電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）隨著材料工程、巨量轉(zhuǎn)移、色彩轉(zhuǎn)換與驅(qū)動(dòng)集成等關(guān)鍵技術(shù)的協(xié)同突破，MicroLED顯示正跨越單色階段，邁入高色域、高效率、高良率的全彩化可量產(chǎn)時(shí)代。就在近日，國(guó)內(nèi)MicroLED微顯示企業(yè)——鴻石智能發(fā)布了革命性新品“極光耀影XC6”全彩色光機(jī)，及其此前展示的單片全彩微顯示光芯片AC3，共同構(gòu)建了全彩MicroLED完整生態(tài)。

新品XC6具備250萬(wàn)nit的超高合光亮度、109.89% NTSC的極致色域表現(xiàn)，鴻石智能憑借量子點(diǎn)光刻色轉(zhuǎn)換（QDPR）技術(shù)路徑這一破局之選，一舉攻克困擾MicroLED產(chǎn)業(yè)多年的“全彩化”核心瓶頸——紅光效率與穩(wěn)定性難題，為下一代AR眼鏡的大規(guī)模商業(yè)化鋪平了道路。

QDPR技術(shù)破局紅光之困，單紅光亮度達(dá)200萬(wàn)尼特
合光是實(shí)現(xiàn)MicroLED全彩化的顯示方案之一，該技術(shù)主要是光學(xué)棱鏡將R、G、B三色 Micro LED 合成全彩顯示。鴻石智能的極光耀影XC6正是采用合光發(fā)方案。但在MicroLED的全彩化過(guò)程中還面臨著“三色之困”，特別是紅色。

為了解決紅色的問(wèn)題，業(yè)內(nèi)主要有兩種技術(shù)路線(xiàn)：AlGaInP （磷化鋁鎵銦）和彩色轉(zhuǎn)換。但AlGaInP 線(xiàn)由于其材料體系與常用襯底之間存在顯著的晶格失配，其內(nèi)量子效率普遍不足2%。彩色轉(zhuǎn)換方案雖可規(guī)避晶格失配問(wèn)題，但其本質(zhì)是“光子降頻”過(guò)程——高能量藍(lán)光光子被吸收后轉(zhuǎn)換為低能量紅光光子，整體光效大幅下降，最終會(huì)出現(xiàn)“亮度不足、色彩不艷”的缺陷。

無(wú)論是原生紅光芯片AlGaInP方案還是彩色轉(zhuǎn)換方案，這兩種方案在實(shí)現(xiàn)高效率、高亮度、高色純度且熱穩(wěn)定的紅光輸出方面均面臨瓶頸，亟須從材料創(chuàng)新、器件架構(gòu)等維度尋求突破。

面對(duì)這一行業(yè)共性難題，鴻石智能并未沿襲傳統(tǒng)改良思路，而是以開(kāi)拓者的姿態(tài)，創(chuàng)新性地應(yīng)用 QDPR技術(shù)路徑。鴻石智能介紹，QDPR技術(shù)將量子點(diǎn)材料與半導(dǎo)體光刻工藝深度融合，在藍(lán)綠MicroLED 晶圓像素點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)納米級(jí)精準(zhǔn)沉積紅光量子點(diǎn)。

基于QDPR技術(shù)路徑，單紅光亮度峰值可以達(dá)到200萬(wàn)尼特。受益于量子點(diǎn)材料的窄半峰寬特性，極光耀影XC6達(dá)成了109.89% NTSC、114.37% DCI-P3和155.15% sRGB的覆蓋率，確保了虛擬影像與現(xiàn)實(shí)世界的融合。

極光耀影XC6還具備微型化、卓越能效比等特點(diǎn)。其體積僅為0.35cc，具備超過(guò)250萬(wàn)nits的合光亮度。在實(shí)現(xiàn)超高亮度的同時(shí)，其光效達(dá)到8lm/w，有效平衡了亮度與功耗。

三色合光、單片全彩雙輪驅(qū)動(dòng)
在MicroLED全彩化上，鴻石智能并非是“單點(diǎn)突破”，鴻石智能采取了“雙路徑并行”的戰(zhàn)略布局。在推出基于合光方案的極光耀影XC6的同時(shí)，其采用混合堆疊結(jié)構(gòu)（Hybrid Stack Structure, HSS） 的單片全彩微顯示光芯片AC3同樣備受矚目。

AC3采用了鴻石智能的第三代技術(shù)平臺(tái)混合堆疊結(jié)構(gòu)。該技術(shù)融合了兩次晶圓鍵合與一次量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了藍(lán)綠外延片的集成及紅光的精準(zhǔn)呈現(xiàn)，最終實(shí)現(xiàn)了120萬(wàn)尼特的白光亮度。

鴻石智能新市場(chǎng)開(kāi)發(fā)副總經(jīng)理劉懌在公開(kāi)演講時(shí)提到，在混合堆疊結(jié)構(gòu)技術(shù)平臺(tái)下，可以把像素間距做到2.5微米，像素點(diǎn)（發(fā)光體）直徑達(dá)到1.9微米。此外，兩個(gè)像素之間的溝槽寬度縮小到0.6微米，相比上一代這個(gè)平臺(tái)的1.55微米，實(shí)現(xiàn)單位面積排列更多的像素點(diǎn)。

基于混合堆疊結(jié)構(gòu)，AC3微顯示芯片尺寸縮小至0.12英寸，分辨率為320*240，像素尺寸為7.5*7.5微米，像素密度3400PPI，適用于對(duì)體積和光路有極致要求的特定場(chǎng)景。


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寫(xiě)在最后
鴻石智能極光耀影XC6的發(fā)布，及其背后QDPR技術(shù)的成功，標(biāo)志著MicroLED全彩化邁出了從“技術(shù)可行”到“商業(yè)可行”的關(guān)鍵一步。它在保留MicroLED核心優(yōu)勢(shì)的前提下，以創(chuàng)新的材料與工藝，解決了最棘手的紅光瓶頸，實(shí)現(xiàn)了亮度、色彩、穩(wěn)定性、良率的全面突破。同時(shí)，AC3采用混合堆疊結(jié)構(gòu)，提升像素密度與集成度，二者互補(bǔ)布局。

通過(guò)XC6全彩色光機(jī)（合光方案）與微顯示光芯片AC3（單片全彩方案）協(xié)同，鴻石智能覆蓋了從三色合光方案到單片全彩的多種技術(shù)路徑，同時(shí)實(shí)現(xiàn)從底層核心器件到終端顯示模組的完整技術(shù)鏈條的布局。

當(dāng)前，鴻石智能正在加速推進(jìn)MicroLED全彩化技術(shù)，據(jù)了解公司的莫干山項(xiàng)目預(yù)計(jì)在2026年下半年開(kāi)始進(jìn)行200萬(wàn)尼特亮度的單片全彩微顯示芯片的量產(chǎn)調(diào)試，助力MicroLED全彩顯示方案走向市場(chǎng)。