存儲(chǔ)器粗略的可以分為
1.非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，如NAND、NOR Flash，數(shù)據(jù)在掉電后不會(huì)丟失。這類存儲(chǔ)器通常速度比較慢，可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

2.揮發(fā)性存儲(chǔ)器，如DRAM、SRAM。它們通常速度較快，但數(shù)據(jù)在掉電后會(huì)丟失，通常被用作程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)緩存(buffer)。

3.新一代的存儲(chǔ)器：如ReRAM,MRAM,FRAM等，他們的特點(diǎn)是結(jié)合了上述兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)：運(yùn)行速度快，掉電不丟失。目前，他們的一些局限在于容量還不能做得很大，所以還無法實(shí)現(xiàn)DRAM或NAND能實(shí)現(xiàn)的容量密度；或者再單位bit的成本，還無法與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器競爭。

4.PSRAM：pseudo SRAM，偽SRAM。它具有類SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實(shí)現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新，因此結(jié)口簡單；但它的內(nèi)核是DRAM架構(gòu)：1T1C一個(gè)晶體管一個(gè)電容構(gòu)成存儲(chǔ)cell，而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)cell。由此結(jié)合，他可以實(shí)現(xiàn)類SRAM的接口有可實(shí)現(xiàn)較大的存儲(chǔ)容量。

新的串行pSRAM能有效改善傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體的問題，并具有以下優(yōu)點(diǎn)：
1.更大的帶寬：串行PSRAM以八路串行接口之規(guī)格，在200MHz Double-data-rate的速率，其數(shù)據(jù)帶寬大于3Gbps。

2.更高的容量：串行PSRAM容量為64M，比其他現(xiàn)行市面上的串行接口隨機(jī)存取記憶體的記憶容量大很多。

3.更低的成本：串行PSRAM採用先進(jìn)的DRAM技術(shù)，有效地壓縮芯片體積，故串行PSRAM生產(chǎn)成本接近DRAM成本。

4.更小的尺寸：串行PSRAM的低引腳數(shù)封裝與傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體(RAM)相較之下，更具尺寸小、成本低等優(yōu)勢(shì)。

5.應(yīng)用介面簡單：因?yàn)樾滦偷脑O(shè)計(jì)技術(shù)，串行PSRAM不需要更新週期(Refresh Cycle)，與DRAM需要更新不同，故串行PSRAM介面較傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體(RAM)更為簡單。

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審核編輯 黃宇