前言
功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分,在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個(gè)極其高效、聽(tīng)話(huà)且力量巨大的”電能開(kāi)關(guān)“被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,是現(xiàn)代工業(yè)社會(huì)從“用電”邁向“智電”的關(guān)鍵基石。
01什么是IGBT模塊
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊是當(dāng)今功率電子領(lǐng)域的“核心執(zhí)行者”,被譽(yù)為電力電子行業(yè)的“CPU”。您可以把它想象成一個(gè)“超級(jí)功率開(kāi)關(guān)”的集成包。它將多個(gè)IGBT芯片與續(xù)流二極管芯片(FWD)通過(guò)特定電路拓?fù)浼煞庋b在一起,形成的一個(gè)高性能、高可靠性的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。其和單管的區(qū)別在于,IGBT單管是一個(gè)獨(dú)立的器件,功率較?。欢K將多個(gè)芯片并聯(lián),功率更大、散熱更好、可靠性更高,適用于工業(yè)級(jí)和能源級(jí)應(yīng)用。因此,不能將其視為簡(jiǎn)單芯片的堆砌,而是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)。其中,第七代IGBT模塊采用先進(jìn)的溝槽柵+場(chǎng)截止技術(shù),在導(dǎo)通損耗、電流密度與可靠性上實(shí)現(xiàn)全面升級(jí),進(jìn)一步拓展了功率半導(dǎo)體的應(yīng)用邊界。
02主要功能和結(jié)構(gòu)
核心功能:
IGBT模塊其最根本的用途是高效、精準(zhǔn)地控制和管理電能,特別是在高壓、大電流的條件下,能高效、快速地導(dǎo)通好和關(guān)斷電流,實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換與控制(如直流變交流、交流變直流、改變電壓頻率等),是電控系統(tǒng)的“動(dòng)力中樞”。
IGBT模塊主要實(shí)現(xiàn)以下幾種電能變換形式:
交換類(lèi)型 | 功能描述 | 形象類(lèi)比 | 典型應(yīng)用 |
直流→交流(逆變) | 將電池或整流器來(lái)的直流電,轉(zhuǎn)換成所需頻率和電壓的交流電 | “翻譯官”:把直流電的“語(yǔ)言”翻譯成交流電機(jī)的“語(yǔ)言”給交流電機(jī)“聽(tīng)”。 | 變頻空調(diào)、光伏逆變器、新能源汽車(chē)驅(qū)動(dòng)、變頻器 |
交流→直流(整流) | 將交流電轉(zhuǎn)換成平滑的直流電。 | “整理員”:把方向交替變化的交流電“整理”成方向單一的直流電。 | 工業(yè)變頻器內(nèi)部的整流單元(常與逆變集成) |
直流→直流(變壓) | 將一種電壓的直流電轉(zhuǎn)換成另一種電壓的直流電 | “變壓器”(用于直流):例如將汽車(chē)電池的高電壓降低為車(chē)載電器的低電壓。 | 新能源汽車(chē)的DC-DC變換器、開(kāi)關(guān)電源 |
交流→交流(變頻) | 改變交流電的頻率和電壓 | “調(diào)速器”:直接改變交流電機(jī)的供電頻率,從而精確控制器轉(zhuǎn)速。 | 變頻器、高鐵牽引系統(tǒng)、工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng) |
內(nèi)部結(jié)構(gòu)和封裝:
IGBT模塊結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型三極管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn),兼具電壓控制、驅(qū)動(dòng)功率小、耐壓高、電流大等特性。而第七代IGBT模塊制造技術(shù)采用溝槽柵+場(chǎng)截止技術(shù),相比前代實(shí)現(xiàn)了三大關(guān)鍵升級(jí):
①低損耗:導(dǎo)通壓降(Vce (sat))低至1.7V,開(kāi)關(guān)損耗降低30%以上,能源轉(zhuǎn)換效率顯著提升;
②高電流密度:芯片pitch值(相鄰單元中心點(diǎn)間距)縮小至1.4微米,相同封裝尺寸下電流承載能力提升20%;
③高可靠性:支持10μs短路耐受時(shí)間(VGE=15V、VCC≤600V時(shí)),過(guò)載溫度可達(dá)175℃,適應(yīng)復(fù)雜工業(yè)環(huán)境。
一個(gè)典型的IGBT模塊結(jié)構(gòu)如下圖所示:

其主要組成部分和封裝技術(shù)包括:
① 芯片(Die):核心,即第七代微溝槽場(chǎng)截止型IGBT芯片和二極管芯片。
② DBC基板(Direct Bonded Copper):覆蓋在銅底板上的陶瓷片(常用AI2O3或AIN),上下兩面覆銅。它起到電器絕緣和導(dǎo)熱橋梁的關(guān)鍵作用。
③ 銅底板(Beseplate):模塊的機(jī)械支撐和主要散熱通道。
