Texas Instruments JFE2140 N溝道 JFET是Burr-Brown? 匹配對分立式JFET，采用TI的高性能模擬雙極工藝制造而成。JFE2140在所有電流范圍內(nèi)均具有出色的噪聲性能，用戶可將靜態(tài)電流設(shè)置為50μA至20mA。當(dāng)偏置為5mA時(shí)，JFE2140產(chǎn)生0.9nV/√Hz的輸入?yún)⒖荚肼?，從而?shí)現(xiàn)了超低噪聲性能和極高的輸入阻抗 (> 1TΩ)。此外，JFET之間的匹配經(jīng)過測試達(dá)到 ±4mV，確保了差分對配置的低失調(diào)和高CMRR性能。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments JFE2140 N溝道JFET數(shù)據(jù)手冊.pdf

此外，TI JFE2140 N溝道JFET還設(shè)有連接到獨(dú)立鉗位節(jié)點(diǎn)的集成二極管，確保無需添加高漏電流、非線性外部二極管即可提供保護(hù)。

JFE2140可承受40 V高漏極-源極電壓，指定溫度范圍為–40°C至+125 °C。該器件允許柵極到源極和柵極到漏極電壓低至-40V。

特性

• 超低噪聲：
  • 電壓噪聲：
    • 0.9nV/√Hz（1kHz，IDS = 5mA時(shí)）
    • 1.1nV/√Hz（1kHz，IDS = 2mA時(shí)）
  • 電流噪聲：1.6fA/√Hz（1 kHz時(shí)）
• 低VGS 失配：4mV（最大值）
• 低柵極電流：10pA（最大值）
• 低輸入電容：13pF（VDS = 5V時(shí)）
• 高柵極至漏極和柵極至源極擊穿電壓：–40V
• 高跨導(dǎo)：30mS
• SOIC和2mm × 2mm WSON封裝

簡化示意圖

功能框圖

Texas Instruments JFE2140 N溝道JFET數(shù)據(jù)手冊總結(jié)?

?1. 產(chǎn)品概述?
JFE2140是德州儀器（TI）推出的超低噪聲、匹配雙通道N溝道JFET，專為高精度音頻和傳感器應(yīng)用設(shè)計(jì)。其核心特性包括：

• ?超低噪聲?：1kHz時(shí)電壓噪聲低至0.9 nV/√Hz（5mA偏置），電流噪聲1.6 fA/√Hz。
• ?高匹配精度?：柵源電壓失配最大4mV，提升差分電路共模抑制比（CMRR）。
• ?低柵極電流?：≤10 pA，適合高阻抗信號源（如麥克風(fēng)、水聽器）。
• ?寬工作范圍?：支持-40°C至+125°C溫度，柵源/柵漏耐壓-40V。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?電氣特性?：
  • 輸入電容13 pF（VDS=5V），跨導(dǎo)30 mS。
  • 飽和電流IDSS典型值18 mA，擊穿電壓VDSS 40V。
• ?封裝選項(xiàng)?：8引腳SOIC（4.9×6 mm）和WSON（2×2 mm）。

?3. 應(yīng)用場景?

• ?音頻設(shè)備?：麥克風(fēng)前置放大、吉他放大器、專業(yè)調(diào)音臺。
• ?傳感器接口?：水聽器、振動監(jiān)測傳感器。
• ?差分電路?：憑借高匹配性優(yōu)化差分放大器性能。

?4. 功能設(shè)計(jì)?

• ?集成保護(hù)二極管?：通過VCH/VCL引腳實(shí)現(xiàn)輸入過壓鉗位，無需外部二極管。
• ?工作模式?：支持線性區(qū)（電阻特性）和飽和區(qū)（跨導(dǎo)放大），VGSC為截止電壓閾值。

?5. 典型電路?

• ?共源放大器?：通過RS調(diào)節(jié)偏置電流，RD設(shè)置增益（公式：增益≈-gm·RD/(1+gm·RS)）。
• ?復(fù)合放大器?：結(jié)合運(yùn)放（如OPA1692）提升增益精度和帶寬。
• ?差分前端?：搭配全差分運(yùn)放（如OPA1637）實(shí)現(xiàn)高CMRR。

?6. 布局建議?

• 縮短輸入走線，避免與電源/輸出線平行。
• 關(guān)鍵信號采用保護(hù)環(huán)設(shè)計(jì)，PCB清洗后需85°C烘烤除濕。