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HVCC一類瓷介電容器

具有低直流偏壓特性和低介質(zhì)損耗因子(DF)的一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容

這些器件可降低工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用中高壓發(fā)生器的功率功耗

Vishay 宣布，推出新系列一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容，該系列產(chǎn)品具有低介質(zhì)損耗因子(DF)和低直流偏壓的特性，適用于工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。

Vishay Roederstein HVCC 一類瓷介電容器系列在 15 kV 條件下的電容變化低于 25 %，僅為二類瓷介電容器的一半。此外，這些器件在 1 kHz 時(shí)的介質(zhì)損耗因子值小于 1.0 %，比二類瓷介電容器低 0.5 %。使得其在行李安檢機(jī)、醫(yī)療和工業(yè) X 射線、空氣凈化器和離子發(fā)生器以及脈沖激光器等應(yīng)用的高壓發(fā)生器電路中的功率損耗更低，且可靠性更高。

HVCC 一類瓷介電容器系列的電容值范圍為 100 pF 至 1 nF，標(biāo)準(zhǔn)容差為 ± 10 %，額定工作電壓為 15 kVDC，工作溫度范圍為 -30 °C 至 + 85 °C。該電容由鍍銀陶瓷瓷片和鍍錫銅包鋼連接引腳組成，可選引腳直徑有 0.65 mm 和 0.80 mm 兩個(gè)規(guī)格。該電容符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，提供直引腳封裝，引腳間距有 9.5 mm 和 12.5 mm 兩個(gè)規(guī)格，采用符合 UL 94 V-0 標(biāo)準(zhǔn)的阻燃環(huán)氧樹脂材料密封封裝。

HVCC一類瓷介電容器系列現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。