安世半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質(zhì)量和可靠性方面享有盛譽(yù)。安世半導(dǎo)體矢志創(chuàng)新，不斷快速擴(kuò)展產(chǎn)品組合，尤其是功率 MOSFET、寬帶間隙半導(dǎo)體、IGBT 以及模擬和電源管理集成電路。每年增加 800 多種新類型。僅在 2024 年，就發(fā)布了超過(guò) 70 款模擬和電源管理類新部件。

安世半導(dǎo)體大筆投資制造業(yè)，如在漢堡工廠投資 2 億美元研發(fā) SiC 和 Gan 技術(shù)，彰顯出公司在努力踐行提升生產(chǎn)能力和滿足未來(lái)需求的承諾。安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，在歐洲擁有超過(guò) 60 年的悠久歷史。目前在歐洲、亞洲和美國(guó)共有 12,500 多名員工，每年出貨量超過(guò) 1,000 億件產(chǎn)品，業(yè)務(wù)遍及全球，確保提供強(qiáng)大的支持和供應(yīng)鏈管理。

特色產(chǎn)品

功率 MOSFET

工業(yè)級(jí)功率 MOSFET、汽車認(rèn)證功率 MOSFET、小信號(hào) MOSFET 以及專用 MOSFET（電壓范圍為 20V 至 100V）。采用銅夾片封裝技術(shù)（LFPAK、CCPAK）和微型引線封裝 (MLPAK)，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和可靠性

IGBT

H 系列（高速）和 M 系列（電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)）650V IGBT 分立器件展現(xiàn)出出色的耐用性與可靠性，同時(shí)可提升逆變器功率密度，適用于中高壓工業(yè)領(lǐng)域

SiC 二極管

具有不受溫度影響的電容關(guān)閉和零恢復(fù)開(kāi)關(guān)特性，以及出色的品質(zhì)因數(shù)(Qc x VF)。合并 PiN 肖特基二極管提高了穩(wěn)健性，可耐受高 IFSM。

SiC MOSFET

提供出色的 RDSon 溫度穩(wěn)定性、快速開(kāi)關(guān)速度和高短路耐受能力，適用于高功率和高電壓工業(yè)應(yīng)用。

增強(qiáng)型/共源共柵 GaN FET

低壓增強(qiáng)型 GaN FET、650 V 增強(qiáng)型 GaN FET、雙向 GaN FET 和 650 V 共源共柵 GaN FET。通過(guò)降低低功率或高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高功率密度。

電源管理

通過(guò)快速增長(zhǎng)的產(chǎn)品組合（包括交流/直流控制器集成電路、LED 驅(qū)動(dòng)器集成電路、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電子保險(xiǎn)絲、柵極驅(qū)動(dòng)器、低壓差線性穩(wěn)壓器、負(fù)載開(kāi)關(guān)等），實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率與高可靠性。

隔離

數(shù)字隔離器和變壓器驅(qū)動(dòng)器對(duì)于高壓應(yīng)用中數(shù)字通信和電源的隔離至關(guān)重要。

功率整流器

可以提供高功率密度，同時(shí)還能帶來(lái)極小的反向恢復(fù)時(shí)間和功率損耗，從而實(shí)現(xiàn)高效開(kāi)關(guān)。采用經(jīng)過(guò)汽車行業(yè)認(rèn)證的銅夾片 CFP 封裝，節(jié)省空間。