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高電流的POL應(yīng)用存在哪些挑戰(zhàn)

西西 ? 作者:廠商供稿 ? 2018-07-05 15:54 ? 次閱讀
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集成是有好處的有很多原因,但每次集成度的增加通常都伴隨著對(duì)更多電力的需求。負(fù)載點(diǎn)電源(POL)穩(wěn)壓器很好地在需要處并以適當(dāng)?shù)碾娖教峁╇娏?,但也面臨著挑戰(zhàn)。

這些挑戰(zhàn)包括高能效和合適的功率密度,當(dāng)然,還有擴(kuò)展到可編程性和靈活性、具有快速的瞬態(tài)響應(yīng)、嚴(yán)格的容限和精度。所有這一切,必須結(jié)合在一個(gè)方案中,具有可靠的電流和電壓保護(hù)及卓越的熱管理。

電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)需要達(dá)到新的能效水平,以便在不消耗熱量預(yù)算的情況下提供更多的電力。同時(shí),制造商想要更高的集成度和更小的PCB占位,那么是否有可能滿足所有這些要求呢?

高電流的POL應(yīng)用存在哪些挑戰(zhàn)

高電流的POL應(yīng)用確實(shí)存在著一系列的挑戰(zhàn),但是FAN6500XX產(chǎn)品系列已經(jīng)被設(shè)計(jì)用來處理這些問題。FAN65004B/5A/8B系列能提供高達(dá)100 W的功率及達(dá)95%的高能效,提供出色的熱性能,在小的6x6mm PQFN 35封裝中溫度僅升29°C。此外,F(xiàn)AN 65系列有一個(gè)節(jié)能模式,以實(shí)現(xiàn)輕載條件下的更高能效。

FAN6500xx是一個(gè)多芯片模塊,包含產(chǎn)生一個(gè)中間總線所需的所有有源器件,用于POL應(yīng)用,包括同步降壓PWM控制器、驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)MOSFET(高邊和低邊)。這高集成度減少了對(duì)多個(gè)外部器件的需求,同時(shí)支持使用最優(yōu)輸出濾波電感和電容。優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的模擬專知、和卓越的品質(zhì)因數(shù)的(FOM)MOSFET使FAN6500XX成為同類最佳的方案。

高電流的POL應(yīng)用存在哪些挑戰(zhàn)

開發(fā)所有器件在一個(gè)多芯片方案中的一個(gè)巨大優(yōu)勢是能在門極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET之間進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。FAN6500XX采用安森美半導(dǎo)體的PowerTrench? MOSFET技術(shù)。這種屏蔽門(shield gate)技術(shù)提供更低的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴和降低的擊穿或交叉?zhèn)鲗?dǎo)的風(fēng)險(xiǎn)??煽啃砸驳玫搅颂岣?,因?yàn)槟K化方案意味著現(xiàn)在電源設(shè)計(jì)中只有單個(gè)故障點(diǎn)。

該寬Vin(65V)產(chǎn)品系列按輸出電流分為6A、8A或10A。所有器件之間的引腳兼容性和擴(kuò)展性確保了原始設(shè)備制造商(OEM)能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇最理想的器件,即使PCB設(shè)計(jì)已經(jīng)完成。固定頻率電壓模式PWM控制拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持易于補(bǔ)償、低輸出紋波和低電磁干擾(EMI)。FAN6500XX為高占空比(后綴“A”)和低占空比(后綴“B”)的應(yīng)用提供優(yōu)化的性能。

更高的功率要求通過可編程和可同步的開關(guān)頻率(100 kHz-1 MHz)特性解決,當(dāng)多個(gè)FAN6500XX器件被并行使用時(shí),可以保證低的輸入紋波。

FAN6500XX器件支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍,適用于工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,從服務(wù)器、基站電源到家庭自動(dòng)化。它們也適用于電池管理系統(tǒng),以及USB供電(PD)應(yīng)用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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