TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 TPS7H6005 （200V 額定值）、TPS7H6015 （60V 額定值） 和 TPS7H6025 （22V 額定值）。這些器件均采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和空間增強塑料 （SEP） 等級。這些驅動器具有可調節(jié)的死區(qū)時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高側和低側 LDO，無論電源電壓如何，都能確保 5V 的驅動電壓。TPS7H60x5 驅動器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨立調整輸出的導通和關斷強度。
*附件：tps7h6025-sp.pdf

TPS7H60x5 驅動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，從單個輸入生成兩個互補輸出信號，用戶可以調整每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導通時，輸入互鎖不允許兩個輸出導通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，從而允許驅動器用于多種不同的轉換器配置。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

特性

• 輻射性能：
  • 輻射硬度保證 （RHA） 高達 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單事件瞬態(tài) （SET）、單事件燒毀 （SEB） 和單事件柵極破裂 （SEGR） 不受線性能量轉移 （LET） 影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單事件瞬態(tài) （SET） 和單事件功能中斷 （SEFI） 表征高達 LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值源，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 單PWM輸入，死區(qū)時間可調
  • 兩個獨立的輸入
• 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
• 分體式輸出，可調節(jié)導通和關斷時間
• 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
• 5.5ns典型延遲匹配
• 塑料包裝的廢氣經過 ASTM E595 測試
• 提供軍用溫度范圍（–55°C 至 125°C）

參數

方框圖

?1. 產品概述?
TPS7H60x5系列是德州儀器(TI)推出的輻射硬化保證(RHA)半橋GaN FET柵極驅動器，包含TPS7H6005(200V)、TPS7H6015(60V)和TPS7H6025(22V)三種型號。該系列提供56引腳HTSSOP塑料封裝，支持QMLP和空間增強塑料(SEP)等級。

?2. 關鍵特性?

• ?輻射性能?：
  • 總電離劑量(TID)耐受達100krad(Si)
  • 對單粒子瞬態(tài)(SET)、單粒子燒毀(SEB)和單粒子柵擊穿(SEGR)免疫（LET=75MeV-cm2/mg）
• ?驅動能力?：1.3A峰值源電流，2.5A峰值灌電流
• ?工作模式?：支持單PWM輸入（可調死區(qū)時間）和獨立雙輸入模式
• ?其他特性?：
  • 30ns典型傳播延遲（獨立輸入模式）
  • 5.5ns延遲匹配
  • 符合ASTM E595的塑料封裝出氣測試
  • 軍用溫度范圍（-55°C至125°C）

?3. 典型應用?

• 衛(wèi)星電源系統(tǒng)
• 電機驅動
• 反作用輪
• 通信和光學成像載荷

?4. 功能描述?

• ?電源管理?：內置高低側LDO，確保5V驅動電壓
• ?控制模式?：
  • 獨立輸入模式(IIM)：各輸出由獨立輸入控制
  • PWM模式：單輸入生成互補輸出，可調死區(qū)時間
• ?保護功能?：可配置輸入互鎖保護，防止直通

?5. 封裝與型號?

?6. 電氣參數?

• ?工作電壓?：VIN=10V至14V
• ?開關特性?：
  • 傳播延遲：≤50ns（IIM模式）
  • 上升/下降時間：≤7.5ns（負載1nF）
• ?保護閾值?：
  • BP5L/BP5H UVLO閾值：4.25V（上升）、3.8V（下降）
  • VIN UVLO閾值：8.6V（上升）、7.5V（下降）

?7. 設計支持?

• 提供典型應用電路、布局建議和熱管理方案
• 文檔包含詳細的引腳功能、時序圖和特性曲線