東芝與西部數(shù)據(jù)的合資閃存代工廠已經(jīng)開始制造96層3D NAND芯片，而兩家合作伙伴正在此基礎(chǔ)上積極生產(chǎn)四級(jí)單元（簡(jiǎn)稱QLC）產(chǎn)品。其中仍在使用TLC的東芝公司發(fā)布一款三級(jí)單元的1 TB SSD，而率先邁入QLC時(shí)代的西部數(shù)據(jù)則擁有一款四級(jí)單元的1.33 Tb芯片。

東芝公司的XG6為一款單面M.2“口香糖”（22 x 80毫米）外形尺寸的產(chǎn)品，其屬于XG5 M.2驅(qū)動(dòng)器的換代方案。這款驅(qū)動(dòng)器采用64層3D NAND芯片，容量選項(xiàng)分別為256 GB、512 GB以及1 TB。前后兩代產(chǎn)品皆配備有一個(gè)NVMe接口。

盡管采用其512 Gb晶圓的96層TLC芯片在單位容量方面較64層方案提升了40%，但XG6驅(qū)動(dòng)器的容量水平卻仍與XG5保持一致。

與XG5相比，XG6的另一個(gè)奇怪之處在于其性能表現(xiàn)。XG5的隨機(jī)讀取IOPS高達(dá)14萬4千次，隨機(jī)寫入IOPS則高達(dá)11萬9250次——這屬于典型的隨機(jī)讀取速度高于寫入速度的模式。而XG6的參數(shù)分別為隨機(jī)寫入IOPS為35萬5千次，隨機(jī)讀取IOPS為36萬5千次。

XG5的連續(xù)讀取與連續(xù)寫入傳輸帶寬分別為每秒3 GB與每秒2.1 GB，XG6則分別為每秒3.18 GB與每秒2.96 GB——這又重新回歸了讀取快于寫入的典型模式。

東芝公司還擁有一款XG5-P，即高端M.2 2 TB驅(qū)動(dòng)器，其中采用64層TLC 3D NAND芯片。因此，我們希望能夠看到未來推出采用96層TLC芯片的XG6-P，其容量或?qū)⑦_(dá)到3 TB水平。

XG6提供五年質(zhì)保與150萬小時(shí)平均故障前運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)。具體使用壽命信息目前尚不明確。東芝公司正在向OEM廠商提供樣品，這款驅(qū)動(dòng)器將主要用于PC/移動(dòng)端、嵌入式設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景。

東芝公司表示，其正在開發(fā)一款QLC（四級(jí)單元）芯片，這將把現(xiàn)有TLC芯片的容量進(jìn)一步提升三分之一。

西部數(shù)據(jù)與東芝的QLC芯片

西部數(shù)據(jù)公司目前擁有一款采用同一晶圓廠出產(chǎn)芯片的1.33 Tb QLC芯片，其表示這是目前業(yè)界內(nèi)存在的存儲(chǔ)容量最高的單一3D NAND芯片。

這款芯片現(xiàn)已開始提供樣品，并計(jì)劃于今年年底之前批量出貨以用于SanDisk品牌的消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。西部數(shù)據(jù)方面表示，預(yù)計(jì)這些芯片將出現(xiàn)在零售、移動(dòng)、嵌入、客戶以及企業(yè)級(jí)產(chǎn)品線當(dāng)中。SanDisk Ultra目前提供的最高容量水平為2 TB，我們預(yù)計(jì)新芯片的推出可能將其容量提升至3 TB。

作為東芝存儲(chǔ)器集團(tuán)下轄的子公司，東芝美國(guó)有限公司亦擁有一套96層QLC芯片的原型設(shè)計(jì)方案。該公司表示其單芯片容量為1.33 Tb，與西部數(shù)據(jù)保持一致。東芝方面將這些芯片每16個(gè)一組堆疊在同一封裝之內(nèi)，從而生產(chǎn)容量達(dá)2.66 TB的“超級(jí)芯片”。

相關(guān)樣品將于今年9月向SSD及控制器供應(yīng)商交付，全面量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)為2019年。

三星、美光與英特爾

本月早些時(shí)候，三星公司表示其正在生產(chǎn)90層以上3D NAND芯片，并著手開發(fā)QLC方案。美光公司剛剛進(jìn)入96層領(lǐng)域，目前擁有2.5英寸ION 5210 QLC SSD，其采用64層技術(shù)且容量為7.68 TB。我們預(yù)計(jì)未來推出的96層版本可能將容量提升至10 TB水平。

英特爾公司發(fā)布推文表示，其目前正在生產(chǎn)數(shù)據(jù)中心級(jí)QLC SSD，且目標(biāo)是開發(fā)出容量達(dá)20 TB的2.5英寸SSD。更多細(xì)節(jié)預(yù)計(jì)將在8月6日至9日召開的Flash Memory峰會(huì)上公布。

可以看到，我們正全面進(jìn)入96層與QLC閃存時(shí)代，由SATA與SAS到NVMe的過渡也在持續(xù)進(jìn)行當(dāng)中。感謝閃存的蓬勃發(fā)展為我們帶來一系列振奮人心的好消息。