91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT的作用是什么

工程師 ? 來源:未知 ? 作者:姚遠(yuǎn)香 ? 2018-07-20 15:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

IGBT的作用

IGBT是一種功率晶體管,運用此種晶體設(shè)計之UPS可有效提升產(chǎn)品效能,使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點。

IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關(guān)斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。

IGBT選型四個基本要求

1、安全工作區(qū)

在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時候的保護(hù)。這個是開通和關(guān)斷時候的波形,這個是相關(guān)的開通和關(guān)斷時候的定義。我們做設(shè)計時結(jié)溫的要求,比如長期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來。這樣結(jié)合這個參數(shù)以后,結(jié)合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來計算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫,是否滿足安全結(jié)溫的需求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功率,時間比較短,它可能不是一個長期的工作點,可能突然增加,這個時候就涉及到另外一個指標(biāo),動態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性,就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小,這個壽命才長。

3、封裝要求

封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面,在結(jié)構(gòu)上面,其實也會和封裝相關(guān),因為設(shè)計的時候會布局和結(jié)構(gòu)的問題,不同的設(shè)計它的差異性很大。

4、可靠性要求

可靠性問題,剛才說到結(jié)溫波動,其中最擔(dān)心就是結(jié)溫波動以后,會影響到這個綁定線和硅片之間的焊接,時間久了,這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異,所以在結(jié)溫波動情況下,長時間下來,如果工藝不好的話,就會出現(xiàn)裂痕甚至斷裂,這樣就會影響保護(hù)壓降,進(jìn)一步導(dǎo)致ICBT失效。第二個就是熱循環(huán),主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個材料之間,他們之間的差異性。如果失效了以后,就分層了,材料與材料之間特性不一樣,就變成這樣情況的東西,這個失效很明顯。

IGBT如何選型

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1200V電壓等級的IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內(nèi),承受1.5倍的過流,擇最大負(fù)載電流約為119A ,建議選擇150A電流等級的IGBT。

3、IGBT開關(guān)參數(shù)的選擇

變頻器的開關(guān)頻率一般小于10kHZ,而在實際工作的過程中,IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT。

影響IGBT可靠性因素

1)柵電壓

IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動電壓值為15~187,最高用到20V, 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關(guān)系,在設(shè)計IGBT驅(qū)動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設(shè)計合適驅(qū)動參數(shù),保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。

2)Miller效應(yīng)

為了降低Miller效應(yīng)的影響,在IGBT柵驅(qū)動電路中采用改進(jìn)措施:(1)開通和關(guān)斷采用不同柵電阻Rg,ON和Rg,off,確保IGBT的有效開通和關(guān)斷;(2)柵源間加電容c,對Miller效應(yīng)產(chǎn)生的電壓進(jìn)行能量泄放;(3)關(guān)斷時加負(fù)柵壓。在實際設(shè)計中,采用三者合理組合,對改進(jìn)Mille r效應(yīng)的效果更佳。

IGBT使用注意事項

(1)操作過程中要佩戴防靜電手環(huán);

(2)盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;

(3)IGBT模塊驅(qū)動端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線;

(4)在焊接作業(yè)時,設(shè)備容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請先將設(shè)備處于良好的接地狀態(tài)下。

IGBT如何保管

1、一般保存IGBT模塊的場所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5℃~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機加濕。

2、盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。

3、在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。

4、IGBT模塊在未投入生產(chǎn)時不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4334

    瀏覽量

    263103
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10396

    瀏覽量

    147831
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    薩科微slkor總經(jīng)理宋仕強介紹道,焊接層在IGBT模塊中起什么作用?其失效會帶來什么后果?

    薩科微slkor總經(jīng)理宋仕強介紹道,焊接層在IGBT模塊中起什么作用?其失效會帶來什么后果?作用:焊接層是 IGBT 模塊內(nèi)部電氣互聯(lián)與熱傳導(dǎo)的核心介質(zhì),實現(xiàn)芯片與基板、基板與底板的可
    發(fā)表于 02-02 13:47

    請問GPIO在微控制器中的作用是什么?