④ 鍵合線(Bonding Wires):通常為粗鋁線,連接芯片電極與外部端子,承擔(dān)大電流。鍵合技術(shù)和線材質(zhì)量直接影響模塊的壽命和可靠性。先進(jìn)技術(shù)如銅線鍵合、超聲鍵合和雙面冷卻(SLC)技術(shù)可以顯著提升性能。
⑤ 端子(Terminals):包括主電路端子(如直流輸入+/-,交流輸出U/V/W)和驅(qū)動(dòng)控制端子(柵極)。
⑥ 外殼與硅凝膠:塑料外殼提供保護(hù),內(nèi)部的硅凝膠則用于防潮、絕緣、抑制放電和緩沖應(yīng)力。
03
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03應(yīng)用場(chǎng)景
IGBT模塊是“電能高效利用”的核心載體,廣泛應(yīng)用于各個(gè)需要大功率轉(zhuǎn)換與控制的場(chǎng)景,下面主要介紹商用炒菜機(jī)場(chǎng)景應(yīng)用:
在商用炒菜機(jī)領(lǐng)域中,配備了IGBT模塊的炒菜機(jī)能夠?qū)崿F(xiàn)高頻、無(wú)極、精準(zhǔn)的功率調(diào)節(jié)。對(duì)于炒菜機(jī)應(yīng)用,如果是普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(繼電器):無(wú)法高頻開(kāi)關(guān),反應(yīng)慢,只能進(jìn)行簡(jiǎn)單的通斷,會(huì)導(dǎo)致溫度劇烈波動(dòng),而且頻繁開(kāi)關(guān)容易燒蝕損壞;如果是普通MOSFET:雖然開(kāi)關(guān)頻率高,但在高壓大電流場(chǎng)合下?lián)p耗巨大,容易過(guò)熱燒毀。而IGBT模塊天生為高壓、大電流、高頻開(kāi)關(guān)的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它能夠輕松承受炒菜機(jī)的工作電壓和電流,自身發(fā)熱可控。使用IGBT模塊,能幫助現(xiàn)代炒菜機(jī)實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。
在炒菜機(jī)中,IGBT模塊主要可應(yīng)用于兩種加熱方式的電源板上:
①電磁加熱式炒菜機(jī):其原理類(lèi)似電磁爐,IGBT模塊是電磁線圈的驅(qū)動(dòng)核心,負(fù)責(zé)產(chǎn)生高頻交變磁場(chǎng),使鍋體自身發(fā)熱。這是最高效的方式。
②電阻加熱式炒菜機(jī):鍋底是發(fā)熱盤(pán)或發(fā)熱管,IGBT模塊作為發(fā)熱盤(pán)的功率控制開(kāi)關(guān),通過(guò)調(diào)節(jié)其通電時(shí)間來(lái)控溫。
總而言之,IGBT模塊能在炒菜機(jī)中扮演“智能火力控制系統(tǒng)”的核心角色,能幫助其實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的“炒、燜、蒸、煮”等復(fù)雜烹飪火候。
其他應(yīng)用場(chǎng)景:
① 工業(yè)控制:如變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器
② 新能源汽車(chē):如電控系統(tǒng)(主驅(qū)動(dòng)逆變器)、直流變換器(DC-DC)等。
③ 可再生能源發(fā)電:如光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電交流器等。
④智能家電:如變頻空調(diào)、變頻冰箱、變頻洗衣機(jī)等。
04實(shí)際產(chǎn)品介紹
下面以金蘭功率半導(dǎo)體幾款產(chǎn)品為實(shí)例進(jìn)行介紹:
JL3I200V65RE2PN:此款I(lǐng)GBT模塊為650V/200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選PressFIT壓接針腳技術(shù)。

其產(chǎn)品特點(diǎn)為:
| 優(yōu)異的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗 |
| 同類(lèi)最佳封裝,優(yōu)化外殼結(jié)構(gòu),更長(zhǎng)的爬電距離 |
| 采用ZTA基板,更低的結(jié)殼熱阻,更強(qiáng)的可靠性 |
| 模塊雜散電感極低;優(yōu)化接線端子,在大電流下更低的端子溫升 |
| 可選PressFIT針腳和焊接針 |
其具備出色的模塊效率,能顯著提高功率密度和系統(tǒng)效率,緊湊型的設(shè)計(jì),使系統(tǒng)成本更具優(yōu)勢(shì)。此款I(lǐng)GBT模塊推薦用于有源電力濾波器(Active Power Filter,簡(jiǎn)稱(chēng)APF)及其他三電平應(yīng)用。APF可廣泛應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)和機(jī)關(guān)團(tuán)體的配電網(wǎng)中,如:電力系統(tǒng)、電解電鍍企業(yè)、水處理設(shè)備、石化企業(yè)、大型商場(chǎng)及辦公大樓、精密電子企業(yè)、機(jī)場(chǎng)港口的供電系統(tǒng)、醫(yī)療機(jī)構(gòu)等。
