GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。

宜普公司的EPC9130五相開發(fā)板展示出采用高頻開關(guān)eGaN?功率晶體管、極小型化及增強(qiáng)了效率的電源轉(zhuǎn)換方案。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的EPC9130開發(fā)板是一款48 V轉(zhuǎn)換至12 V的非隔離穩(wěn)壓式開發(fā)板、具用五個(gè)相位、每相具12 A、最大輸出電流為60安培，開發(fā)板的輸出功率可以超過700 W。該板具超高功率密度（每立方英寸大于1250 W），其效率高于96%。

EPC9130開發(fā)板有五個(gè)相位、在半橋配置中包含兩個(gè)100 V的增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）EPC2045及采用uPI 半導(dǎo)體公司的 up1966A 柵極驅(qū)動(dòng)器。發(fā)送至柵極驅(qū)動(dòng)器的 PWM 信號(hào)由板載 Microchip dsPIC33 微控制器發(fā)出。該板包含所有關(guān)鍵元器件，采用可實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能的布局 – 物料清單/成本是每瓦（Watt）低于0.06美元。

各種新興運(yùn)算應(yīng)用都需要更大的功率及更小的外型尺寸。除了服務(wù)器市場(chǎng)不斷擴(kuò)大外，其它的應(yīng)用包括多人游戲系統(tǒng)、全自動(dòng)汽車、人工智能及比特幣挖礦。面對(duì)這些應(yīng)用的要求及挑戰(zhàn)，EPC9130大大提升48 V轉(zhuǎn)換至12 V的DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率密度而同時(shí)使得轉(zhuǎn)換器更小型化、成本更低。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow 說：“這種DC/DC系統(tǒng)的功率密度每立方英寸超過1250 W，而效率則高于96%，這是這種電源轉(zhuǎn)換器前所未有的優(yōu)勢(shì)。最引人注目的是，元件的成本為每瓦低于0.06美元，比目前投產(chǎn)的系統(tǒng)還要低很多。”