文章來(lái)源：老虎說(shuō)芯

原文作者：老虎說(shuō)芯

本文介紹了碳化硅MOS的特點(diǎn)、挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。

碳化硅材料特點(diǎn)

目前車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導(dǎo)體材料相比， 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件?；赟iC材料優(yōu)良的特性，與硅基MOSFET/IGBT相比，相同規(guī)格SiC MOSFET在損耗、體積等指標(biāo)上具有一定優(yōu)勢(shì)。

碳化硅需要突破的地方

盡管SiC產(chǎn)品在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景被業(yè)界廣泛看好，目前最大的發(fā)展瓶頸主要在于SiC MOSFET產(chǎn)品性價(jià)比較低。價(jià)格方面，由于SiC襯底生產(chǎn)效率低，成本較硅晶片高出較多，再加上后期外延、芯片制造及器件封裝的低成品率，導(dǎo)致SiC器件價(jià)格居高不下。

產(chǎn)品性能方面，SiC MOSFET制造工藝中高質(zhì)量、低界面態(tài)的柵界面調(diào)控技術(shù)還需加強(qiáng)，批量制造技術(shù)與成品率也需進(jìn)一步提升。同時(shí)，SiC MOSFET真正落地的時(shí)間較短，在車載領(lǐng)域的穩(wěn)定性和壽命等指標(biāo)還需要時(shí)間與實(shí)踐驗(yàn)證。

碳化硅發(fā)展趨勢(shì)

具有長(zhǎng)續(xù)航里程的中高端車型將率先導(dǎo)入。目前，新能源汽車企業(yè)普遍靠提高電池容量來(lái)增加續(xù)航里程。SiC MOSFET相比硅基IGBT損耗更低、功率轉(zhuǎn)換效率更高，可在電池容量不變的前提下增加汽車?yán)m(xù)航里程。因此，綜合考慮技術(shù)及成本因素，SiC MOSFET將在具有長(zhǎng)續(xù)航里程的中高端新能源車型中率先導(dǎo)入。