集微網(wǎng)消息，7月5日，耐威科技發(fā)布公告，耐威科技與青島市即墨區(qū)人民政府（以下簡稱“青島即墨”）、青島城市建設投資（集團）有限責任公司（以下簡稱“青島城投”）在 2018 年國際集成電路產(chǎn)業(yè)投資（青島）峰會上簽署《合作框架協(xié)議書》。

據(jù)悉，耐威科技將聚能晶源項目落地于青島市即墨區(qū)，該項目團隊掌握了國內(nèi)領先的第三代半導體氮化鎵（GaN）從材料生長到器件設計、制造的完整高端工藝和豐富經(jīng)驗，擁有該亟待爆發(fā)行業(yè)的核心競爭力，致力于為面向新一代功率與微波系統(tǒng)應用，成為面對低成本，高頻大功率應用的 8 寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓材料供應商，助力青島占領第三代半導體行業(yè)發(fā)展制高點。

青島城投擬通過青島海絲民合半導體投資中心（有限合伙）出資參與聚能晶源項目。青島即墨為青島市即墨區(qū)的行政主管單位。具體合作內(nèi)容如下：

（1）為幫助和盡快形成產(chǎn)能，占領國內(nèi)第三代半導體材料市場份額，青島即墨同意與聚能晶源另行簽署正式項目合作協(xié)議，為聚能晶源提供一系列項目支持，如設備補貼、裝修補貼、辦公場所與廠方支持、稅收獎勵等。

（2）為支持聚能晶源吸納骨干尖端人才，各方互相協(xié)助使得聚能晶源為本項目引進的優(yōu)秀人才切實享受到青島市、區(qū)等各項人才優(yōu)惠政策。

（3）聚能晶源預計本項目投資總額不少于約 2 億元人民幣：2018 年年底前投資總額不低于 5000 萬元人民幣，2020 年底前投資總額不低于 1.5 億元人民幣。

（4）聚能晶源未來產(chǎn)品線將覆蓋功率與微波器件應用，打造世界級氮化鎵（GaN）材料公司，項目主要產(chǎn)品有面向功率器件應用的氮化鎵（GaN）外延片，以及面向微波器件應用的氮化鎵（GaN）外延片等。

耐威科技表示，此次公司與青島即墨、青島城投就控股子公司聚能晶源相關項目的投資、落地情況達成緊密合作，有利于公司加快第三代半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發(fā)、生產(chǎn)進度，有利于公司把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇，盡快拓展相關材料在國防裝備、航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領域的推廣應用，有利于公司以傳感為核心所進行的“材料-芯片-器件-系統(tǒng)-應用”的全面布局，提高公司的綜合競爭實力，將對公司的長遠發(fā)展產(chǎn)生積極影響。

據(jù)耐威科技2018年5月24日公告披露，公司擬與袁理先生、青島海絲民合半導體投資中心（有限合伙）、青島民芯投資中心（有限合伙）共同投資設立控股子公司青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司及控股子公司聚能晶源。

其中公司擬使用自有資金1,050萬元（分期投入）投資聚能創(chuàng)芯，持有其35%的股權；公司擬使用自有資金2,000萬元（分期投入）投資聚能晶源，持有其40%的股權。

耐威科技表示，聚能晶源主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發(fā)、生產(chǎn)，目的在于依托專業(yè)團隊優(yōu)勢，聯(lián)合產(chǎn)業(yè)資源，積極布局并把握寬禁帶化合物半導體材料（即第三代半導體材料）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機遇，聚焦相關材料在航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領域的應用，完善并豐富公司產(chǎn)業(yè)鏈。

資料顯示，第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于 2.3 電子伏特（eV），又被成為寬禁帶半導體材料，與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。