TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標準。該TPS65295集成了兩個同步降壓轉(zhuǎn)換器（VPP 和 VDDQ）以及一個 1A 灌電流和源極跟蹤 LDO （VTT） 以及一個緩沖低噪聲基準電壓源 （VTTREF）。該TPS65295采用D-CAP3?模式和600kHz開關(guān)頻率，易于使用，瞬態(tài)快速，并支持陶瓷輸出電容器，無需外部補償電路。

VTTREF 跟蹤 1/2 VDDQ，精度極高，精度極高，為 0.8%。VTT提供1A灌電流和源極連續(xù)電流功能，只需要10μF的陶瓷輸出電容。
*附件：tps65295.pdf

該TPS65295提供了豐富的功能和出色的電源性能。它支持靈活的電源狀態(tài)控制，在S3中將VTT置于高阻，在S4/S5狀態(tài)下放電VDDQ、VTT和VTTREF。還提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關(guān)斷保護。該器件采用耐熱增強型 18 引腳 HotRod? VQFN 封裝，設計用于在 –40°C 至 125°C 結(jié)溫范圍內(nèi)工作。

特性

• 同步降壓轉(zhuǎn)換器 （VDDQ）
  • 輸入電壓范圍：4.5 V 至 18 V
  • 輸出電壓固定為 1.2 V
  • D-CAP3? 模式控制，實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應
  • 連續(xù)輸出電流：8 A
  • 高級 Eco 模式?脈沖跳躍
  • 集成 22mΩ 和 8.6mΩ R DS（開） 內(nèi)部電源開關(guān)
  • 600 kHz 開關(guān)頻率
  • 內(nèi)部軟啟動：1.6 ms
  • 逐周期過流保護
  • 鎖存輸出 OV 和紫外線防護
• 同步降壓轉(zhuǎn)換器 （VPP）
  • 輸入電壓范圍：3 V 至 5.5 V
  • 輸出電壓固定為 2.5 V
  • D-CAP3? 模式控制，實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應
  • 連續(xù)輸出電流：1 A
  • 高級 Eco 模式?脈沖跳躍
  • 集成 150mΩ 和 120mΩ R DS（開） 內(nèi)部電源開關(guān)
  • 580kHz 開關(guān)頻率
  • 內(nèi)部軟啟動：1 ms
  • 逐周期過流保護
  • 鎖存輸出 OV 和紫外線防護
• 1-A LDO（VTT）
  • 1-A 連續(xù)灌電流和源電流
  • 僅需要 10 μF 的陶瓷輸出電容器
  • 在 S3 中支持高 z
  • ±30 mV VTT 輸出精度 （DC+AC）
• 緩沖引用 （VTTREF）
  • 緩沖、低噪聲、±10mA 能力
  • 0.8% 輸出精度
• 低靜態(tài)電流：150 μA
• 電源良好指示燈
• 輸出放電功能
• 上電和斷電排序控制
• 用于 OT 和 UVLO 保護的非鎖存
• 18引腳3.0mm×3.0mm HotRod? VQFN封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPS65295是德州儀器（TI）推出的完整DDR4內(nèi)存電源解決方案，集成以下核心模塊：

• ?雙同步降壓轉(zhuǎn)換器?：
  • ?VDDQ?：固定1.2V輸出，輸入電壓4.5V-18V，持續(xù)電流8A，采用D-CAP3?控制模式，開關(guān)頻率600kHz。
  • ?VPP?：固定2.5V輸出，輸入電壓3V-5.5V，持續(xù)電流1A，開關(guān)頻率580kHz。
• ? 1A LDO（VTT） ?：支持1A持續(xù)灌/拉電流，輸出精度±30mV（DC+AC）。
• ? 緩沖參考電壓（VTTREF） ?：跟蹤? VDDQ電壓，精度0.8%。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?高效控制?：D-CAP3?模式支持快速瞬態(tài)響應，無需外部補償電路。
• ?低功耗?：靜態(tài)電流僅150μA，支持Advanced Eco-mode?輕載脈沖跳躍。
• ?保護功能?：過壓（OVP）、欠壓（UVP）、過流（OCP）、熱關(guān)斷（TSD）及電源序列控制。
• ?封裝?：18引腳3.0mm×3.0mm HotRod? VQFN，工作溫度-40°C至125°C。

?3. 應用場景?

• DDR4內(nèi)存供電（筆記本、PC、服務器、超極本、單板計算機等）。
• 符合JEDEC DDR4上電/掉電時序要求。

?4. 功能詳解?

• ?電源管理?：支持S0（全開）、S3（VTT高阻）、S4/S5（全關(guān)放電）狀態(tài)控制。
• ?軟啟動?：VDDQ（1.6ms）、VPP（1ms）內(nèi)置軟啟動時間。
• ?Power Good信號?：通過PGOOD引腳指示輸出電壓狀態(tài)（90%-110%范圍）。

?5. 設計建議?

• ?布局?：推薦4層PCB，關(guān)鍵元件靠近引腳放置，減少開關(guān)節(jié)點干擾。
• ?元件選型?：
  • ?電感?：VDDQ推薦0.47-0.68μH，VPP推薦3.3-6.8μH。
  • ?電容?：VDDQ輸出88-132μF，VTT需10μF陶瓷電容。
  • ?輸入電容?：PVIN需30μF，PVIN_VPP需10μF。

?6. 典型性能?

• ?效率?：VDDQ在12V輸入、8A負載下效率＞90%，VPP在5V輸入、1A負載下＞85%。
• ?瞬態(tài)響應?：VDDQ（1.6A→8A）波動±60mV，VPP（0→1A）波動±125mV。

?7. 安全與認證?

• ESD防護：HBM ±2000V，CDM ±500V。
• 環(huán)保標準：符合RoHS無鉛要求。