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      長(zhǎng)江存儲(chǔ)將首次公布3D NAND閃存技術(shù)，實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)

      dKBf_eetop_1 ? 來源：未知 ? 作者：工程師郭婷 ? 2018-07-30 17:57 ? 次閱讀
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      紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）宣布，將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）。

      此次峰會(huì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士將發(fā)布表主題演講并揭曉突破性技術(shù)Xtacking。官方稱，Xtacking可以將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，同時(shí)使存儲(chǔ)密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。

      據(jù)悉，Xtacking可用于消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)SSD還有UFS閃存，且實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間，并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。

      那么DDR4的傳輸速度是什么級(jí)別？

      以常見的DDR4-2400單通道為例，數(shù)據(jù)速率2400Mbps，理論峰值帶寬2400MHz x 64bit/8=18.75GB/s。

      還不清楚紫光所謂速度級(jí)別的具體數(shù)字，僅從紙面分析，倒是很像Intel在做的傲騰存儲(chǔ)，最終目標(biāo)是閃存、內(nèi)存二合一。

      閃存示意圖

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      原文標(biāo)題：長(zhǎng)江存儲(chǔ)將首次公布速率與DDR4相當(dāng)?shù)?D NAND閃存技術(shù)！

      文章出處：【微信號(hào)：eetop-1，微信公眾號(hào)：EETOP】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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