著集創(chuàng)北方在AMOLED顯示領域取得了進一步的突破，這也是產業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新與智慧碰撞的結晶。未來，相信通過RRAM存儲技術與集創(chuàng)北方全顯示控制產品的深度融合，將能在更多顯示領域攻堅克難，研發(fā)創(chuàng)造出優(yōu)質的產品。

新憶科技簡介

新憶科技成立于2018年，孵化自清華大學新型存儲器團隊，致力于RRAM新型存儲技術和存算一體技術的研發(fā)，是一家擁有核心技術和自主研發(fā)能力的創(chuàng)新型高科技企業(yè)。公司已推出產品包括嵌入式RRAM IP和獨立式RRAM芯片，產品已經批量出貨應用于手機屏幕，攝像頭，藍牙，無線耳機，助聽器等領域。

清華大學新型存儲器團隊簡介

清華大學集成電路學院新型存儲器研究團隊深耕RRAM存儲與存算一體領域，開展了從材料、器件、工藝、電路到架構、芯片、算法、應用的跨層次協(xié)同創(chuàng)新研究，研制了國際首款多陣列RRAM存算一體系統(tǒng)和國際首款支持片上學習的RRAM存算一體芯片，在Nature、Science、ISSCC、IEDM等頂級期刊和國際會議上發(fā)表論文200余篇。