該DRV8303是一款用于三相電機驅(qū)動應(yīng)用的柵極驅(qū)動器IC。該器件提供三個半橋驅(qū)動器,每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動兩個N溝道MOSFET。該器件支持高達 1.7A 的源極電流和 2.3A 的峰值電流能力。該DRV8303可采用6V至60V范圍寬的單個電源供電。它采用自舉柵極驅(qū)動器架構(gòu)和涓流充電電路,支持 100% 占空比。當高側(cè)或低側(cè) MOSFET 切換時,DRV8303使用自動手搖,以防止電流射穿。高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的集成 VDS 檢測用于保護外部功率級免受過流情況的影響。
*附件:drv8303.pdf
該DRV8303包括兩個電流分流放大器,用于精確的電流測量。這些放大器支持雙向電流檢測,并提供高達 3 V 的可調(diào)輸出失調(diào)。
串行外設(shè)接口 (SPI) 提供詳細的故障報告和靈活的參數(shù)設(shè)置,例如電流分流放大器的增益選項和柵極驅(qū)動器的壓擺率控制。
特性
- 6V 至 60V 工作電源電壓范圍
- 1.7A 源極和 2.3A 灌極驅(qū)動電流能力
- 壓擺率控制,降低 EMI
- 支持 100% 占空比的自舉柵極驅(qū)動器
- 6 或 3 種 PWM 輸入模式
- 雙通道集成電流分流放大器,具有可調(diào)增益和失調(diào)
- 3.3V 和 5V 接口支持
- 串行外設(shè)接口 (SPI)
- 保護特點:
參數(shù)
方框圖

?1. 核心特性?
- ?電源與驅(qū)動?:
- 工作電壓范圍:6V至60V,集成1.7A源電流/2.3A灌電流的柵極驅(qū)動能力。
- 支持100%占空比的自舉架構(gòu),內(nèi)置電荷泵。
- 3種PWM輸入模式(6-PWM/3-PWM),可編程死區(qū)時間(50ns-500ns)。
- ?電流檢測?:
- 雙集成電流分流放大器,支持雙向檢測,增益可調(diào)(10/20/40/80 V/V)。
- 輸出偏置電壓可編程(最高3V),支持DC校準模式。
- ?保護功能?:
- VDS過流保護(OCP)、欠壓鎖定(UVLO)、過熱警告/關(guān)斷(OTW/OTS)。
- 故障報告通過nFAULT、nOCTW引腳及SPI寄存器。
?2. 關(guān)鍵模塊?
- ?柵極驅(qū)動?:
- 三組半橋驅(qū)動,自動握手防直通,支持外部MOSFET的VDS實時監(jiān)測。
- 可調(diào)柵極驅(qū)動電流(1.7A/0.7A/0.25A)和開關(guān)斜率控制(EMI優(yōu)化)。
- ?SPI接口?:
- 16位數(shù)據(jù)幀(讀寫位+地址+數(shù)據(jù)),支持靈活的參數(shù)配置(如OCP閾值、放大器增益)。
- ?保護機制?:
- 4種過流模式(限流/鎖存關(guān)斷/僅報告/禁用),GVDD過壓保護(>16V觸發(fā))。
?3. 電氣參數(shù)?
- ?電源特性?:
- ?時序特性?:
- 傳播延遲:45ns(輸入至柵極輸出),死區(qū)時間匹配誤差<5ns。
?4. 典型應(yīng)用?
- ?場景?:
- ?設(shè)計要點?:
- ?布局?:GVDD/PVDD需就近放置低ESR電容(如2.2μF陶瓷電容)。
- ?保護設(shè)置?:根據(jù)MOSFET的RDS(on)計算OCP閾值(如0.123V對應(yīng)26A@4.7mΩ)。
?5. 封裝與配置?
- ?封裝?:48引腳HTSSOP(12.5mm×6.1mm),帶裸露焊盤散熱。
- ?寄存器配置?:
- 控制寄存器1:設(shè)置柵極電流、PWM模式、OCP響應(yīng)方式。
- 控制寄存器2:配置放大器增益、DC校準通道、OCTW報告模式。
?總結(jié)?:DRV8303是一款高集成度三相電機驅(qū)動IC,適用于需精確電流檢測和強保護功能的場合,其SPI可編程性及多重保護機制顯著簡化系統(tǒng)設(shè)計。
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