JLHF800B120RD3E7DN:該款產(chǎn)品是金蘭LD3封裝模塊中的一個(gè)典型產(chǎn)品,該產(chǎn)品為半橋拓?fù)?,并?nèi)置熱敏電阻(NTC)。該產(chǎn)品采用AMB(Si3N4)陶瓷基板,具有較高的熱導(dǎo)率、更好的可靠性;芯片采用第七代IGBT,實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度和更低的功率損耗。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于儲(chǔ)能、光伏逆變、工業(yè)變頻、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。

其產(chǎn)品特點(diǎn)為:
| 全溫度范圍Vce耐壓大于1200V |
| 飽和壓降低至1.7V,更低的導(dǎo)通損耗,卓越的開(kāi)關(guān)損耗 |
| 10μs的短路時(shí)間 |
| 除常規(guī)可靠性項(xiàng)目外,還可以通過(guò)1000小時(shí)常溫反偏阻斷實(shí)驗(yàn)(100%Vce,RTRB) |
| 采用AMB(Si3N4)陶瓷基板,較常規(guī)基板熱阻降低25%以上 |
| 采用AMB(Si3N4)陶瓷基板,耐高低溫沖擊能力提高8倍以上 |
| 優(yōu)化外殼結(jié)構(gòu),更長(zhǎng)的爬電距離 |
| 優(yōu)化接線端子,在大電流下更低的端子溫升 |
JLFF100B65RN2E7SN:該產(chǎn)品是金蘭推出的一款LN2封裝IGBT模塊,集成NCE第7代溝槽/場(chǎng)截止型IGBT、發(fā)射極控制二極管(Emitter Controlled Diode)及NTC溫度傳感器,主打高可靠性與高效能,適用于中高壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。

其產(chǎn)品特點(diǎn)為:
| 采用低VCE (sat)溝槽IGBT技術(shù),導(dǎo)通損耗低,能源轉(zhuǎn)換效率高;VCE (sat)具備正溫度系數(shù),便于多模塊并聯(lián)使用。 |
| 具備10μs短路耐受能力(VGE=15V、VCC≤600V、Tj≤150℃時(shí),短路電流ISCL typ=500A),抗過(guò)載能力強(qiáng)。 |
| 支持最高 175℃過(guò)載工作溫度(常規(guī)工作溫度 - 40~150℃),適應(yīng)復(fù)雜工業(yè)環(huán)境。 |
| 采用銅基板(Copper Base Plate)與低電感外殼,散熱性能優(yōu)異,同時(shí)降低寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響。 |
| 集成NTC溫度傳感器(25℃時(shí)額定電阻R25 typ=5.0kΩ,B值穩(wěn)定),可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)模塊溫度,保障安全運(yùn)行。 |
| 絕緣測(cè)試電壓V_ISOL=2.5kV RMS(50Hz,60s),內(nèi)部采用Al?O?基本絕緣(符合IEC 61140 Class 1標(biāo)準(zhǔn))。 |
| 端子到散熱片的爬電距離10.0mm、電氣間隙7.5mm,comparative tracking index(CTI)>200,電氣安全性高。 |
該產(chǎn)品根據(jù)特性,可適用于需要中高壓、高可靠功率控制的場(chǎng)景,包括:電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域:工業(yè)電機(jī)、伺服電機(jī)的變頻驅(qū)動(dòng)系統(tǒng);新能源相關(guān)領(lǐng)域:光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器;工業(yè)電源領(lǐng)域:隔離式DC-DC/AC-DC電源、UPS(不間斷電源);其他領(lǐng)域:大功率變頻器、焊接設(shè)備等功率轉(zhuǎn)換設(shè)備;等等。
0
05結(jié)語(yǔ)
域發(fā)揮
IGBT模塊是現(xiàn)代電控系統(tǒng)的“肌肉和骨骼”,它承上啟下:連接了微小的控制信號(hào)(信號(hào)端)和強(qiáng)大的動(dòng)力執(zhí)行(能源端),將微小的控制信號(hào)轉(zhuǎn)化為強(qiáng)大的電力驅(qū)動(dòng);它高效節(jié)能:其自身的損耗遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的機(jī)械開(kāi)關(guān)或舊式功率器件,極大地提高了能源利用效率;它精準(zhǔn)控制:實(shí)現(xiàn)了對(duì)電能的形式、頻率、電壓的精準(zhǔn)控制,從而實(shí)現(xiàn)了設(shè)備的智能化運(yùn)行。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),凡是需要高效處理、轉(zhuǎn)換和控制大功率電能的地方,幾乎都離不開(kāi)IBGT模塊。
未來(lái),IGBT 模塊將向“更低損耗(如寬禁帶半導(dǎo)體結(jié)合)、更高集成度(集成驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路)、更優(yōu)成本”方向發(fā)展,進(jìn)一步鞏固其在功率電子領(lǐng)域的核心地位。
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