FRAM是由美國 Ramtron公司生產的非易失性鐵電介質讀寫存儲器。 其核心技術是鐵電晶體材料,這一特殊材料使得鐵電存貯產品同時擁有隨機存儲器(RAM) 和非易失性存儲器的特性。
原理:鐵電晶體材料的工作原理是: 當我們把電場加載到鐵電晶體材料上,晶陣中的中心原子會沿著電場方向運動,到達穩(wěn)定狀態(tài)。晶陣中的每個自由浮動的中心原子只有兩個穩(wěn)定狀態(tài),一個我們記作邏輯 0,另一個記作邏輯 1。中心原子能在常溫﹑沒有電場的情況下停留在此狀態(tài)達一百年以上。 由于在整個物理過程中沒有任何原子碰撞,鐵電存儲器(FRAM)擁有高速讀寫,超低功耗和無限次寫入等特性。
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