相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。

安森美半導體擴展了其650伏（V） SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。

自從16多年前第一款SiC二極管問市以來，這一技術(shù)已經(jīng)日益成熟，質(zhì)量/可靠性測試和現(xiàn)場測試都已充分證明其高品質(zhì)水平。

在基板處理、外延生長和制造方面的進步顯著地降低缺陷密度，我們將看到持續(xù)的工藝改進和更高的量。安森美半導體在整個工藝周期采用了獨特的方法，以確保客戶獲得最高品質(zhì)的產(chǎn)品。

另一重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設計。SiC能夠應對高場應力，因此很多設計都是為了應對這些高應力條件。例如，終端結(jié)構(gòu)需要很多心思，才能確保器件的耐用性。

利用寬帶隙（WBG）材料的獨特特性，SiC技術(shù)比硅提供實在的優(yōu)勢，其強固的結(jié)構(gòu)為嚴苛環(huán)境中的應用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡化的、性能更佳、尺寸設計更小的新器件。

SiC為系統(tǒng)提供顯著好處。SiC更高的開關頻率可以使用更小的磁性元件和無源元件，使整體系統(tǒng)縮小50％以上，從而大大節(jié)省整體元件和制造成本。