來源：CSDN技術社區(qū)；作者：吉大一菜雞

一、防反接電路

電源正確接入時

電流從 VIN 端流向負載，經由 Q3(NMOS) 通向地（GND）。在上電瞬間，由于 MOS 管的體二極管效應，地回路通過體二極管接通。接下來，由于 Vgs(門源電壓)大于 Vgsth(門限電壓)，MOS管導通。

電源反向接入時

電流從 GND 源端流向負載體二極管不導通，且 Vgs 電壓不符合要求，因此NMOS管不導通，電路中不存在電流回路，導致負載斷路，實現了保護機制。在正常電源接入情況下，電流從源（S）端流向漏（D）端。

注意：Vgs不能超過NMOS管的Vgs最大額定值。所以在電路中引入了一個穩(wěn)壓管 D1，穩(wěn)壓到12V，以避免損壞MOS管。

二、防過壓電路

正常電壓輸入時

當 VIN 正常輸入電壓時，穩(wěn)壓管沒有反向擊穿，R1，R2 電流基本為0。Q1(PNP三極管) 的 Vbe=0，即 Q1 不導通。Q2(PMOS) 的 Vgs 由 D2(穩(wěn)壓二極管) 決定，若 VIN 輸入超過 D2 的穩(wěn)壓值則擊穿為 12V，所以 Q2 導通，即電源正常工作。

過電壓輸入時

當 VIN 輸入大于正常輸入電壓，此時 Vin>Vbr，D1(穩(wěn)壓管) 被擊穿，其上電壓為 Vbr。Q1(PNP三極管) 導通，VCE≈0，即 Q2(PMOS) 的Vgs≈0，Q2 不導通，電路斷路，即實現了過壓保護。

三、緩啟動電路

在防過壓的基礎上加一個 RC 電路對 C1 電容進行充電來延遲三極管的導通時間實現緩啟動的功能。

四、防反接&防過壓&緩啟動電路一體

將上述三種保護電路結合到一起，并添加一個TVS二極管，和RC吸收電路，同時將功率地、數字地和模擬地分開，通過一個0Ω電阻進行單點連接。