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?Texas Instruments TPS737線性LDO穩(wěn)壓器技術(shù)解析?

科技觀察員 ? 2025-09-05 13:54 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS737線性低壓差(LDO)穩(wěn)壓器在電壓跟隨器配置中使用NMOS導(dǎo)通晶體管。該拓撲結(jié)構(gòu)對ESR和輸出電容值的敏感度相對較低。此功能有助于實現(xiàn)各種負載配置。即使搭配較小的1μF陶瓷輸出電容器,負載瞬態(tài)響應(yīng)也非常出色。NMOS拓撲結(jié)構(gòu)還可實現(xiàn)極低的壓差。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS737線性LDO穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊.pdf

TPS737采用先進的BiCMOS工藝,實現(xiàn)高精度的同時,可提供極低的壓差電壓和接地引腳電流。帶有M3后綴的器件型號采用依托當(dāng)前TI工藝技術(shù)的最新設(shè)計。未啟用時,電流消耗小于20nA。該功能專為便攜式應(yīng)用而設(shè)計。熱關(guān)斷和折返限流功能可為器件提供保護。

對于需要更高輸出電壓精度的應(yīng)用,用戶應(yīng)考慮使用Texas Instruments TPS7A37 1%總精度、1A低壓差穩(wěn)壓器。

特性

  • 在搭配1μF或更大陶瓷輸出電容器時可穩(wěn)定工作
  • 2.2 V 到 5.5 V 的輸入電壓范圍
  • 超低壓差電壓
    • 傳統(tǒng)硅:130mV(1A時典型值)
    • 新硅(M3后綴):122mV(1A時典型值)
  • 即使采用1μF輸出電容器,也能實現(xiàn)出色的負載瞬態(tài)響應(yīng)
  • NMOS拓撲結(jié)構(gòu)具有低反向漏電流
  • 初始精度:1%
  • 在整個線路、負載和溫度范圍內(nèi)的整體精度
    • 傳統(tǒng)硅:3%
    • 新硅(M3后綴):1.5%
  • 關(guān)斷模式下IQ 小于20nA(典型值)
  • 熱關(guān)斷和電流限制,用于故障保護
  • 提供多種輸出電壓版本
    • 可調(diào)輸出:1.20V至5.5V
    • 可使用工廠封裝級編程提供定制輸出

典型應(yīng)用電路

1.png

Texas Instruments TPS737線性LDO穩(wěn)壓器技術(shù)解析?


?一、產(chǎn)品概述?

TPS737是德州儀器(TI)推出的?1A低壓差線性穩(wěn)壓器?,采用NMOS拓撲結(jié)構(gòu),具有超低靜態(tài)電流(20nA關(guān)斷電流)和反向電流保護功能。其關(guān)鍵特性包括:

  • ?超低壓差?:122mV(新型硅片)@1A負載
  • ?寬輸入范圍?:2.2V至5.5V
  • ?高精度輸出?:±1.5%總精度(新型硅片)
  • ?低噪聲設(shè)計?:27μVRMS噪聲(10Hz-100kHz帶寬)
  • ?多封裝選項?:SOT-223、VSON、WSON

?二、核心性能參數(shù)?

  1. ?電氣特性?
    • ?輸出電流?:1A連續(xù)輸出
    • ?壓差電壓?:
      • 新型硅片:122mV典型值@1A
      • 傳統(tǒng)硅片:130mV典型值@1A
    • ?靜態(tài)電流?:400μA典型值@10mA負載
    • ?關(guān)斷電流?:<20nA
  2. ?熱性能?
    • ?結(jié)到環(huán)境熱阻?:
      • SOT-223:76°C/W
      • VSON:49.4°C/W
      • WSON:67.3°C/W
    • ?工作結(jié)溫?:-40°C至+125°C
  3. ?保護功能?
    • 熱關(guān)斷(160°C觸發(fā))
    • 折返式過流保護(1.6A典型限流值)

?三、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新?

  1. ?NMOS拓撲優(yōu)勢?
    • 與傳統(tǒng)PMOS LDO相比,NMOS結(jié)構(gòu)提供:
      • 更低壓差(典型值降低30%)
      • 對輸出電容ESR不敏感(支持1μF陶瓷電容)
      • 固有反向電流阻斷能力
  2. ?雙硅片版本設(shè)計?
    • ?新型硅片?(CSO: RFB):
      • 總精度提升至±1.5%
      • 壓降低至122mV
      • 啟動時間縮短30%(431μs典型值)
    • ?傳統(tǒng)硅片?(CSO: DLN)保持向后兼容
  3. ?噪聲抑制技術(shù)?
    • 內(nèi)置27kΩ電阻+外部CNR電容構(gòu)成低通濾波
    • 可降低參考噪聲至8.5μVRMS/V(CNR=10nF時)

四、設(shè)計注意事項?

  1. ?布局指南?
    • 輸入/輸出電容需就近放置(<10mm)
    • 采用星型接地連接散熱焊盤
    • 避免在散熱路徑上布置敏感信號
  2. ?熱管理建議?
    • 計算最大功耗:PD = (VIN - VOUT) × IOUT
    • 對于SOT-223封裝,至少需要2in2銅箔面積(θJA<50°C/W)
  3. ?瞬態(tài)響應(yīng)優(yōu)化?
    • 增加輸出電容可減少欠沖幅度
    • 可調(diào)版本添加CFB電容(≤0.1μF)改善負載瞬態(tài)響應(yīng)

?五、選型對比?

型號輸出類型關(guān)鍵優(yōu)勢
TPS73701可調(diào)(1.2-5.5V)靈活的輸出電壓配置
TPS73733固定3.3V優(yōu)化用于MCU供電
TPS7A37(升級款)1%精度版本適用于精密模擬電路
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