    GPIO在微控制器中的作用是什么?
    發(fā)表于 12-25 06:46

    MOSFET在電源控制中的作用是什么?

    請問MOSFET在電源控制中的作用是什么?
    發(fā)表于 12-16 06:37

    CW32R031C8U6 集成balun,請問一下,這個balun是啥?其作用是什么?

    CW32R031C8U6 集成balun,請問一下,這個balun是啥?其作用是什么?
    發(fā)表于 12-10 06:19

    NVIC中斷屏蔽的具體作用是什么?

    NVIC 中斷屏蔽的具體作用是什么?
    發(fā)表于 12-05 06:06

    rt_mq_recv函數(shù)中timeout作用是什么?

    的值,并不被使用。 請問下這部分代碼作用是什么了? /* message queue is empty */ while (mq->entry == 0
    發(fā)表于 09-29 06:27

    請問NUC505 中的 VMID 引腳的作用是什么?如何設(shè)計電路圖?

    NUC505 中的 VMID 引腳的作用是什么?如何設(shè)計電路圖?
    發(fā)表于 08-28 06:26

    IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT 的短路失效機理相關(guān)性

    ,IGBT 芯片表面平整度與短路失效存在密切關(guān)聯(lián),探究兩者的作用機理對提升 IGBT 可靠性具有重要意義。 二、IGBT 結(jié)構(gòu)與短路失效危害 IGB
    的頭像 發(fā)表于 08-25 11:13 ?1571次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> 芯片表面平整度差與 <b class='flag-5'>IGBT</b> 的短路失效機理相關(guān)性

    進(jìn)行濾波器的諧波測試,它的作用是什么呢

    進(jìn)行濾波器的諧波測試,它的作用是什么呢,沒理解?測三個頻點來看它超過規(guī)定值沒
    發(fā)表于 06-23 19:19

    超高電壓放大器的作用是什么

    電壓放大器的作用、特點、應(yīng)用領(lǐng)域以及設(shè)計考慮因素。 一、超高電壓放大器的基本作用 超高電壓放大器的主要作用是對輸入信號的電壓幅度進(jìn)行放大。在電子系統(tǒng)中,許多傳感器輸出的信號非常微弱,這些信號如果直接進(jìn)行處理或傳
    的頭像 發(fā)表于 05-20 11:15 ?711次閱讀
    超高電壓放大器的<b class='flag-5'>作用是</b>什么

    請問EZ-PD? PMG1-S3 PD SBU MUX中SBU線上的比較器的作用是什么?

    EZ-PD? PMG1-S3 PD SBU MUX 中 SBU 線上的比較器的作用是什么?
    發(fā)表于 04-30 07:27

    電路詢問:請問圖片中R11的具體作用是什么?它是怎么能調(diào)節(jié)LED亮度?

    請問圖片中R11的具體作用是什么?它是怎么能調(diào)節(jié)LED亮度?
    發(fā)表于 04-25 10:00

    電機控制中IGBT驅(qū)動為什么需要隔離?

    結(jié)構(gòu)與雙極性晶體管特性的復(fù)合型功率開關(guān)器件,兼具功率MOSFET的高速、高輸入阻抗與雙極性晶體管的低導(dǎo)通電阻性能。這使得IGBT在高壓、大電流功率變換應(yīng)用中成為主要的功率半導(dǎo)體器件。在電機控制器中,IGBT的主要作用是將直流電轉(zhuǎn)
    的頭像 發(fā)表于 04-15 18:27 ?1317次閱讀
    電機控制中<b class='flag-5'>IGBT</b>驅(qū)動為什么需要隔離?

    安泰高功率放大器作用是什么意思

    高功率放大器是一種專門用于將輸入信號的功率放大到較高水平的電子設(shè)備。它在許多應(yīng)用領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。下面西安安泰將詳細(xì)介紹高功率放大器的作用和意義。 高功率放大器的主要作用是將輸入信號的功率放大到
    的頭像 發(fā)表于 04-14 11:24 ?893次閱讀
    安泰高功率放大器<b class='flag-5'>作用是</b>什么意思

    MOSFET與IGBT的區(qū)別

    來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題,但針對特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較,確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS
    發(fā)表于 03-25 13:43