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超越國(guó)際巨頭:微碧半導(dǎo)體VBGQTA1101以頂尖TOLT封裝重塑功率密度標(biāo)桿

焦點(diǎn)訊 ? 2025-10-11 19:43 ? 次閱讀
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近日,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來突破性進(jìn)展——微碧半導(dǎo)體(VBsemi)正式推出新品VBGQTA1101,采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國(guó)首款采用頂部散熱技術(shù)的功率MOSFET,更以"熱傳導(dǎo)與電流路徑解耦"的核心設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級(jí),標(biāo)志著我國(guó)在高功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域成功躋身國(guó)際先進(jìn)行列!

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TOLT-16封裝圖

創(chuàng)新封裝,破解高功率散熱難題

VBGQTA1101采用的TOLT封裝,通過將散熱路徑與電流傳輸路徑分離,徹底解決了傳統(tǒng)封裝中熱管理與電氣性能相互制約的痛點(diǎn):

- 熱阻大幅降低90%,整體耗散功率提升超90%,輕松應(yīng)對(duì)415A大電流、100V高壓的嚴(yán)苛工況;

- 結(jié)區(qū)到散熱器熱阻降低20%以上,即使在FR4標(biāo)準(zhǔn)PCB板上,也能顯著降低電路板溫度;

- 頂部直連散熱器,消除PCB焊料熱阻,為工程師提供"更高功率輸出"或"更省冷卻成本"的靈活選擇。

無引腳封裝當(dāng)中從性能最小DFN2X2到最大的 TOLL封裝,其中TOLT又是基于TOLL為基礎(chǔ)的全新封裝。下面是TOLL封裝和TOLT封裝的對(duì)比

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TOLL封裝和TOLT封裝的對(duì)比圖

可以發(fā)現(xiàn)和TOLL封裝相比較,TOLT最大的改進(jìn)在于熱阻降低非常明顯整體耗散功提升超過90%以上。

TOLT封裝還具有以下優(yōu)點(diǎn):

1,TOLT封裝技術(shù)能實(shí)現(xiàn)極高的功率輸出。得益于頂部散熱設(shè)計(jì)帶來的顯著提升,該方案無需增加元件數(shù)量和系統(tǒng)體積即可滿足高功率需求應(yīng)用。正因如此,TOLT封裝特別適用于大電流應(yīng)用場(chǎng)景。如電動(dòng)自行車、電動(dòng)滑板車、電動(dòng)摩托車、微型電動(dòng)車和叉車等應(yīng)用。

2,消除PCB和焊料互連來縮短散熱通路,對(duì)MOSFET的性能提升具有顯著影響。有實(shí)驗(yàn)對(duì)這兩種方案進(jìn)行了研究,結(jié)果顯示:即使采用傳統(tǒng)方案,使用FR4型PCB時(shí),從結(jié)區(qū)到散熱器的總熱阻仍可至少降低20%。對(duì)于研發(fā)工程師而言,這意味著要么在相同功率應(yīng)用下節(jié)省冷卻系統(tǒng)成本,要么通過相同系統(tǒng)架構(gòu)實(shí)現(xiàn)更高功率輸出。

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方案對(duì)比圖

3,由于底部無需散熱,其它元器件可以設(shè)計(jì)在另外一面,更加節(jié)省空間,同時(shí)源極和漏極爬電距離增加,絕緣效果更好。

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封裝解剖圖

多領(lǐng)域應(yīng)用,賦能產(chǎn)業(yè)升級(jí)

電動(dòng)交通領(lǐng)域

電機(jī)控制器:作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的核心開關(guān)元件,確保大電流下的高效可靠運(yùn)行

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TOLTMOSFETVBGQTA1101領(lǐng)域應(yīng)用圖

功率密度躍升,重塑工業(yè)應(yīng)用邊界

這款器件在同等體積下實(shí)現(xiàn)功率密度顯著提升,讓大功率設(shè)計(jì)不再受限于空間:

- RDS(10V)僅1.2mΩ,導(dǎo)通損耗極低,效率全面提升;

- 專為高功率密度應(yīng)用優(yōu)化:在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最大功率輸出;

- 系統(tǒng)架構(gòu)簡(jiǎn)化:無需額外增加元件,即可滿足持續(xù)增長(zhǎng)的高功率需求。

布局革新,解鎖PCB設(shè)計(jì)新可能

TOLT封裝的底部無散熱設(shè)計(jì),帶來更多系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì):

- 雙面布局自由:PCB背面可安心布置其他元器件,空間利用率大幅提升;

- 安全性能增強(qiáng):源極與漏極爬電距離增加,絕緣性能更優(yōu),系統(tǒng)可靠性全面提升;

- 組裝工藝簡(jiǎn)化:兼容現(xiàn)有生產(chǎn)工藝,降低制造成本。

技術(shù)領(lǐng)先,打破國(guó)際壟斷

目前全球已知僅英飛凌、美臺(tái)掌握類似技術(shù),微碧半導(dǎo)體作為中國(guó)首家全球第三成功研發(fā)TOLT封裝功率MOSFET的企業(yè),不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)技術(shù)空白,更將為工業(yè)、汽車電子、新能源等領(lǐng)域客戶帶來更具競(jìng)爭(zhēng)力的國(guó)產(chǎn)高端解決方案。

VBGQTA1101關(guān)鍵參數(shù):

- 封裝:TOLT-16

- 電壓:100V,柵極電壓±20V

- 導(dǎo)通電阻:1.2mΩ @10V

- 電流:415A

- 技術(shù):SGT工藝

微碧半導(dǎo)體此次推出的TOLT封裝功率MOSFET,不僅是封裝技術(shù)的革新,更是對(duì)高功率應(yīng)用場(chǎng)景的深度重構(gòu)。該產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段,將為大功率工業(yè)應(yīng)用帶來全新的技術(shù)體驗(yàn)和設(shè)計(jì)可能。

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