Texas Instruments TMUX7236 2:1 (SPDT) 雙通道精密開關(guān)是一款互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開關(guān)，具有防閉鎖能力，采用雙通道、2:1配置。該器件在雙電源（±5V至±22V）、單電源（5V至44V）或非對稱電源（例如V DD =12V、V SS =–5V）供電情況下運(yùn)行良好。TMUX7236可在源極引腳 (Sx) 和漏極引腳 (D) 上支持VSS至VDD范圍的雙向模擬和數(shù)字信號。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments TMUX7236 2-1 (SPDT) 雙通道精密開關(guān)數(shù)據(jù)手冊.pdf

所有邏輯控制輸入均支持1.8V至VDD邏輯閾值。當(dāng)器件在有效電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行時，該閾值可確保TTL和CMOS邏輯電路的兼容性。失效防護(hù)邏輯電路允許在電源引腳之前施加控制引腳上的電壓，從而保護(hù)器件免受潛在的損害。

Texas Instruments TMUX72xx系列具有防閉鎖能力。該特性可防止器件內(nèi)寄生結(jié)構(gòu)之間不受歡迎的大電流事件（通常由過壓事件引起）。閉鎖條件通常持續(xù)到電源軌關(guān)閉，可能導(dǎo)致器件故障。TMUX72xx系列開關(guān)和多路復(fù)用器具有防閂鎖特性，可用于惡劣環(huán)境。

特性

• 閉鎖抑制
• 雙電源范圍：±4.5V至±22V
• 單電源范圍：4.5V至44V
• 低導(dǎo)通電阻：2Ω
• 大電流支持：330mA（最大值） (WQFN)
• 工作溫度范圍：-40°C至+125°C
• 1.8V邏輯兼容
• 邏輯引腳上集成下拉電阻器
• 失效防護(hù)邏輯
• 軌到軌運(yùn)行
• 雙向工作

功能框圖

TMUX7236 2:1雙通道精密開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、核心特性概述?

德州儀器（TI）的TMUX7236是一款針對高精度信號切換設(shè)計的2:1（SPDT）雙通道模擬開關(guān)，具有以下突出特性：

1. ?寬電壓工作范圍?
   • 支持雙電源（±4.5 V至±22 V）、單電源（4.5 V至44 V）及非對稱電源（如VDD=12 V/VSS=-5 V）。
   • 信號路徑支持軌到軌輸入/輸出（VSS至VDD）。
2. ?低導(dǎo)通電阻與高電流能力?
   • ?RON典型值2 Ω?（VDD=±15 V時），全溫度范圍內(nèi)最大值4 Ω。
   • 支持連續(xù)電流高達(dá)330 mA（WQFN封裝），滿足工業(yè)大電流場景需求。
3. ?卓越的可靠性設(shè)計?
   • ? 抗閂鎖（Latch-Up Immune） ?：基于SOI工藝，避免寄生結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的失效。
   • ? 失效安全邏輯（Fail-Safe Logic） ?：控制引腳支持高達(dá)44 V電壓，無需電源時序控制。
4. ?低功耗與快速響應(yīng)?
   • 1.8 V邏輯兼容，內(nèi)置下拉電阻（約4 MΩ）。
   • 開關(guān)切換時間低至110 ns（VDD=±15 V時），支持高速信號路由。

?二、關(guān)鍵參數(shù)詳解?

1. ?導(dǎo)通電阻（RON）特性?
   • 隨電源電壓變化：±15 V雙電源時RON典型值為2 Ω，±20 V時降至1.7 Ω（見圖5-1）。
   • 通道間匹配度優(yōu)異：ΔRON < 0.18 Ω（25°C），減少多路切換時的信號偏差。
2. ?泄漏電流與隔離性能?
   • 關(guān)斷泄漏電流：
     • 源極（IS(OFF)）和漏極（ID(OFF)）典型值<1 nA（VDD=44 V時）。
   • 關(guān)斷隔離度：
     • -70 dB @ 100 kHz，有效抑制高頻串?dāng)_（圖5-21）。
3. ?動態(tài)特性?
   • 電荷注入：典型值30 pC（VDD=±15 V），可通過源極補(bǔ)償電容進(jìn)一步優(yōu)化（圖7-2）。
   • 帶寬：-3 dB帶寬達(dá)40 MHz（RL=50 Ω），適合高速數(shù)據(jù)采集。

?三、典型應(yīng)用場景?

1. ?工業(yè)自動化控制?
   • PLC模擬輸入模塊的多路校準(zhǔn)（圖8-1），利用低RON和電荷注入特性提升測量精度。
   • 支持±20 V信號切換，適配壓力/溫度傳感器接口。
2. ?醫(yī)療設(shè)備?
   • 超聲診斷儀中的信號路由，利用高隔離度（-50 dB @ 1 MHz）避免通道間干擾。
3. ?半導(dǎo)體測試?
   • 多測試點(diǎn)切換，通過Break-Before-Make（典型延遲27 ns）防止信號短路。
4. ?電源管理?
   • 非對稱電源配置（如VDD=12 V/VSS=-5 V）實(shí)現(xiàn)靈活的系統(tǒng)設(shè)計。

?四、設(shè)計注意事項?

1. ?電源去耦?
   • 推薦VDD/VSS并聯(lián)0.1 μF與1 μF MLCC電容，靠近引腳布局以降低噪聲（圖8-4）。
2. ?PCB布局優(yōu)化?
   • 高頻信號路徑避免90°轉(zhuǎn)角，采用圓弧走線減少反射（圖8-3）。
   • 敏感模擬信號與數(shù)字線路垂直交叉，降低耦合干擾。
3. ?熱管理?
   • WQFN封裝熱阻RθJA=41.5°C/W，需確保足夠散熱面積。

?五、選型與資源?

• ?封裝選項?：
  • WQFN（4 mm×4 mm）或TSSOP（5 mm×6.4 mm），支持-40°C至+125°C工業(yè)溫度范圍。
• ?開發(fā)支持?：
  • 參考設(shè)計：True Differential, 4×2 MUX AFE（TI文檔SLAAE88）。
  • 仿真模型：SPICE模型可通過TI官網(wǎng)下載。