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?TPSM65630 高密度同步降壓DC/DC電源模塊技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-09-25 13:58 ? 次閱讀
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TPSM656x0 是 3A、2A、1A、65V(70V 容差)輸入同步降壓 DC/DC 功率模塊系列,將功率 MOSFET、集成電感器和無源器件集成在緊湊且易于使用的 5.8mm × 5.2mm × 2.93mm、19 引腳增強型 HotRod QFN 封裝中。TPSM656x0 具有 3.3V 和 5V 的引腳可選固定輸出電壓以及 1V 至 24V 的可調(diào)輸出電壓,旨在在較小的 PCB 占用空間內(nèi)快速輕松地實現(xiàn)低 EMI 設(shè)計。該模塊只需要輸入和輸出濾波電容器即可完成設(shè)計,并消除了設(shè)計過程中的磁性和補償部件選擇。引腳可選的 ±5% 或 ±10% 雙隨機擴頻 (DRSS) 通過三角和偽隨機調(diào)制的組合顯著降低峰值輻射,同時保持非常低的輸出電壓紋波。
*附件:tpsm65630.pdf

特性

  • 多功能同步降壓 DC/DC 模塊
    • 集成 MOSFET、電感器控制器
    • 3V 至 65V 寬輸入電壓范圍
    • 40ns(最大)的低最小導(dǎo)通時間可在2.2MHz時實現(xiàn)36V至3.3V轉(zhuǎn)換
    • –40°C 至 150°C 結(jié)溫范圍
    • 5.80mm × 5.20mm × 2.93mm 增強型 HotRod? QFN 封裝,帶裸露電感
    • 頻率可在 300kHz 至 2.2MHz 之間調(diào)節(jié)
  • 在整個負載范圍內(nèi)實現(xiàn)超高效率
    • 24VIN、5VOUT、400kHz 時峰值效率為 92%

    • 2.5μA PFM 空載輸入電流
  • 針對超低 EMI 要求進行了優(yōu)化
    • 促進 CISPR 11 B 類合規(guī)性
    • 模式引腳可配置 ±5% 或 ±10% 雙隨機擴頻,降低峰值輻射
    • 增強型 HotRod QFN 封裝,具有對稱引腳排列
    • 引腳可配置400kHz和2.2MHz
    • 引腳可配置的 AUTO 或 FPWM作
  • 輸出電壓和電流選項
    • 3.3V 或 5V VOUT 固定輸出型號
    • 輸出電壓可調(diào)范圍為 1V 至 24V
    • 3A、2A、1A 輸出電流選項
  • 固有的保護功能,設(shè)計堅固
    • 精密使能輸入和漏極開路電源良好指示器,用于排序、控制和 VIN UVLO
    • 過流和熱關(guān)斷保護

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 核心特性?

  • ?寬輸入電壓范圍?:3V至65V(耐壓70V),支持1V至24V可調(diào)輸出,提供3A/2A/1A電流選項。
  • ?高集成度?:集成MOSFET、電感、控制器及被動元件,采用5.8mm×5.2mm×2.93mm HotRod? QFN封裝,簡化PCB設(shè)計
  • ?高效與低功耗?:峰值效率>92%(24V輸入至5V輸出),待機電流低至2.5μA(PFM模式)。
  • ?低EMI設(shè)計?:支持±5%/±10%雙隨機擴頻調(diào)制(DRSS),符合CISPR 11 Class B標準。
  • ?靈活配置?:
    • 引腳可選固定輸出(3.3V/5V)或可調(diào)輸出(1V-24V)。
    • 開關(guān)頻率可調(diào)(300kHz-2.2MHz),支持外部時鐘同步。
    • 工作模式可選(AUTO/FPWM)。

?2. 關(guān)鍵功能?

  • ?保護機制?:
    • 精確使能(EN/UVLO)與開漏電源良好(PGOOD)指示。
    • 過流、熱關(guān)斷保護及打嗝模式(Hiccup)故障恢復(fù)。
  • ?控制特性?:
    • 電流模式控制架構(gòu),最小導(dǎo)通時間30ns,支持高轉(zhuǎn)換比與快速瞬態(tài)響應(yīng)。
    • 軟啟動時間5.3ms,避免啟動沖擊。

?3. 典型應(yīng)用?

  • 工業(yè)運輸、工廠自動化、醫(yī)療成像、測試設(shè)備、航空航天、機器人等嚴苛環(huán)境。

?4. 設(shè)計支持?

  • ?引腳配置?:19引腳QFN封裝,對稱布局優(yōu)化EMI。
  • ?文檔支持?:提供詳細電氣特性、熱性能參數(shù)、布局建議及典型應(yīng)用電路。
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