2025 年以來，全球存儲市場出現(xiàn)明顯的價格上行趨勢。受AI 計算需求爆發(fā)、上游產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整和傳統(tǒng) HDD 供給緊張等多重因素驅(qū)動，DRAM 與 NAND Flash 的價格全面上揚，并傳導(dǎo)至 SSD、U 盤、TF 卡等下游成品市場。

核心趨勢

1. 漲價將延續(xù)至 2025 Q4–2026 H1

行情面：DRAM 與 NAND 合約價近期上漲 5–20%，其中 DDR4、企業(yè)級 SSD 與低容量 NAND 顆粒漲幅最為顯著。

供給面：原廠繼續(xù)控產(chǎn)、優(yōu)先供應(yīng)高毛利 AI 相關(guān)產(chǎn)品線。

替代面：近線 HDD 交期超過一年，數(shù)據(jù)中心更多采用企業(yè)級 QLC SSD 替代冷存儲，進(jìn)一步加劇 NAND 需求。

2. DDR4 與 LPDDR4/x 成為最緊缺品類

DDR4 因為工藝停產(chǎn)與產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，預(yù)計緊張狀態(tài)至少持續(xù)至 2026 年中。

高速大容量 DDR5 逐步滲透，但成本與兼容性問題限制了短期替代。

3. NAND 結(jié)構(gòu)性分化明顯

企業(yè)級 NAND（高層數(shù)、QLC）需求最旺，價格堅挺。

消費級 NAND（U 盤、TF、低容量 SSD）因顆粒緊缺，報價同樣隨行就市。

4. 消費級成品價格“快漲慢跌”

NVMe、SATA SSD 在渠道端普遍上調(diào)，尤其是大容量型號。

USB/TF 市場因備貨與惜售心理，價格波動加劇。

驅(qū)動邏輯

AI 基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)張：大模型訓(xùn)練與推理需要更大規(guī)模存儲，推升 HBM、DRAM 與 NAND 需求。

原廠結(jié)構(gòu)調(diào)整：產(chǎn)線優(yōu)先支持 HBM、DDR5 與高層數(shù) NAND，傳統(tǒng) DDR4 與低容量 NAND 被邊緣化。

替代效應(yīng)：HDD 長交期使得企業(yè)被動采購更多 SSD，特別是 QLC。

需求傳導(dǎo)：先由企業(yè)級漲價，再傳導(dǎo)至消費級市場。

時間軸判斷

2025 Q4–2026 H1（基準(zhǔn)情景）

DRAM：DDR4 持續(xù)緊缺，價格高位震蕩。DDR5 結(jié)構(gòu)性分化。

NAND：企業(yè)級 NAND 強勢，消費級“快漲慢跌”。

HDD：交期繼續(xù)拉長，支撐 SSD 替代需求。

2026 H2（樂觀情景）

新堆棧 NAND（V9/V10）量產(chǎn)爬坡，供需改善，NAND 可能率先回落。

保守情景

若 AI 數(shù)據(jù)需求超預(yù)期，或 HDD 供給恢復(fù)緩慢，漲價周期將延續(xù)更久。

市場對策建議

1. 采購側(cè)

關(guān)鍵型號提前鎖量：DDR4/LPDDR4x、低容量 NAND 建議 3–6 個月滾動鎖單。

替代方案預(yù)研：DDR4 → DDR5，低容量 NAND → pin-to-pin 高容量替代。

安全庫存提升：關(guān)鍵料號庫存建議維持 1.5–2.5 倍月用量。

2. 銷售側(cè)

大容量優(yōu)先備貨

價保+交期承諾：通過短周期價保與可追溯批次提高客戶粘性。

未來一年，存儲市場的主旋律仍將是結(jié)構(gòu)性緊缺 + 價格高位震蕩。

DDR4 與低容量 NAND 將是最緊俏的品類；企業(yè)級 SSD 與 QLC NAND 則在 AI 浪潮中受益最大。

企業(yè)需提前布局采購與庫存策略，同時在銷售端強化價格溝通與替代方案設(shè)計。

對國內(nèi)廠商的利好主要表現(xiàn)為：國產(chǎn)替代機遇明顯

隨著外資廠商將產(chǎn)能更多轉(zhuǎn)向高端DDR5、HBM等產(chǎn)品，傳統(tǒng)DDR4及中低端NAND市場空間被進(jìn)一步釋放。國內(nèi)企業(yè)具備技術(shù)和產(chǎn)能基礎(chǔ)，能夠填補供需缺口，快速提升市場份額。

市場份額加速增長。據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，2025年全球DDR5市場中國廠商有望占30%以上，全球市占率大幅提升。這顯示國產(chǎn)廠商正在快速搶占國際市場。

收入和盈利能力提升。技術(shù)迭代和產(chǎn)品升級也帶來價格和毛利的雙重提升。

政策和國產(chǎn)替代需求推動。國內(nèi)云計算、信創(chuàng)等產(chǎn)業(yè)對國產(chǎn)存儲的采購需求持續(xù)上升，加快國產(chǎn)存儲替代速度。

綜上，存儲芯片漲價雖對整體供應(yīng)鏈造成壓力，但國內(nèi)廠商憑借技術(shù)積累和國產(chǎn)替代政策受益明顯，在行業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整中獲得了快速成長和更大的市場話語權(quán)，有望在未來迎來發(fā)展黃金期.

參考來源

TrendForce，2025 年存儲市場月報

集邦咨詢、CINNO Research 市場快訊

TechInsights：AI 存儲與 HDD 交期分析

Digitimes：原廠控產(chǎn)與 NAND 合約價趨勢

Counterpoint Research：DDR4 市場供需預(yù)測

（本文系對公開資料之綜合整理，信息可能隨時間更新而變動。文中觀點僅代表作者個人，不構(gòu)成任何實質(zhì)性建議或保證；讀者據(jù)此行動，風(fēng)險自擔(dān)。)

審核編輯 黃宇