2018年8月7日，全球重要的閃存控制器供應(yīng)商深圳市得一微電子有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“得一微電子”）攜多款最新產(chǎn)品參展全球頂級(jí)閃存峰會(huì)2018 Flash Memory Summit(簡(jiǎn)稱“FMS”)，并發(fā)表重要演講，向全球閃存界分享最新的3D NAND Flash研究成果，獲得高度認(rèn)可。

FMS是目前存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)最為國(guó)際性頂級(jí)閃存峰會(huì)，來(lái)自全球的閃存界優(yōu)秀企業(yè)匯聚于此，合作交流。今年FMS在位于美國(guó)硅谷加州圣克拉拉會(huì)議中心舉辦，得一微電子向全球客戶展示全套閃存控制器解決方案，從USB3.1、SD、eMMC 到SATA SSD、PCIe NVMe SSD，產(chǎn)品線齊全，并全線支持3D NAND Flash，得一微電子是唯一能提供一站式解決方案的中國(guó)大陸廠商。

得一微電子市場(chǎng)總監(jiān)羅挺介紹公司產(chǎn)品的最新進(jìn)展，他說(shuō)，SATA3.2 SSD控制器YS9083XT 已經(jīng)獲得規(guī)模應(yīng)用，得到眾多客戶的認(rèn)可，此外PCIe Gen3x2 YS9201正在Design in, 處于客戶送樣中。

在此次峰會(huì)上，得一微電子還發(fā)布了新款高IOPS eMMC 控制器YS8293EN,閃存支持DDR533,帶寬提高30%，SRAM擴(kuò)大，提高隨機(jī)讀寫速度，進(jìn)一步擴(kuò)大公司在嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域的影響力。

羅挺認(rèn)為，中國(guó)存儲(chǔ)控制器廠商參與國(guó)際交流甚至競(jìng)爭(zhēng)，讓世界了解中國(guó)閃存主控的真正實(shí)力，得一微電子有信心肩負(fù)中國(guó)閃存控制器崛起的重任。

在同期舉辦的閃存論壇上，得一微電子閃存特性分析部門經(jīng)理葉敏展示最新研究成果“A Graphical Journey into 3D NAND Program Operations”。他對(duì)3D NAND 的TLC以及QLC操作特性進(jìn)行了直觀的演示，對(duì)比了Flash的One Shot編程與2-Pass編程的物理過(guò)程，通過(guò)先進(jìn)高效的研究手段，充分理解各家主流3D供應(yīng)商的特征，通過(guò)基礎(chǔ)研究，提升閃存應(yīng)用的可靠性。這項(xiàng)研究也令得一微電子更深入地了解閃存，有利于閃存控制器的先進(jìn)技術(shù)研發(fā)。

這項(xiàng)研究不僅針對(duì)目前主要的閃存供應(yīng)商的3D NAND，也適用于長(zhǎng)江存儲(chǔ)即將量產(chǎn)的3D NAND產(chǎn)品，可謂覆蓋全面，分析詳盡。

日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公布了在3D NAND構(gòu)架上的最新技術(shù)Xtacking。據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，采用Xtacking技術(shù)的存儲(chǔ)芯片，I/O速度有望達(dá)到了3Gbps，和DDR4內(nèi)存相當(dāng)，而目前日韓廠商同類產(chǎn)品的速度為1Gbps左右。

針對(duì)這一閃存技術(shù)以及將應(yīng)用于對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品并有望明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，羅挺認(rèn)為這就要求閃存控制器廠商對(duì)閃存特性進(jìn)行深入分析，確立對(duì)應(yīng)的主控方案，而得一微電子對(duì)3D NAND的特性分析研究成果將有助于開發(fā)更適合的控制器。他透露，接下來(lái)得一微電子規(guī)劃的產(chǎn)品將會(huì)定位更高，匹配長(zhǎng)江存儲(chǔ)的高性能I/O接口。

得一微電子此次參加FMS，攜全產(chǎn)品線進(jìn)行全球首秀，必將得到更多朋友們的關(guān)注，為得一微電子的全球化打開新局面。

接下來(lái)，得一微電子還將參加8月16日在哈爾濱舉行的第十屆中國(guó)測(cè)試學(xué)術(shù)會(huì)議的存儲(chǔ)可靠性技術(shù)論壇，并由市場(chǎng)總監(jiān)羅挺帶來(lái)“提高閃存介質(zhì)可靠性的工程”的技術(shù)演講。